一種垂直LED芯片制造技術

本發明專利技術提供一種垂直LED芯片，包括：表面具有N型GaN層的多邊形垂直LED芯片；電極，形成于所述N型GaN層表面，所述電極包括中心焊墊、與所述中心焊墊電連并由所述焊墊指向芯片邊緣的多插指主電極。本發明專利技術的垂直LED芯片通過芯片形狀設計以及電極分布設計，提高了芯片的電流擴展能力以及芯片出光效率，從而進一步提高了芯片發光效率。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術屬于LED芯片領域，涉及一種垂直LED芯片，特別是涉及一種雪花型垂直LED芯片。
技術介紹
發光二極管(LED，LightEmittingDiode)是一種半導體固體發光器件，其利用半導體PN結作為發光材料，可以直接將電轉換為光。在各種半導體材料中，以氮化鎵(GaN)為代表的III-V族化合物半導體由于具有帶隙寬、發光效率高、電子飽和漂移速度高、化學性質穩定等特點，而在高亮度藍光發光二極管、藍光激光器等光電子器件領域有著巨大的應用潛力，引起了人們的廣泛關注。傳統型LED在大電流下表現的電流擁擠，電壓高等劣勢使得垂直LED芯片在大功率芯片應用上顯得優勢明顯。就目前垂直芯片而言，依然存在金屬電極區域電流擁塞(currentcrowding)，電流擁塞一方面降低芯片壽命，一方面降低芯片發光效率。通常LED垂直芯片呈四邊形，兩個電極分別在LED外延層的兩側，電流幾乎全部垂直流過LED外延層，極少有橫向流動的電流，電流分布不均勻，芯片發光效率低，因此，提供一種有利于電流擴展的LED垂直芯片結構布實屬必要。
技術實現思路
鑒于以上所述現有技術的缺點，本專利技術的目的在于提供一種垂直LED芯片，用于解決現有技術中垂直LED芯片存在電流擁塞，發光效率低等問題。為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術提供一種垂直LED芯片，所述垂直LED芯片至少包括：表面具有N型GaN層的多邊形垂直LED芯片；電極，形成于所述N型GaN層表面，所述電極包括中心焊墊、與所述中心焊墊電連并由所述焊墊指向芯片邊緣的多插指主電極。作為本專利技術垂直LED芯片的一種優化的結構，所述多插指主電極均勻分布在所述中心焊墊的四周。作為本專利技術垂直LED芯片的一種優化的結構，所述多插指主電極遠離所述中心焊墊的一端為尾端，所述尾端距離所述垂直LED芯片邊緣8～12mil。作為本專利技術垂直LED芯片的一種優化的結構，所述多邊形垂直LED芯片為六邊形，所述多插指主電極為六插指主電極。作為本專利技術垂直LED芯片的一種優化的結構，在每根插指主電極上還設置有至少一根次電極。作為本專利技術垂直LED芯片的一種優化的結構，在每根插指主電極上還設置有一根次電極，所述次電極位于插指主電極尾端1/3處。作為本專利技術垂直LED芯片的一種優化的結構，所述電極整體呈雪花型。作為本專利技術垂直LED芯片的一種優化的結構，所述多插指主電極的根數與所述垂直LED芯片的邊數一致。作為本專利技術垂直LED芯片的一種優化的結構，所述表面具有N型GaN層的多邊形垂直LED芯片至少包括：導電襯底以及依次形成在所述導電襯底上的鍵合層、反射層、P型GaN層、多量子阱層以及N型GaN層。如上所述，本專利技術的垂直LED芯片，包括：表面具有N型GaN層的多邊形垂直LED芯片；電極，形成于所述N型GaN層表面，所述電極包括中心焊墊、與所述中心焊墊電連并由所述焊墊指向芯片邊緣的多插指主電極。本專利技術的垂直LED芯片通過芯片形狀設計以及電極分布設計，提高了芯片的電流擴展能力以及芯片出光效率，從而進一步提高了芯片發光效率。附圖說明圖1顯示為本專利技術垂直LED芯片的結構俯視圖。圖2顯示為本專利技術垂直LED芯片的結構剖面圖。元件標號說明1多邊形垂直LED芯片11導電襯底12鍵合層13反射層14P型GaN層15多量子阱層16N型GaN層2電極21中心焊墊22多插指主電極23次電極具體實施方式以下由特定的具體實施例說明本專利技術的實施方式，熟悉此技術的人士可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本專利技術的其他優點及功效。請參閱圖1至圖2。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供熟悉此技術的人士了解與閱讀，并非用以限定本專利技術可實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本專利技術所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本專利技術所揭示的
技術實現思路
得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本專利技術可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更
技術實現思路
下，當亦視為本專利技術可實施的范疇。如圖1所示，本專利技術提供一種垂直LED芯片，所述垂直LED芯片至少包括表面具有N型GaN層的多邊形垂直LED芯片1和形成于所述N型GaN層表面的電極2。所述多邊形垂直LED芯片1可以是五邊形、六邊形、七邊形等等。本實施例中，所述多邊形垂直LED芯片1為六邊形垂直LED芯片。作為示例，如圖2所示，所述表面具有N型GaN層的多邊形垂直LED芯片1至少包括：導電襯底11以及依次形成在所述導電襯底11上的鍵合層12、反射層13、P型GaN層14、多量子阱層15以及N型GaN層16。在所述N型GaN層16表面形成于電極2。其中，所述反射層13與P型GaN層14有良好的歐姆接觸并具有高反射率特性。所述反射層13材料為Ni、Ag、Ti、Pt、Al或者Rh等中的一種或多種組合，厚度為本實施例中，采用Ag作為反射層13材料。當然，其他的反射金屬也可能適用于本專利技術，并不限定于此處所列舉的示例。所述鍵合層12材料為Cr、Ni、Ti、Pt、Au或者Sn中的一種或多種的組合，厚度為本實施例中，采用Au/Sn作為鍵合層12材料。當然，其他的鍵合金屬也可能適用于本專利技術，并不限定于此處所列舉的示例。作為示例，所述導電襯底11可以是Si、Mo或者SiC等。在本實施例中，所述導電襯底11為Mo金屬襯底，利用所述導電襯底11較高的導電及導熱率，可以大大提高LED芯片的散熱效率。如圖1所示，所述電極2包括中心焊墊21、與所述中心焊墊21電連并由所述焊墊21指向芯片1邊緣的多插指主電極22。所述多插指主電極22呈向四周擴散狀。在所述中心焊墊21和N型GaN層16之間可以形成有鈍化層(未予以圖示)。進一步地，所述多插指主電極22均勻分布在所述中心焊墊21的四周。另外，要求所述多插指主電極22的根數與所述垂直LED芯片1的邊數一致。這樣，本實施例中，所述多插指主電極22則為六插指主電極。更進一步地，在每根插指主電極22上還設置有至少一根次電極23。本實施例中，在每根插指主電極22上還設置有一根次電極23，并且所述次電極23位于插指主電極22尾端1/3處。如圖1所示，所述電極2整體呈現雪花型，有利于電流擴散，本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種垂直LED芯片，其特征在于，所述垂直LED芯片至少包括：表面具有N型GaN層的多邊形垂直LED芯片；電極，形成于所述N型GaN層表面，所述電極包括中心焊墊、與所述中心焊墊電連并由所述焊墊指向芯片邊緣的多插指主電極。

【技術特征摘要】
1.一種垂直LED芯片，其特征在于，所述垂直LED芯片至少包括：
表面具有N型GaN層的多邊形垂直LED芯片；
電極，形成于所述N型GaN層表面，所述電極包括中心焊墊、與所述中心焊墊電連
并由所述焊墊指向芯片邊緣的多插指主電極。
2.根據權利要求1所述的垂直LED芯片，其特征在于：所述多插指主電極均勻分布在所述
中心焊墊的四周。
3.根據權利要求1所述的垂直LED芯片，其特征在于：所述多插指主電極遠離所述中心焊
墊的一端為尾端，所述尾端距離所述垂直LED芯片邊緣8～12mil。
4.根據權利要求1所述的垂直LED芯片，其特征在于：所述多邊形垂直LED芯片為六邊形，
所述多插指主電極為六插指主電極。
5.根據權利...

【專利技術屬性】
技術研發人員：于婷婷，徐慧文，李起鳴，
申請(專利權)人：映瑞光電科技上海有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31