一種用于檢驗(yàn)非易失存儲(chǔ)單元受干擾的方法及裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種用于檢驗(yàn)非易失存儲(chǔ)單元受干擾的方法，其適用于非易失存儲(chǔ)單元，所述方法包括以下步驟：a)設(shè)置計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值為一預(yù)設(shè)值；b)接收擦除塊指令，所述擦除塊指令中包含相應(yīng)擦除塊的地址信息；c)根據(jù)所述相應(yīng)擦除塊的地址信息執(zhí)行擦除操作；d)根據(jù)計(jì)數(shù)器的當(dāng)前計(jì)數(shù)值以確定所述相應(yīng)擦除塊所在的同一個(gè)塊組的相應(yīng)干擾塊；e)對(duì)所述相應(yīng)干擾塊進(jìn)行修復(fù)操作；f)將計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值加1，并返回步驟b)。本發(fā)明專利技術(shù)不僅可以節(jié)省時(shí)間，而且能夠及時(shí)有效地檢驗(yàn)并且修復(fù)被干擾的存儲(chǔ)單元。同時(shí)，芯片在流片后能夠大大縮減燒錄時(shí)間成本，以及時(shí)將產(chǎn)品推向給客戶。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及電子領(lǐng)域，尤其涉及一種用于檢驗(yàn)非易失存儲(chǔ)單元受干擾的方法及裝置。
技術(shù)介紹
NORflash閃存是一種非易失存儲(chǔ)器，可以對(duì)被稱為“塊”的存儲(chǔ)器單元陣列進(jìn)行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行。所以，在大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。Norflash存儲(chǔ)單元編程寫入原理如圖1所示，在柵極和漏極加高壓，通過(guò)熱電子注入(hotelectroninjection)的方式，通過(guò)源極給浮柵充電。擦寫原理如圖2所示，在柵極加負(fù)高壓，阱中加正高壓，利用F-N隧道效應(yīng)(FowlerNordheimtunneling)將浮柵上的電荷釋放。早期的flash產(chǎn)品在布局時(shí)以一定數(shù)量的存儲(chǔ)單元作為一個(gè)塊(block)，再以“塊”為單位，布局整個(gè)產(chǎn)品的存儲(chǔ)陣列。以4Mbit為例，存儲(chǔ)單元陣列分布如圖3。一個(gè)塊的大小通常是64kbyte，也就是用戶經(jīng)常使用到的塊擦除大小(blockerasesize)，這個(gè)塊中的存儲(chǔ)單元由一定數(shù)量的字線(WL)和一定數(shù)量的位線(BL)組成，并且具有共同的阱。塊與塊之間的字線、位線和阱(well)都是相互獨(dú)立的。這樣，當(dāng)對(duì)某一塊進(jìn)行擦寫操作時(shí)，不會(huì)影響到其他的塊。隨著存儲(chǔ)單元工藝技術(shù)的進(jìn)步，其工藝特征尺寸越來(lái)越小，為縮小整個(gè)芯片的面積，在布局存儲(chǔ)單元陣列時(shí)，通常會(huì)把幾個(gè)block放在一起，同時(shí)由于flash產(chǎn)品應(yīng)用的多樣化，塊擦除的大小不再局限于64kbyte，目前主流的應(yīng)用也會(huì)采用4kbyte擦除(sectorerasesize)或者是32kbyte擦除(halfblockerasesize)。由于是Nor型存儲(chǔ)架構(gòu)，這樣在擦除某一區(qū)域(例如該區(qū)域可以是4kbyte(一個(gè)sector)或32kbyte(halfblock)或者是64kbyte(block))時(shí)，選中單元的漏極和未選中單元的漏極連接在一起，同時(shí)選中單元和未選中單元共用同一個(gè)阱，就不可避免的遇到干擾其它未選中區(qū)域的問(wèn)題，其結(jié)果表現(xiàn)為存儲(chǔ)單元原先存儲(chǔ)的是'0'被干擾為'1'，或者原先存儲(chǔ)的是'1'被干擾為'0'，從而造成位反轉(zhuǎn)。NorFlash的位反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，主要是由以下一些原因/效應(yīng)所導(dǎo)致：1)漂移效應(yīng)(DriftingEffects)，漂移效應(yīng)是指，NorFlash中cell的電壓值慢慢地改變，并且與原始值不同。2)讀操作干擾產(chǎn)生的錯(cuò)誤(Read-DisturbErrors)，此效應(yīng)是指，對(duì)一個(gè)頁(yè)進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取操作，卻使得對(duì)應(yīng)的某個(gè)位的數(shù)據(jù)產(chǎn)生永久性的變化，即Flash上的該位的值發(fā)生改變。3)編程干擾所產(chǎn)生的錯(cuò)誤(Program-DisturbErrors)，此現(xiàn)象有時(shí)候也叫做漏極電壓干擾(draindisturb)，其原因是對(duì)于某個(gè)頁(yè)面的編程操作，即寫操作時(shí)漏極會(huì)施加一定的高壓，由于采用Nor型存儲(chǔ)架構(gòu)，多個(gè)存儲(chǔ)單元的漏極會(huì)連接在一起，這樣當(dāng)選中單元做編程操作時(shí)，高壓會(huì)同時(shí)加載到選中單元和未選中單元的漏極，此高壓會(huì)慢慢改變未選中存儲(chǔ)單元內(nèi)部電荷變化。當(dāng)該變化積累到一定程度時(shí)，其存儲(chǔ)狀態(tài)就會(huì)從'0'變?yōu)?1'。4)擦除干擾(EraseDisturb)，在擦除sector或者block時(shí)，由于鄰近的sector或者block處在同一個(gè)阱當(dāng)中，當(dāng)阱電位升高至一定程度，并且干擾時(shí)間積累到一定程度時(shí)，也會(huì)改變存儲(chǔ)單元內(nèi)部電荷分布，從而改變存儲(chǔ)狀態(tài)。在上述四種干擾類型中，一般情況下，前兩種干擾所造成的影響需要長(zhǎng)達(dá)幾年甚至幾十年的積累，后兩種干擾也需要時(shí)間干擾，通常至少要經(jīng)過(guò)幾十次或幾百次循環(huán)擦寫，才會(huì)有存儲(chǔ)單元發(fā)生位反轉(zhuǎn)。由于前兩種情況幾乎可以忽略不計(jì)，因此，一般只需針對(duì)后兩種情況進(jìn)行排查。由于無(wú)法確定存儲(chǔ)單元在何時(shí)何處會(huì)被干擾，于是在傳統(tǒng)方法中的修復(fù)操作往往是對(duì)可能產(chǎn)生干擾的所有存儲(chǔ)單元進(jìn)行查找，對(duì)于將幾個(gè)塊合并為塊組的設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，這是相當(dāng)耗時(shí)且效率極低的。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
為了解決上述問(wèn)題，本專利技術(shù)提供一種用于檢驗(yàn)非易失存儲(chǔ)單元受干擾的方法，其主要針對(duì)受到擦除干擾的存儲(chǔ)單元而提供一種簡(jiǎn)單、快速且行之有效的檢驗(yàn)方法，從而能夠有效快速地確定被干擾的存儲(chǔ)單元，并且及時(shí)修復(fù)。依據(jù)本專利技術(shù)的一方面，提供一種用于檢驗(yàn)非易失存儲(chǔ)單元受干擾的方法，其適用于非易失存儲(chǔ)單元，所述方法包括以下步驟：a)設(shè)置計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值為一預(yù)設(shè)值；b)接收擦除塊指令，所述擦除塊指令中包含相應(yīng)擦除塊的地址信息；c)根據(jù)所述相應(yīng)擦除塊的地址信息執(zhí)行擦除操作；d)根據(jù)計(jì)數(shù)器的當(dāng)前計(jì)數(shù)值以確定所述相應(yīng)擦除塊所在的同一個(gè)塊組的相應(yīng)干擾塊；e)對(duì)所述相應(yīng)干擾塊進(jìn)行修復(fù)操作；f)將計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值加1，并返回步驟b)。在本專利技術(shù)的一實(shí)施例中，在步驟a)之前進(jìn)一步包括：劃分多個(gè)塊組，每一所述塊組包括多個(gè)塊。在本專利技術(shù)的一實(shí)施例中，在步驟e)中進(jìn)一步包括步驟：e1)在所述相應(yīng)干擾塊中逐一查找存儲(chǔ)單元，并且判斷每一所述存儲(chǔ)單元的干擾標(biāo)記位；e2)當(dāng)干擾標(biāo)記位為有效時(shí)，則執(zhí)行修復(fù)相應(yīng)存儲(chǔ)單元的操作，并且更新干擾標(biāo)記位。在本專利技術(shù)的一實(shí)施例中，所述計(jì)數(shù)器的位數(shù)是根據(jù)每一塊組中的塊的數(shù)目而確定的。在本專利技術(shù)的一實(shí)施例中，在步驟d)和步驟e)之間進(jìn)一步包括以下步驟：判斷所述相應(yīng)干擾塊是否為所述相應(yīng)擦除塊；若是，則執(zhí)行步驟f)，否則執(zhí)行步驟e)。依據(jù)本專利技術(shù)的另一方面，本專利技術(shù)還提供一種用于檢驗(yàn)非易失存儲(chǔ)單元受干擾的裝置，其包括以下模塊：計(jì)數(shù)器初始模塊，用于設(shè)置計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值為一預(yù)設(shè)值；擦除指令接收模塊，與所述計(jì)數(shù)器初始模塊相連，所述擦除指令接收模塊用于接收擦除塊指令，所述擦除塊指令中包含相應(yīng)擦除塊的地址信息；擦除操作執(zhí)行模塊，與所述擦除指令接收模塊相連，所述擦除操作執(zhí)行模塊用于根據(jù)所述相應(yīng)擦除塊的地址信息執(zhí)行擦除操作；干擾塊定位模塊，與所述擦除操作執(zhí)行模塊相連，所述干擾塊定位模塊用于根據(jù)計(jì)數(shù)器的當(dāng)前計(jì)數(shù)值以確定所述相應(yīng)擦除塊所在的同一個(gè)塊組的相應(yīng)干擾塊；干擾塊修復(fù)模塊，與所述干擾塊定位模塊相連，所述干擾塊修復(fù)模塊用于對(duì)所述相應(yīng)干擾塊進(jìn)行修復(fù)操作；計(jì)數(shù)器增值模塊，分別與所述干擾塊修復(fù)模塊和所述擦除指令接收模塊相連，所述計(jì)數(shù)器增值模塊用于將計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值加1，并調(diào)用所述擦除指令接收模塊。在本專利技術(shù)的一實(shí)施例中，所述裝置進(jìn)一步包括：塊組設(shè)置模塊，所述塊組設(shè)置模塊與所述計(jì)數(shù)器初始模塊相連，所述塊組設(shè)置模塊用于劃分多個(gè)塊組，每一所述塊組包括多個(gè)塊。在本專利技術(shù)的一實(shí)施例中，所述干擾塊修復(fù)模塊包括：干擾標(biāo)記位判斷單元，用于在所述相應(yīng)干擾塊中逐一查找存儲(chǔ)單元，并且判斷每一所述存儲(chǔ)單元的干本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種用于檢驗(yàn)非易失存儲(chǔ)單元受干擾的方法，其適用于非易失存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述方法包括以下步驟：a)設(shè)置計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值為一預(yù)設(shè)值；b)接收擦除塊指令，所述擦除塊指令中包含相應(yīng)擦除塊的地址信息；c)根據(jù)所述相應(yīng)擦除塊的地址信息執(zhí)行擦除操作；d)根據(jù)計(jì)數(shù)器的當(dāng)前計(jì)數(shù)值以確定所述相應(yīng)擦除塊所在的同一個(gè)塊組的相應(yīng)干擾塊；e)對(duì)所述相應(yīng)干擾塊進(jìn)行修復(fù)操作；f)將計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值加1，并返回步驟b)。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種用于檢驗(yàn)非易失存儲(chǔ)單元受干擾的方法，其適用于非易失存儲(chǔ)單元，其特征在于，
所述方法包括以下步驟：
a)設(shè)置計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值為一預(yù)設(shè)值；
b)接收擦除塊指令，所述擦除塊指令中包含相應(yīng)擦除塊的地址信息；
c)根據(jù)所述相應(yīng)擦除塊的地址信息執(zhí)行擦除操作；
d)根據(jù)計(jì)數(shù)器的當(dāng)前計(jì)數(shù)值以確定所述相應(yīng)擦除塊所在的同一個(gè)塊組的相應(yīng)干擾塊；
e)對(duì)所述相應(yīng)干擾塊進(jìn)行修復(fù)操作；
f)將計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值加1，并返回步驟b)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟a)之前進(jìn)一步包括：
劃分多個(gè)塊組，每一所述塊組包括多個(gè)塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟e)中進(jìn)一步包括步驟：
e1)在所述相應(yīng)干擾塊中逐一查找存儲(chǔ)單元，并且判斷每一所述存儲(chǔ)單元的干擾標(biāo)記位；
e2)當(dāng)干擾標(biāo)記位為有效時(shí)，則執(zhí)行修復(fù)相應(yīng)存儲(chǔ)單元的操作，并且更新干擾標(biāo)記位。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述計(jì)數(shù)器的位數(shù)是根據(jù)每一塊組中的塊的
數(shù)目而確定的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟d)和步驟e)之間進(jìn)一步包括以下
步驟：
判斷所述相應(yīng)干擾塊是否為所述相應(yīng)擦除塊；
若是，則執(zhí)行步驟f)，否則執(zhí)行步驟e)。
6.一種用于檢驗(yàn)非易失存儲(chǔ)單元受干擾的裝置，其特征在于，包括以下模塊：
計(jì)數(shù)器初始模塊，用于設(shè)置計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值為一預(yù)設(shè)值；
擦除指令接收模塊，與所述計(jì)數(shù)器初始模塊相連，所述擦除指令接收模塊用于接收擦除塊
指令，所述擦除塊指令中包含相應(yīng)擦除塊的地址信息；
擦除操作執(zhí)行模塊，與所述擦除指令接收模塊相連，...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：蘇香，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：上海芯澤電子科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：上海;31