【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及一種接著劑組成物、一種非等向性導電膜及一種使用其的半導體元件。
技術介紹
一般來說,非等向性導電膜(Anisotropicconductivefilm,ACF)是指通過將導電粒子分散于例如是環氧樹脂的樹脂中所制備的膜形接著劑。非等向性導電膜由具有電非等向性和膠黏性的聚合物層所組成,并且展現在膜厚度方向上的導電特性以及在其表面方向上的絕緣特性。含有環氧樹脂類接著劑的非等向性導電接著劑用于如FPC(軟性印刷電路)板、TAB(卷帶式自動結合)板、PCB(印刷電路板)、玻璃電路板等的電路板上的電極之間的電性連接,同時使所述電路板彼此接合。需要這些接著劑來確保在電路板之間的電性連接并且允許在相對低溫度下快速固化,以便防止對電路板造成熱損傷。這類非等向性導電膜是由陽離子可聚合環氧樹脂組成物所組成。上述陽離子可聚合環氧樹脂組成物包含陽離子聚合催化劑,所述陽離子聚合催化劑通過熱或光來生成質子以引起陽離子聚合反應。已知銻酸锍錯合物是這類陽離子聚合催化劑。然而,銻酸锍錯合物具有作為抗衡陰離子的SbF6-,其中氟原子與銻鍵結,使得氟離子大量生成并且在陽離子聚合反應期間發生異質金屬的遷移,由此導致金屬線或者連接墊受到腐蝕。因此,需要不會引起這一腐蝕問題并同時展現在低溫下快速固化的反應性的各種陽離子聚合催化劑。此外,盡管有在低溫下快速固化的優點,陽離子可聚合環氧樹脂組成物具有穩定性劣化的問題。因此,為了解決此問題,已進行研究以發展一種聚合化合物,此聚合化合物可取代一些陽離子聚合催化劑,同時在陽離子聚合反應中捕獲路易士酸或其它陽離子活性物質,以延遲或穩定陽離子聚合反應 ...
【技術保護點】
一種非等向性導電膜,其包括:由式1所表示的陽離子聚合催化劑;以及由式2或式3所表示的化合物,[式1]在式1中,R1至R5各自獨立為氫原子、烷基、乙酰基、烷氧羰基、苯甲酰基或苯甲氧羰基;以及R6和R7各自獨立為烷基、芐基、鄰甲基芐基、間甲基芐基、對甲基芐基或萘甲基,[式2]在式2中,R8至R13中至少一個為羥基,而剩余的取代基各自獨立為經取代或未經取代的氫原子、烷基、巰基、烷硫基、乙酰基、烷氧羰基、苯甲酰基或苯甲氧羰基,[式3]在式3中,R14至R21中至少一個為羥基,而剩余的取代基各自獨立為經取代或未經取代的氫原子、烷基、巰基、烷硫基、乙酰基、烷氧羰基、苯甲酰基或苯甲氧羰基。
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2014.07.25 KR 10-2014-00946731.一種非等向性導電膜,其包括:由式1所表示的陽離子聚合催化劑;以及由式2或式3所表示的化合物,[式1]在式1中,R1至R5各自獨立為氫原子、烷基、乙酰基、烷氧羰基、苯甲酰基或苯甲氧羰基;以及R6和R7各自獨立為烷基、芐基、鄰甲基芐基、間甲基芐基、對甲基芐基或萘甲基,[式2]在式2中,R8至R13中至少一個為羥基,而剩余的取代基各自獨立為經取代或未經取代的氫原子、烷基、巰基、烷硫基、乙酰基、烷氧羰基、苯甲酰基或苯甲氧羰基,[式3]在式3中,R14至R21中至少一個為羥基,而剩余的取代基各自獨立為經取代或未經取代的氫原子、烷基、巰基、烷硫基、乙酰基、烷氧羰基、苯甲酰基或苯甲氧羰基。2.根據權利要求1所述的非等向性導電膜,其中在式1中,R2至R5為氫原子或烷基,R6為芐基或鄰甲基芐基,且R7為烷基。3.根據權利要求1所述的非等向性導電膜,其中在式2中,R8至R13中的一個至三個取代基為羥基,而剩余的取代基各自獨立為經取代或未經取代的氫基、烷基、巰基或烷硫基。4.根據權利要求1所述的非等向性導電膜,其中在式3中,R14至R21中的一個至三個取代基為羥基,而剩余的取代基各自獨立為經取代或未經取代的氫基、烷基、巰基或烷硫基。5.根據權利要求1至4中任一項所述的非等向性導電膜,其中就固體含量來說,以所述非等向性導電膜的總量計,由式2或式3所表示的所述化合物以0.01重量%至10重量%的量存在。6.根據權利要求1至4中任一項所述的非等向性導電膜,其中就固體含量來說,以所述非等向性導電膜的總量計,由式1所表示的所述陽離子聚合催化劑以1重量%至20重量%的量存在。7.根據權利要求1至4中任一項所述的非等向性導電膜,還包括:粘合劑樹脂、陽離子可聚合樹脂和導電粒子。8.根據權利要求7所述的非等向性導電膜,其中就固體含量來說,以所述非等向性導電膜的總量計,所述粘合劑樹脂以25重量%至60重量%的量存在,所述陽離子可聚合樹脂以20重量%至50重量%的量存在,以及所述導電粒子以1重量%至25重量%的量存在。9.根據權利要求1至4中任一項所述的非等向性導電膜,其中所述非等向性導電膜在25℃下靜置170小時后,通過差示掃描熱量測定法(DSC)來測量及根據方程式1來計算,所述非等向性導電膜具有30%以下的熱量變化率,[方程式1]熱量變化率(%)=[(H0-H1)/H0]×100在方程式1中,H0為所述非等向性導電膜在25℃下靜置0小時后通過差示掃描熱量測定法(DSC)所測量的熱量,以及H1為所述非等向性導電膜在25℃下靜置170小時...
【專利技術屬性】
技術研發人員:黃慈英,姜炅求,金智軟,樸憬修,樸永祐,申潁株,鄭光珍,
申請(專利權)人:三星SDI株式會社,
類型:發明
國別省市:韓國;KR
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