雙圈結構的NFC天線以及使用該天線的手機制造技術

本實用新型專利技術提供了一種雙圈結構的NFC天線以及使用該天線的手機，左側單圈和右側單圈所構成的輻射結構，所述左側單圈和右側單圈分別包括：銅質走線、銅質走線過孔、NFC天線饋點；所述NFC天線饋點位于銅質走線的一端，銅質走線的另一端穿過銅質走線過孔。本實用新型專利技術的NFC天線具備雙圈結構能夠形成二個同向的磁場，在相同面積下比單圈的NFC天線擁有更佳的NFC性能，減少手機讀取卡片產生的盲區，解決NFC手機讀小卡成功率不高的問題。本實用新型專利技術中的NFC天線能夠安裝在手機的金屬后殼上，占據的手機空間小，進一步減小了手機的厚度。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及NFC天線領域，具體地，涉及一種雙圈結構的NFC天線以及使用該天線的手機。
技術介紹
NFC英文全稱NearFieldCommunication，是一種近場無線通訊天線，能夠提供安全、迅速的通信的無線連接。NFC具有距離近、帶寬高、能耗低等特點，并且與現有非接觸智能卡技術兼容，從而逐漸成為越來越多廠商的正式標準。NFC在門禁、公交、手機支付等領域內發揮著巨大的作用。大部分NFC手機為內置NFC芯片，外加NFC天線，目前主流NFC天線走線為單圈形式，但是單圈形式的NFC性能遠不及雙圈NFC天線。同面積大小的雙圈結構NFC天線能夠形成二個同向的磁場，因此擁有更佳的NFC性能，對于NFC手機去讀取卡片會產生更少的盲區，從而能解決NFC手機讀小卡成功率不高的問題。雙圈結構的NFC天線具有良好的外觀和優秀的射頻性能。經檢索：申請號為201010555387.9，專利技術名稱為“一種NFC天線及使用該天線的手機”，所述天線包括兩個NFC天線線圈，這兩個NFC天線線圈通過兩條平行雙導線在同一平面內并接，并在所述平行雙導線中點各引出一個用于連接天線匹配電路的饋電端。所述手機包括：手機PCB主板、NFC芯片、天線匹配電路和NFC天線。本技術所述NFC天線及手機，通過設置兩個NFC天線線圈，使用兩條平行雙導線在同一平面內將兩個NFC天線線圈并接，并在平行雙導線中點各引出一個用于連接天線匹配電路的饋電端，使得在無需增加鐵氧體材料及無需增加天線線圈匝數的情況下，依靠天線自身就可以增強磁場感應強度，有效降低了手機厚度及手機制作成本。本技術與上述文獻中的NFC天線結構不同，本技術通過走線方式形成兩個圈結構，實際屬于一個NFC天線，這種雙圈結構可以增大磁通量，使NFC性能有效提升，雙圈結構的NFC天線在抗電磁干擾能力好于單圈NFC天線，雙圈NFC天線與傳統單圈NFC天線相比，有著良好的外觀和有效提升天線的射頻性能。經檢索：申請號：201320337371.X，名稱為“一種雙C結構的NFC天線”，該雙C結構的NFC天線包括支撐屏蔽部分、NFC線圈以及雙C結構；所述NFC線圈位于所述支撐屏蔽部分上，并與所述支撐屏蔽部分相連接，所述支撐屏蔽部分包括支撐介質和磁性材料，且該支撐介質位于磁性材料和所述NFC線圈之間；所述雙C結構位于所述NFC線圈的正上方，并與所述支撐屏蔽部分和所述NFC線圈平行放置，且該NFC線圈與雙C結構之間的垂直距離為0.5mm-2mm，且雙C結構的面積均大于所述NFC線圈和所述支撐屏蔽部分的面積，從而能夠充分耦合NFC線圈產生的近場，降低電流路徑損耗，并提高NFC天線的通訊距離。本技術與上述文獻中的NFC天線結構不同，上述文獻中的NFC天線結構復雜，需要設置支撐屏蔽部分，且其中的雙C結構不屬于NFC天線主體，而是通過耦合NFC天線的近場來提升NFC天線的通訊距離。
技術實現思路
針對現有技術中的缺陷，本技術的目的是提供一種雙圈結構的NFC天線以及使用該天線的手機。根據本技術提供的雙圈結構的NFC天線，其特征在于，包括：左側單圈和右側單圈所構成的輻射結構，所述左側單圈和右側單圈均包括：銅質走線、銅質走線過孔、NFC天線饋點；所述NFC天線饋點位于銅質走線的一端，銅質走線的另一端穿過銅質走線過孔。優選地，左側單圈中的NFC天線饋點記為NFC天線第一饋點，右側單圈中的NFC天線饋點記為NFC天線第二饋點，左側單圈中的銅質走線記為左側銅質走線，右側單圈中的銅質走線記為右側銅質走線，左側單圈中的銅質走線過孔記為銅質走線第一過孔，右側單圈中的銅質走線過孔記為銅質走線第二過孔；其中：所述NFC天線第一饋點位于左側銅質走線的一端，所述左側銅質走線的另一端通過銅質走線第一過孔，所述左側銅質走線的軌跡形成雙圈NFC天線的左側輻射體；所述NFC天線第二饋點位于右側銅質走線的一端，所述右側銅質走線的另一端通過銅質走線第二過孔，所述右側銅質走線的軌跡形成雙圈NFC天線的右側輻射體。優選地，所述左側銅質走線的軌跡包含多個不重疊的線圈結構，且相鄰線圈之間留有縫隙。優選地，所述右側銅質走線的軌跡包含多個不重疊的線圈結構，且相鄰線圈之間留有縫隙。優選地，左側銅質走線的軌跡所構成的線圈呈矩形結構，且所述NFC天線第一饋點位于該線圈的外端。優選地，右側銅質走線的軌跡所構成的線圈呈矩形結構，且所述NFC天線第二饋點位于線圈的外端。優選地，NFC天線第一饋點與NFC天線第二饋點之間相鄰并留有一段縫隙。優選地，左側銅質走線的線寬度大于或者等于右側銅質走線的線寬度，具體地，當左側銅質走線和右側銅質走線所包含的線圈個數不一致，相應的左側銅質走線和右側銅質走線的線寬度也不一致。根據本技術提供的手機，使用上述的雙圈結構的NFC天線，手機的金屬后殼上安裝有雙圈結構的NFC天線，所述雙圈結構的NFC天線通過NFC天線饋點連接至手機中的NFC電路。與現有技術相比，本技術具有如下的有益效果：1、本技術的NFC天線具備雙圈結構能夠形成二個同向的磁場，在相同面積下比單圈的NFC天線擁有更佳的NFC性能，減少手機讀取卡片產生的盲區，解決NFC手機讀小卡成功率不高的問題。2、本技術提供的雙圈結構的NFC天線能夠安裝在手機的金屬后殼上，占據的手機空間小，進一步減小了手機的厚度。附圖說明通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本技術的其它特征、目的和優點將會變得更明顯：圖1為常規單圈NFC天線簡化結構示意圖。圖2為本技術提供的雙圈NFC天線簡化結構示意圖。圖3為本技術提供的雙圈NFC天線產生的虛擬磁場示意圖。圖4為本技術提供的雙圈NFC天線的其他形式結構示意圖。圖中：1-NFC天線第一饋點；2-左側銅質走線；3-銅質走線第一過孔；4-銅質走線第二過孔；5-右側銅質走線6-NFC天線第二饋點。具體實施方式下面結合具體實施例對本技術進行詳細說明。以下實施例將有助于本領域的技術人員進一步理解本技術，但不以任何形式限制本技術。應當指出的是，對本領域的普通技術人員來說，在不脫離本技術構思的前提下，還可以做出若干變化和改進。這些都屬于本技術的保護范圍。本技術提供的雙圈結構的NFC天線能夠有效的利用NFC天線面積，形成二個同向磁場，解決NFC手機讀小卡盲區問題，外光良好，性能優越。如圖2所示，本技術提供的雙圈結構的NFC天線，包括由銅質走線、銅質走線過孔、NFC天線饋點所形成的PCB或FPC的NFC天線。具體地，所述雙圈結構的NFC天線，包括：NFC天線第一饋點1、NFC天線第二饋點6、左側銅質走線2、右側銅質走線5、銅質走線第一過孔3以及銅質走線第二過孔4；所述NFC天線第一饋點1位于左側銅質走線2的一端，所述左側銅質走線2的另一端通過銅質走線第一過孔3，所述左側銅質走線2的軌跡形成雙圈NFC天線的左側單圈，其中，所述左側銅質走線2的軌跡為連續的兩個不重疊的線圈結構，且所述兩個線圈之間留有縫隙。由左側銅質走線2的軌跡所構成的線圈呈矩形結構，且所述NFC天線第一饋點1位于線圈的外端。所述NFC天線第二饋點6位于右側銅質走線5的一端，所述右側銅質走線5的另一端通過銅質走線第二過孔4，本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種雙圈結構的NFC天線，其特征在于，包括：左側單圈和右側單圈所構成的輻射結構，所述左側單圈和右側單圈均包括：銅質走線、銅質走線過孔、NFC天線饋點；所述NFC天線饋點位于銅質走線的一端，銅質走線的另一端穿過銅質走線過孔。

【技術特征摘要】
1.一種雙圈結構的NFC天線，其特征在于，包括：左側單圈和右側單圈所構成的輻射結構，所述左側單圈和右側單圈均包括：銅質走線、銅質走線過孔、NFC天線饋點；所述NFC天線饋點位于銅質走線的一端，銅質走線的另一端穿過銅質走線過孔。2.根據權利要求1所述的雙圈結構的NFC天線，其特征在于，左側單圈中的NFC天線饋點記為NFC天線第一饋點(1)，右側單圈中的NFC天線饋點記為NFC天線第二饋點(6)，左側單圈中的銅質走線記為左側銅質走線(2)，右側單圈中的銅質走線記為右側銅質走線(5)，左側單圈中的銅質走線過孔記為銅質走線第一過孔(3)，右側單圈中的銅質走線過孔記為銅質走線第二過孔(4)；其中：所述NFC天線第一饋點(1)位于左側銅質走線(2)的一端，所述左側銅質走線(2)的另一端通過銅質走線第一過孔(3)，所述左側銅質走線(2)的軌跡形成雙圈NFC天線的左側輻射體；所述NFC天線第二饋點(6)位于右側銅質走線(5)的一端，所述右側銅質走線(5)的另一端通過銅質走線第二過孔(4)，所述右側銅質走線(5)的軌跡形成雙圈NFC天線的右側輻射體。3.根據權利要求2所述的雙圈結構的NFC天線，其特征在于，所述左側銅質走線(2)的軌跡包含多個不重疊的線圈結...

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳佳南，曾長財，潘英鶴，馬超，
申請(專利權)人：上海德門電子科技有限公司，
類型：新型
國別省市：上海;31