本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種加熱腔室及物理氣相沉積設備，該加熱腔室內(nèi)沿其軸向間隔設置至少兩個承載件，所述承載件用于承載被加工工件；并且，在加熱腔室內(nèi)，對應每個所述承載件至少設置一個加熱元件，該加熱元件用于加熱與之對應的承載件上的被加工工件。本發(fā)明專利技術(shù)提供的加熱腔室，其可以對至少兩個被加工工件同時加熱，因而可以解決其產(chǎn)出率低的問題，從而可以提高半導體加工設備的產(chǎn)能，進而可以提高經(jīng)濟效益。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)屬于微電子加工
，具體涉及一種加熱腔室及物理氣相沉積設備。
技術(shù)介紹
物理氣相沉積(PhysicalVaporDeposition，簡稱PVD)技術(shù)是半導體工業(yè)中最為廣泛使用的一種薄膜制造技術(shù)。在集成電路的制造領(lǐng)域中，PVD技術(shù)多特指磁控濺射沉積技術(shù)，主要用于鋁、銅等金屬薄膜的沉積，以構(gòu)成金屬接觸、金屬互連線等。PVD工藝通常包括以下步驟：1)去氣步驟；2)預清洗步驟；3)銅阻擋層步驟；4)銅籽晶層步驟。上述PVD工藝采用PVD設備實現(xiàn)，PVD設備包括用于完成去氣步驟的去氣腔室，圖1為現(xiàn)有的PVD設備的去氣腔室的結(jié)構(gòu)示意圖，請參閱圖1，去氣腔室10包括被石英窗11由上至下劃分的大氣腔室12和真空腔室13。其中，在真空腔室13內(nèi)設置有頂針14和頂針升降機構(gòu)(圖中未示出)，頂針14用于承載托盤16，托盤16上承載有多個基片，頂針升降機構(gòu)用于驅(qū)動頂針14升降，以實現(xiàn)與機械手配合實現(xiàn)基片的裝卸載；在真空腔室13的側(cè)壁上設置有傳片口15，機械手經(jīng)由該傳片口15向真空腔室13內(nèi)的頂針14上裝卸載托盤16。大氣腔室12內(nèi)設置有加熱燈泡17，加熱燈泡17向真空腔室13內(nèi)輻射熱量以加熱位于真空腔室13內(nèi)托盤16上基片，以去除基片表面上的水氣和易揮發(fā)的雜質(zhì)，從而完成PVD工藝中的去氣步驟。然而，采用上述去氣腔室在實際應用中往往會存在以下問題：由于上述PVD工藝中的去氣步驟的工藝時間最長，例如，標準工藝中去氣步驟的時間一般為200s，而其他工藝步驟的工藝時間一般50s左右，并且，去氣腔室10的每次僅能實現(xiàn)對一個托盤完成去氣步驟，即去氣腔室的產(chǎn)出率低，從而造成該PVD設備的產(chǎn)出率低，進而造成經(jīng)濟效益低。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種加熱腔室及物理氣相沉積設備，其可以對至少兩個被加工工件同時加熱，因而可以解決其產(chǎn)出率低的問題，從而可以提高半導體加工設備的產(chǎn)能，進而可以提高經(jīng)濟效益。為解決上述問題之一，本專利技術(shù)提供了一種加熱腔室，在所述加熱腔室內(nèi)沿其軸向間隔設置至少兩個承載件，所述承載件用于承載被加工工件；并且在所述加熱腔室內(nèi)，對應每個所述承載件至少設置一個加熱元件，所述加熱元件用于加熱與之對應的所述承載件上的被加工工件。其中，所述承載件用于承載被加工工件的邊緣區(qū)域；在每個所述承載件所在承載位的上方和/或下方設置有加熱元件。其中，在最上層承載件所在承載位的上方、每相鄰兩個承載件所在承載位之間以及最下層承載件所在承載位的下方均設置有所述加熱元件。其中，所述承載件的數(shù)量為偶數(shù)，由上至下依次每兩個所述承載件所在的承載位之間設置有所述加熱元件；或者在最上層承載件所在承載位的上方，最下層承載件所在承載位的下方，以及其他承載件由上至下依次每兩個所述承載件所在的承載位之間均設置有所述加熱元件。其中，所述承載件的數(shù)量為奇數(shù)，由上至下依次每兩個所述承載件所在承載位之間，以及在最下層承載件所在承載位的下方均設置有所述加熱元件；或者由下至上依次每兩個所述承載件所在承載位之間，以及在最上層承載件所在承載位的上方均設置有所述加熱元件。其中，至少兩個所述承載件在軸向上間隔且均勻設置，并且，每個所述加熱元件距離與之相鄰的所述承載件上的被加工工件的豎直間距相等。其中，所述承載件用于承載被加工工件的下表面；在每個所述承載件所在承載位的上方，和/或，在每個所述承載件內(nèi)設置有所述加熱元件。其中，在所述加熱腔室內(nèi)設置有加熱支撐裝置，所述加熱支撐裝置包括支架，所述承載件和所述加熱元件設置在所述支架的內(nèi)周壁上；并且在所述加熱支撐裝置的側(cè)壁上設置有可供被加工工件通過的傳輸口。其中，所述支架上還設置有一對電極，所述一對電極中的正電極/負電極與各個所述加熱元件的正極/負極對應連接；所述一對電極中的正電極和負電極與電源的正負極對應連接。其中，所述支架采用導電材料制成，用以分別將所述一對電極的正電極和負電極對應地與各個加熱元件的正極和負極電連接。其中，所述加熱支撐裝置還包括絕緣體，所述絕緣體設置在所述支架的外側(cè)壁上，用以使所述支架與所述加熱腔室的腔室側(cè)壁電絕緣。其中，所述加熱腔室還包括升降裝置，所述升降裝置用于驅(qū)動所述加熱支撐裝置升降。其中，所述加熱元件包括電阻加熱絲。本專利技術(shù)還提供一種物理氣相沉積設備，包括加熱腔室，所述加熱腔室采用本專利技術(shù)上述的加熱腔室。本專利技術(shù)具有以下有益效果：本專利技術(shù)提供的加熱腔室，沿其軸向間隔設置有至少兩個承載件，承載件用于承載被加工工件，并且，在加熱腔室內(nèi)，對應每個承載件至少設置一個加熱元件，借助加熱元件可以實現(xiàn)加熱與之對應的承載件上的被加工工件，因此該加熱腔室可以實現(xiàn)對至少兩個承載件上的被加工工件同時加熱，因而可以解決加熱腔室(即，去氣腔室)的產(chǎn)能低的問題，從而可以提高PVD設備的產(chǎn)能，進而可以提高經(jīng)濟效益。本專利技術(shù)提供的物理氣相沉積設備，其采用本專利技術(shù)提供的加熱腔室，因而可以提高其產(chǎn)能，從而可以提高經(jīng)濟效益。附圖說明圖1為現(xiàn)有的PVD設備的去氣腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本專利技術(shù)第一實施例提供的加熱腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為圖2中加熱元件的結(jié)構(gòu)示意圖；以及圖4為圖2所示的加熱腔室的工作示意圖；圖5為本專利技術(shù)第二實施例提供的加熱腔室中承載件為大于2的偶數(shù)個時的第一種結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本專利技術(shù)第二實施例提供的加熱腔室中承載件為大于2的偶數(shù)個時的第二種的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本專利技術(shù)第二實施例提供的加熱腔室中承載件為2個時的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本專利技術(shù)第二實施例提供的加熱腔室中承載件為奇數(shù)個時的第一結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本專利技術(shù)第二實施例提供的加熱腔室中承載件為奇數(shù)個時的第二結(jié)構(gòu)示意圖；以及圖10為本專利技術(shù)第三實施例提供的加熱腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本專利技術(shù)的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖來對本專利技術(shù)實施例提供的加熱腔室及物理氣相沉積設備進行詳細描述。圖2為本專利技術(shù)第一實施例提供的加熱腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為圖2中加熱元件的結(jié)構(gòu)示意圖。請一并參閱圖2和圖3，本實施例提供的加熱腔室20，在加熱腔室20內(nèi)沿軸向向上間隔設置有至少兩個承載件21，承載件21用于承載被加工工件S，其中，被加工工件S可以為基片，也可以為承載有多個基片的托盤。并且，在加熱腔室20內(nèi)，對本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種加熱腔室，其特征在于，在所述加熱腔室內(nèi)沿其軸向間隔設置至少兩個承載件，所述承載件用于承載被加工工件；并且在所述加熱腔室內(nèi)，對應每個所述承載件至少設置一個加熱元件，所述加熱元件用于加熱與之對應的所述承載件上的被加工工件。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種加熱腔室，其特征在于，在所述加熱腔室內(nèi)沿其軸向間隔
設置至少兩個承載件，所述承載件用于承載被加工工件；并且
在所述加熱腔室內(nèi)，對應每個所述承載件至少設置一個加熱元件，
所述加熱元件用于加熱與之對應的所述承載件上的被加工工件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱腔室，其特征在于，所述承載件用
于承載被加工工件的邊緣區(qū)域；
在每個所述承載件所在承載位的上方和/或下方設置有加熱元件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加熱腔室，其特征在于，在最上層承載
件所在承載位的上方、每相鄰兩個承載件所在承載位之間以及最下層
承載件所在承載位的下方均設置有所述加熱元件。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加熱腔室，其特征在于，所述承載件的
數(shù)量為偶數(shù)，由上至下依次每兩個所述承載件所在的承載位之間設置
有所述加熱元件；或者
在最上層承載件所在承載位的上方，最下層承載件所在承載位的
下方，以及其他承載件由上至下依次每兩個所述承載件所在的承載位
之間均設置有所述加熱元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加熱腔室，其特征在于，所述承載件的
數(shù)量為奇數(shù)，由上至下依次每兩個所述承載件所在承載位之間，以及
在最下層承載件所在承載位的下方均設置有所述加熱元件；或者
由下至上依次每兩個所述承載件所在承載位之間，以及在最上層
承載件所在承載位的上方均設置有所述加熱元件。
6.根據(jù)權(quán)利要求3-5任意一項所述的加熱腔室，其特征在于，至
少兩個所述承載件在軸向上間隔且均勻設置，并且，每個所述加熱元
\t件距離與之相鄰的所述承載件上的被加工工...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李萌，張風港，張文，劉菲菲，
申請(專利權(quán))人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司，
類型：發(fā)明
國別省市：北京;11
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