本實(shí)用新型專利技術(shù)公開了一種提高板式PECVD鍍膜沉積速率的裝置，其包括石墨框、等間距固定在石墨框下底面的復(fù)數(shù)塊硅片、設(shè)置在石墨框下方的U型槽、以及設(shè)置在U型槽內(nèi)的石英管，所述U型槽的底部設(shè)有一氨氣通氣孔，所述U型槽的兩個(gè)側(cè)翼上各設(shè)有一硅烷通氣孔，所述U型槽的外圍還設(shè)有一U型磁鐵，所述U型磁鐵的開口方向和U型槽的開口方向一致。本實(shí)用新型專利技術(shù)能夠提高等離子體的利用率和氮化硅薄膜的沉積速率，降低機(jī)臺(tái)的運(yùn)行成本，保證了氮化硅薄膜的均勻性。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及太陽能電池制造領(lǐng)域，具體涉及一種提高板式PECVD鍍膜沉積速率的裝置。
技術(shù)介紹
常規(guī)的化石燃料日益消耗殆盡，在現(xiàn)有的可持續(xù)能源中，太陽能無疑是一種最清潔、最普遍和最有潛力的替代能源。太陽能發(fā)電裝置又稱為太陽能電池或光伏電池，可以將太陽能直接轉(zhuǎn)換成電能，其發(fā)電原理是基于半導(dǎo)體PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)。太陽能發(fā)電裝置的核心是電池片，目前絕大多數(shù)都采用硅片制成。光伏電池生產(chǎn)過程中，需要在光伏電池的半成品電池即硅片的表面鍍上一層減反射膜。目前，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法（PECVD,PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition），使氣體在硅電池片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并形成覆蓋層，即減反射膜。此減反射膜的主要作用是：降低反射率、良好的體鈍化和表面鈍化，以及利用氮化硅薄膜的強(qiáng)致密性和耐多數(shù)酸堿性，在硅片表面形成保護(hù)層。氮化硅薄膜的沉積速率直接影響到了機(jī)臺(tái)的產(chǎn)出，因此如何提升機(jī)臺(tái)氮化硅的沉積速率成了各大廠家研究的課題，其中提升等離子體的利用率是提升沉積速率的一個(gè)關(guān)鍵因子?，F(xiàn)有技術(shù)中，采用方形磁鐵提供磁場(chǎng)，由于等離子體是跟隨磁場(chǎng)的方向來運(yùn)動(dòng)，在原方形的磁鐵設(shè)計(jì)中，磁場(chǎng)的運(yùn)行方向分上下兩部分，而真正對(duì)氮化硅薄膜沉積有作用的，只有上半部分的磁場(chǎng)，下半部分的磁場(chǎng)除了對(duì)電池片沉積氮化硅沒有作用之外，還會(huì)加速氮化硅在U型槽底部的沉積，導(dǎo)致U型槽底部沉積過多氮化硅，引起U型槽的變形，從而阻擋特氣管路上的氣孔，最終導(dǎo)致氮化硅膜厚度和折射率的均勻性變差。因此，設(shè)計(jì)一種提高板式PECVD鍍膜沉積速率的裝置，通過改變磁場(chǎng)的運(yùn)行方向，使得磁場(chǎng)方向和電池片沉積薄膜的方向完全一致，從而提高等離子體的利用率，提升薄膜的沉積速率，降低機(jī)臺(tái)的運(yùn)行成本，顯然具有積極的現(xiàn)實(shí)意義。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的專利技術(shù)目的是提供一種提高板式PECVD鍍膜沉積速率的裝置。為達(dá)到上述專利技術(shù)目的，本技術(shù)采用的技術(shù)方案是：一種提高板式PECVD鍍膜沉積速率的裝置，其包括石墨框、等間距固定在石墨框下底面的復(fù)數(shù)塊硅片、設(shè)置在石墨框下方的U型槽、以及設(shè)置在U型槽內(nèi)的石英管，所述U型槽的底部設(shè)有一氨氣通氣孔，所述U型槽的兩個(gè)側(cè)翼上各設(shè)有一硅烷通氣孔，所述U型槽的外圍還設(shè)有一U型磁鐵，所述U型磁鐵的開口方向和U型槽的開口方向一致。上述技術(shù)方案中，所述石墨框下底面設(shè)有硅片固定槽，所述硅片固定在硅片固定槽中。進(jìn)一步地，所述復(fù)數(shù)塊硅片之間的間距為4~6mm。優(yōu)選為5mm。優(yōu)選地，所述U型磁鐵與U型槽的底部及側(cè)壁為點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)處的U型磁鐵與U型槽的間隙小于2mm。優(yōu)選地，所述U型磁鐵的截面為圓弧形結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地，所述圓弧形結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑為15~25cm。進(jìn)一步地，所述U型磁鐵的厚度為5~8cm。進(jìn)一步地，所述氨氣通氣孔的孔徑為0.5~1.5mm。優(yōu)選為1mm。進(jìn)一步地，所述硅烷通氣孔的孔徑為0.5~1.5mm。優(yōu)選為1mm。由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)：1．本技術(shù)在U型槽外圍設(shè)置U型磁鐵，所述U型磁鐵的開口方向和U型槽的開口方向一致，使得僅U型槽的開口處存在磁場(chǎng)，且磁場(chǎng)方向和硅片沉積薄膜的方向完全一致，從而提高了等離子體的利用率和氮化硅薄膜的沉積速率；2．本技術(shù)由于僅U型槽的開口處存在磁場(chǎng)，避免了因U型槽底部沉積過多的氮化硅薄膜而使得U型槽發(fā)生形變，從而保證了氮化硅薄膜的均勻性；3．本技術(shù)提高了氮化硅薄膜的沉積速率，從而提高了機(jī)臺(tái)的產(chǎn)能，降低了機(jī)臺(tái)的運(yùn)行成本；4．本技術(shù)操作和控制簡單，適于在所有類似設(shè)計(jì)的PECVD機(jī)臺(tái)上推廣。附圖說明圖1是本技術(shù)實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。其中：1、石墨框；2、硅片；3、U型槽；4、石英管；5、氨氣通氣孔；6、硅烷通氣孔；7、U型磁鐵。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本技術(shù)作進(jìn)一步描述：實(shí)施例一：參見圖1所示，一種提高板式PECVD鍍膜沉積速率的裝置，其包括石墨框1、等間距固定在石墨框下底面的復(fù)數(shù)塊硅片2、設(shè)置在石墨框下方的U型槽3、以及設(shè)置在U型槽內(nèi)的石英管4，所述U型槽的底部設(shè)有一氨氣通氣孔5，所述U型槽的兩個(gè)側(cè)翼上各設(shè)有一硅烷通氣孔6，所述U型槽的外圍還設(shè)有一U型磁鐵7，所述U型磁鐵的開口方向和U型槽的開口方向一致。本實(shí)施例中，所述石墨框下底面設(shè)有硅片固定槽，所述硅片固定在硅片固定槽中。所述復(fù)數(shù)塊硅片之間的間距為4~6mm。優(yōu)選為5mm。所述U型磁鐵與U型槽的底部及側(cè)壁為點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)。所述點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)處的U型磁鐵與U型槽的間隙小于2mm。所述U型磁鐵的截面為圓弧形結(jié)構(gòu)，所述圓弧形結(jié)構(gòu)的內(nèi)徑為15~25cm。需要指出的是，所述U型磁鐵的截面形狀還可以為橢圓弧形或是其他形狀，具體根據(jù)U型槽的尺寸進(jìn)行調(diào)整。所述U型磁鐵的厚度為5~8cm。所述氨氣通氣孔的孔徑為0.5~1.5mm。優(yōu)選為1mm。所述硅烷通氣孔的孔徑為0.5~1.5mm。優(yōu)選為1mm。本技術(shù)改變了磁鐵的形狀，為設(shè)置在U型槽外圍的U型磁鐵，U型磁鐵的開口方向和U型槽的開口方向一致，從而改變了現(xiàn)有的磁場(chǎng)方向，使得磁場(chǎng)方向和硅片沉積薄膜的方向完全一致，提高了等離子體的利用率和氮化硅薄膜的沉積速率，進(jìn)而提高了機(jī)臺(tái)的產(chǎn)能，降低了機(jī)臺(tái)的運(yùn)行成本，此外，避免了因U型槽底部沉積過多的氮化硅薄膜而使得U型槽發(fā)生形變，從而保證了氮化硅薄膜的均勻性。因此，本技術(shù)適于在所有類似設(shè)計(jì)的PECVD機(jī)臺(tái)上推廣。本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種提高板式PECVD鍍膜沉積速率的裝置，其包括石墨框（1）、等間距固定在石墨框下底面的復(fù)數(shù)塊硅片（2）、設(shè)置在石墨框下方的U型槽（3）、以及設(shè)置在U型槽內(nèi)的石英管（4），所述U型槽的底部設(shè)有一氨氣通氣孔（5），所述U型槽的兩個(gè)側(cè)翼上各設(shè)有一硅烷通氣孔（6），其特征在于：所述U型槽的外圍還設(shè)有一U型磁鐵（7），所述U型磁鐵的開口方向和U型槽的開口方向一致。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種提高板式PECVD鍍膜沉積速率的裝置，其包括石墨框（1）、等間距固定在石墨框下底面的復(fù)數(shù)塊硅片（2）、設(shè)置在石墨框下方的U型槽（3）、以及設(shè)置在U型槽內(nèi)的石英管（4），所述U型槽的底部設(shè)有一氨氣通氣孔（5），所述U型槽的兩個(gè)側(cè)翼上各設(shè)有一硅烷通氣孔（6），其特征在于：所述U型槽的外圍還設(shè)有一U型磁鐵（7），所述U型磁鐵的開口方向和U型槽的開口方向一致。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高板式PECVD鍍膜沉積速率的裝置，其特征在于：所述石墨框下底面設(shè)有硅片固定槽，所述硅片固定在硅片固定槽中。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高板式PECVD鍍膜沉積速率的裝置，其特征在于：所述復(fù)數(shù)塊硅片之間的間距為4~6mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高板式PECVD鍍膜沉積速率的裝置，其特征在于：所述U型磁鐵與U型槽的底...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：袁中存，黨繼東，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司，鹽城阿特斯協(xié)鑫陽光電力科技有限公司，
類型：新型
國別省市：江蘇;32
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