光傳感器和包括光傳感器的顯示設備制造技術

公開一種光傳感器和包括光傳感器的顯示設備。該光傳感器包括：包括具有傾斜表面的反射部的第一電極層；被置于第一電極層上的第一半導體層；被置于第一半導體層上的第二電極層；以及被順序地置于第二電極層上的第一介電層和第二介電層，其中第一介電層和第二介電層具有不同的介電常數值。此外，所公開的顯示設備包括被置于基底上的多個像素區域以及形成在多個像素區域中至少一些像素區域中的傳感器單元。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術的所描述的技術總地來說涉及光傳感器和包括光傳感器的顯示設備。
技術介紹
光傳感器通常應用于顯示設備，來實現諸如用戶反應檢測、環境光檢測、文件掃描和指紋掃描之類的功能。然而，即使光傳感器被包括在顯示設備中，但由于常規的光傳感器具有較低的感光效率，因此上面描述的功能不能順利進行。因此，難以直接將上面描述的功能應用到顯示設備。
技術實現思路
本公開提供了一種具有優異的感光效率的光傳感器和包括光傳感器的顯示設備。本公開提供了一種光傳感器，包括：包括具有傾斜表面的反射部的第一電極層；被置于第一電極層上的第一半導體層；被置于第一半導體層上的第二電極層；以及被順序地置于第二電極層上的第一介電層和第二介電層，其中第一介電層和第二介電層具有不同的介電常數值。第一介電層具有第一介電常數值，第二介電層具有第二介電常數值，第一介電常數值大于第二介電常數值。第一介電常數值與第二介電常數值的差可以在3至60的范圍內。第一介電層的第一介電常數值可以在10至60的范圍內。第一介電層可以包括從由氧化鉿(HfO2)、氧化釔(Y2O3)、氧化鍶(SrO)、氧化鋇(BaO)、氧化鈦(TiO)及其組合組成的組中選擇的至少一種。第二介電層的第二介電常數值可以是10或更小。第二介電層可以包括從由二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)及其組合組成的組中選擇的至少一種。反射部可以包括突起和凹陷。第二電極層可以包括從由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)及其組合組成的組中選擇的至少一種。第一半導體層可以包括從由氫化非晶硅、多晶硅以及包括鎵(Ga)、銦(In)、鋅(Zn)、鉿(Hf)和錫(Sn)的氧化物中的至少一種的氧化物半導體組成的組中選擇的至少一種。本公開提供了一種顯示設備，包括：被置于基底上的多個像素區域；以及形成在多個像素區域中的至少一些像素區域中的傳感器單元，其中傳感器單元包括根據本專利技術的一個示例性實施例的光傳感器。該光傳感器包括：包括具有傾斜表面的反射部的第一電極層；被置于第一電極層上的第一半導體層；被置于第一半導體層上的第二電極層；以及被順序地置于第二電極層上的第一介電層和第二介電層，其中第一介電層和第二介電層具有不同的介電常數值。第一介電層具有第一介電常數值，第二介電層具有第二介電常數值，并且第一介電常數值大于第二介電常數值。反射部可以包括突起和凹陷。多個像素區域可以分別包括發光部和電連接至發光部的薄膜晶體管，并且薄膜晶體管可以包括第二半導體層以及被置于第二半導體層上、與第二半導體層部分地重疊并彼此分離的源電極和漏電極。第二半導體層可以是包括鎵(Ga)、銦(In)、鋅(Zn)、鉿(Hf)和錫(Sn)的氧化物中的至少一種的氧化物半導體層。第二半導體層可以包括氧化銦鎵鋅，并且第一半導體層可以包括氫化非晶硅。源電極和漏電極可以被置于與第一電極層相同的層上。光傳感器可以是補償傳感器。光傳感器可以是觸摸傳感器。根據本專利技術的一個示例性實施例的光傳感器可以顯著提高感光效率。此外，由于根據本公開的光傳感器可以用作補償傳感器，因此在將光傳感器應用于顯示設備時，可以得到顯示設備的亮度均勻性。另一方面，由于根據本公開的光傳感器可以用作觸摸傳感器，因此當將光傳感器應用于顯示設備時，可以實現具有優異的觸摸感測功能并同時具有薄的厚度和優異的顯示質量的顯示設備。附圖說明根據下面結合附圖對優選實施例的詳細描述，本專利技術的示例性實施例可以被最好地理解，附圖中：圖1是根據本專利技術的一個示例性實施例的光傳感器的剖視圖；圖2是示出了根據本專利技術的一個示例性實施例的顯示設備的結構的框圖；圖3是根據本專利技術的一個示例性實施例的顯示設備的剖視圖；圖4至圖8是順序地示出了根據本專利技術的一個示例性實施例的顯示設備的制造工藝的圖；以及圖9和圖10是根據本專利技術的另一示例性實施例的顯示設備的剖視圖。由于圖1至圖10中的各圖旨在例示的目的，因此各圖中的元件不一定按比例繪制。例如，為了清楚的目的，一些元件可能被放大或夸大了。具體實施方式在下文中將參考其中示出了本專利技術的示例性實施例的附圖更充分地描述本公開。如本領域技術人員將認識到的，本專利技術的所描述的示例性實施例可以以各種不同的方式修改，所有這些都不脫離本公開的精神或范圍。貫穿本說明書，將理解的是，當例如層、膜、區域或基底的元件被稱為在另一元件“上”時，它可以直接在另一元件上，或者也可以存在中間元件。此外，在說明書中，“上”這個詞意味著被置于對象部分的上或下，而不是必然意味著被置于對象部分的基于重力方向的上側。另外，除非明確描述為相反，否則詞語“包括”及其變型將被理解為暗示包括所陳述的元件，但不排除任何其它元件。此外，為了更好理解和易于描述，圖中所示的每個結構的大小和厚度被任意地示出，但是本公開不限于此。此外，貫穿本說明書，由相同的附圖標記表示的部分意味著相同的組成元件。圖1是根據本專利技術的一個示例性實施例的光傳感器的剖視圖。參考圖1，根據本專利技術的一個示例性實施例的光傳感器201包括第一電極層250、第一半導體層251、第二電極層252、第一介電層310和第二介電層311。首先，第一電極層250被置于基底110上。在該例子中，基底110可以由諸如玻璃、金屬或PVC的硬質材料形成，然而其可以由諸如聚酰亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PA)或三乙酰纖維素(TAC)的柔性材料形成，不過不限于此。也就是說，在本公開中，基底110不受諸如種類、屬性或材料的各種物理屬性限制。用于防止雜質元素滲透并且用于平坦化基底110的表面的緩沖層120可被置于基底110上。在該例子中，緩沖層120可以由能夠執行這些功能的各種材料制成，并可以由單層、或者雙層或更多層的多層結構形成。例如，氮化硅(SiNx)層、氧化硅(SiOx)層或氮氧化硅(SiOxNy)層可被用作緩沖層120的形成材料，但不限于此。然而，緩沖層120不是必需的結構，可以根據基底110的種類和工藝條件被省略。柵極絕緣層140被設置在緩沖層120上。柵極絕緣層140可以包括正硅酸乙酯(TEOS)、氮化硅和氧化硅中的至少一種，并可以被制成為單層或多層。包括無機材料和有機材料中的至少一種的蝕刻停止層160被置于柵極絕緣層140上，并且蝕刻停止層160也可以形成為單層或多層。由于位于蝕刻停止層160上的第一電極層250包括位于局部區域上的、具有傾斜表面的反射部，因此蝕刻停止層160可包括與第一電極層250的反射部相對應的突起和凹陷。在一個可替代實施例中，第一電極層250將被置于其中的層不限于蝕刻停止層160。例如，緩沖層120、柵極絕緣層140和蝕刻停止層160中的至少一個可以被省略，并且在這種情況下，與第一電極層250的反射部相對應的突起和凹陷可以形成在第一電極層250將被置于其中的層上。例如，當緩沖層120、柵極絕緣層140和蝕刻停止層160都被省略時，與第一電極層250的反射部相對應的突起和凹陷可以形成在基底110上。接著，第一電極層250被置于蝕刻停止層160中形成有突起和凹陷的局部區域上。第一電極層250包括具有傾斜表面的反射部，并且可包括突起和凹陷。圖1示出了突起和凹本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種光傳感器，包括：第一電極層，包括具有傾斜表面的反射部；第一半導體層，被置于所述第一電極層上；第二電極層，被置于所述第一半導體層上；以及第一介電層和第二介電層，被順序地置于所述第二電極層上，其中所述第一介電層和所述第二介電層具有不同的介電常數值。

【技術特征摘要】
2015.09.23 KR 10-2015-01348571.一種光傳感器，包括：第一電極層，包括具有傾斜表面的反射部；第一半導體層，被置于所述第一電極層上；第二電極層，被置于所述第一半導體層上；以及第一介電層和第二介電層，被順序地置于所述第二電極層上，其中所述第一介電層和所述第二介電層具有不同的介電常數值。2.根據權利要求1所述的光傳感器，其中所述第一介電層具有第一介電常數值，所述第二介電層具有第二介電常數值，所述第一介電常數值大于所述第二介電常數值，并且所述第一介電常數值與所述第二介電常數值的差在3至60的范圍內。3.根據權利要求2所述的光傳感器，其中所述第一介電常數值在10至60的范圍內，并且所述第一介電層包括從由氧化鉿、氧化釔、氧化鍶、氧化鋇、氧化鈦及其組合組成的組中選擇的至少一種。4.根據權利要求2所述的光傳感器，其中所述第二介電常數值是10或更小，并且所述第二介電層包括從由二氧化硅、氮化硅及其組...

【專利技術屬性】
技術研發人員：林基主，金珉圣，阮成進，李在燮，
申請(專利權)人：三星顯示有限公司，
類型：發明
國別省市：韓國;KR