探針結構及其制造方法技術

本發明專利技術提出一種探針結構及其制造方法，探針結構包含一探針本體，探針本體包含一針尖部，針尖部包含一端面、二坡面與至少三凸塊，二坡面分別自端面的二側朝遠離端面的方向延伸，至少三凸塊凸設于端面，各凸塊與端面的連接處形成有導角，且相鄰二凸塊之間的間距大于或等于150微米。此外，本發明專利技術亦提出一種探針結構的制造方法。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種探針結構及其制造方法，特別涉及一種應用于集成電路測試的探針結構及其制造方法。
技術介紹
近年來，集成電路(integratedcircuit)的應用已逐漸普及，在集成電路制作完成后，為了能篩選出不良品，通常會通過測試裝置將測試信號傳送至集成電路來測試其功能是否符合預期，以控管集成電路的出廠良率。于此，現有的測試技術可藉由探針裝置直接與待測集成電路上的焊墊或是輸出入墊(I/Opad)直接接觸，藉由測試裝置經探針發送測試信號至集成電路進行檢測，再由探針將測試結果回送至測試裝置進行分析。探針本身由低電阻率的合金所制成，因此其電阻值一般而言非常小。因此當測試電流流過的時候，電流通過探針時所仍會產生的相當的熱能，在一般情況下，測試電流流過探針所產生的熱能并不會損害探針或者集成電路本身。然而一旦通過探針的電流超過探針本身所設計的耐受值時，并不至于對則探針本身將被加熱到高溫，導致探針本身或是待測元件集成電路因此受到熱傷害。傳統探針僅具有一針尖端，當測試電流流過時，所有電流均集中在探針的針尖端，此時探針的針尖端附近容易成為局部產生的高溫區容易而在測試過程中損壞探針本身，甚至是損壞集成電路。
技術實現思路
有鑒于此，本專利技術的目的在于提供一種探針結構及探針結構的制造方法，能夠通過凸塊分流的方式，解決現在技術的探針在進行測試時容易過熱的問題。本專利技術提出一種探針結構，其包含一探針本體，探針本體包含一針尖部，針尖部包含一端面、二坡面與至少三凸塊，二坡面分別自端面的二側朝遠離端面的方向延伸，至少三凸塊凸設于端面，各凸塊與端面的連接處形成有導角，且相鄰二凸塊之間的間距大于或等于150微米。本專利技術另提出一種探針結構，包含一探針本體與一金屬片。探針本體包含一針尖部，針尖部包含一端面與二坡面，二坡面分別自端面的二側朝遠離端面的方向延伸。金屬片包含一側表面與至少三凸塊，至少三凸塊凸設于側表面，各凸塊與側表面的連接處形成有導角，且相鄰二凸塊之間的間距大于或等于150微米。其中金屬片固接于針尖部的其中一坡面，且所述至少三凸塊均凸出于端面。本專利技術更提出一種探針結構的制造方法，包含：提供一金屬棒體，所述金屬棒體為實心且具有一第一端與一第二端；以線切割方式斜切所述第一端，而于所述第一端形成相對的二坡面；及以線切割方式沿所述二坡面的交會處進行切割，而于所述二坡面的交會處形成至少三凸塊，各所述凸塊的底部形成有導角，且相鄰二所述凸塊之間的間距大于或等于150微米。本專利技術另提出一種探針結構的制造方法，包含：提供一金屬棒體，金屬棒體為實心且具有一第一端與一第二端；以線切割方式斜切第一端，而于第一端形成相對的二坡面；焊接一金屬片于其中一坡面，且金屬片的一部分凸出于第一端；以線切割方式對金屬片凸出于第一端的部分進行切割，而于金屬片的所述部分形成朝金屬棒體的軸向凸出的至少三個凸塊，各凸塊的底部形成有導角，且相鄰二凸塊之間的間距大于或等于150微米。綜上所述，本專利技術上述提出的探針結構及探針結構的制造方法可通過凸塊分流的方式，解決現在技術的探針在進行測試時容易過熱的問題。以下結合附圖和具體實施例對本專利技術進行詳細描述，但不作為對本專利技術的限定。附圖說明圖1A為本專利技術的探針結構示意圖；圖1B為本專利技術的另一探針結構示意圖；圖2為本專利技術第一實施例的針尖部的立體示意圖；圖3為本專利技術第一實施例的針尖部的側視示意圖；圖4為本專利技術第一實施例的針尖部的前視示意圖；圖5為本專利技術第二實施例的針尖部的立體示意圖；圖6為本專利技術第二實施例的針尖部的側視示意圖；圖7為本專利技術第二實施例的針尖部的前視示意圖；圖8為本專利技術第三實施例的針尖部的側視示意圖；圖9為本專利技術第三實施例的針尖部的前視示意圖；圖10為根據本專利技術的探針結構的制造方法流程圖；圖11為根據本專利技術的另一探針結構的制造方法流程圖。其中，附圖標記10、90探針結構11、91探針本體111、211、311、911針尖部111a、211a、311a端面111b、211b、311b坡面111c、211c、311c坡面1111、2111、3111凸塊112、912針尾部113、913第一區段114第二區段33金屬片331a側表面W1、W2、W3間距R1導角θ1第一夾角θ2第二夾角θ3第三夾角步驟S01提供一金屬棒體步驟S02以線切割方式于金屬棒體的一端形成二坡面步驟S03以線切割方式于二坡面交會處形成至少三凸塊步驟T01提供一金屬棒體步驟T02以線切割方式于金屬棒體的一端形成二坡面步驟T03焊接一金屬片于其中一坡面步驟T04以線切割方式于金屬片的邊緣形成至少三凸塊具體實施方式下面結合附圖對本專利技術的結構原理和工作原理作具體的描述：請參照圖1A，為本專利技術的探針結構示意圖，所揭露的探針結構10包含探針本體11，探針本體11包含針尖部111、針尾部112、第一區段113與第二區段114。針尾部112直接連接于針尖部111，第一區段113的二端則分別連接于針尾部112與第二區段114。針尾部112與第一區段113定義了一第一夾角θ1，其是在150度至175度的范圍間。第一區段113與第二區段114定義了一第二夾角θ2，其是在75度至105度的范圍間。本實施例的針尖部111、針尾部112、第一區段113與第二區段114為一體成形的實心結構。另請參照圖1B，為本專利技術的另一探針結構的示意圖，所揭露的探針結構90包含探針本體91，探針本體91包含針尖部911、針尾部912及第一區段913。針尾部912的一端直接連接于針尖部911，另一端連接于第一區段913。針尾部912與第一區段913定義了一第三夾角θ3，其在110度至135度的范圍間。此外，針尖部911、針尾部912與第一區段913為一體成形的實心結構。為方便陳述，以下各實施例以探針結構10為基礎來說明，在此需特別說明，以下各實施例同樣亦可實現于探針結構90上。請進一步參照圖2至圖4，分別為本專利技術第一實施例的針尖部立體示意圖、側視示意圖與前視示意圖。本實施例的針尖部111包含一端面111a、坡面111b、坡面111c與至少三個凸塊1111。坡面111b與坡面111c分別自端面111a的二側朝遠離端面111a的方向延伸。至少三凸塊1111凸設于端面111a，且各個凸塊1111與端面111a的連接處形成有導角R1。相鄰二凸塊1111之間的間距W1大于或等于150微米。當探針結構10應用于集成電路的測試時，凸塊1111必須插入金屬焊墊中。由于金屬焊墊表面常常形成有氧化層，因此凸塊1111的抗壓強度必須夠高始足以令其穿過硬度較高的氧化層。本實施例的各個凸塊1111與端面111a的連接處均行成有導角R1，如此一來，在凸塊1111穿透金屬焊墊表面的過程中，凸塊1111與端面111a的連接處便不容易因為應力集中而發生破壞。進一步來說，本案的一根探針結構10是對應單一個金屬焊墊，因此探針結構10的所有凸塊1111是同時對應單一個金屬焊墊。此外，探針結構10于集成電路測試過程中，電流縱使會先被各個凸塊1111分流，然后再自端面111a匯入探針本體11。然而電流流經凸塊1111時仍會因歐姆定律而發熱，倘若凸塊1111彼此間的間距W1過近，則凸塊1111之間可能會有散熱不良的現象產生。以黃銅合金制成的探針本體11本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種探針結構，其特征在于，包含：一探針本體，包含一針尖部，所述針尖部包含一端面、二坡面與至少三凸塊，所述二坡面分別自所述端面的二側朝遠離所述端面的方向延伸，所述至少三凸塊凸設于所述端面，各所述凸塊與所述端面的連接處形成有導角，且相鄰二所述凸塊之間的間距大于或等于150微米。

【技術特征摘要】
2015.09.21 TW 1041311951.一種探針結構，其特征在于，包含：一探針本體，包含一針尖部，所述針尖部包含一端面、二坡面與至少三凸塊，所述二坡面分別自所述端面的二側朝遠離所述端面的方向延伸，所述至少三凸塊凸設于所述端面，各所述凸塊與所述端面的連接處形成有導角，且相鄰二所述凸塊之間的間距大于或等于150微米。2.一種探針結構，其特征在于，包含：一探針本體，包含一針尖部，所述針尖部包含一端面與二坡面，所述二坡面分別自所述端面的二側朝遠離所述端面的方向延伸；及一金屬片，所述金屬片包含一側表面與至少三凸塊，所述至少三凸塊凸設于所述側表面，各所述凸塊與所述端面的連接處形成有導角，且相鄰二凸塊之間的間距大于或等于150微米；其中所述金屬片固接于所述針尖部的其中一所述坡面，且所述至少三凸塊凸出于所述端面。3.根據權利要求1或2所述的探針結構，其特征在于，各所述凸塊的整體外觀為矩形錐狀。4.根據權利要求1或2所述的探針結構，其特征在于，各所述凸塊的整體外觀為矩形柱狀。5.根據權利要求1或2所述的探針結構，其特征在于，所述二坡面分別為二平面。6.根據權利要求1或2所述的探針結構，其特征在于，所述二坡面分別為一平面與一曲面。7.根據權利要求1或2所述的探針結構，其特征在于，各所述凸塊的外表面鍍有一低電阻層，所述低電阻層的材質為金、銀、石墨烯、銥、鈀或鈷。8.根據權利要求1或2所述的探針結構，其特征在于，所述探針本體更包含一針尾部、一第一區段與一第二區段，所述針尾部連接于所述針尖部，所述第一區段的二端分別連...

【專利技術屬性】
技術研發人員：蔡錦溢，陳建宏，余陳志，
申請(專利權)人：旺矽科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣;71