用于電子器件的材料制造技術(shù)

本申請(qǐng)涉及具有呈特定空間排列的官能取代基的通式(1)化合物，包含其的器件，以及其制備和用途。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】本專利技術(shù)涉及具有電子傳導(dǎo)和空穴傳導(dǎo)基團(tuán)的特定排列的環(huán)狀化合物，涉及其在電子器件中的用途，涉及其制造，和涉及電子器件。例如在US4539507、US5151629、EP0676461和WO98/27136中描述了其中使用有機(jī)半導(dǎo)體作為功能材料的有機(jī)電致發(fā)光器件(例如OLED–有機(jī)發(fā)光二極管，或OLEC–有機(jī)發(fā)光電化學(xué)電池)的結(jié)構(gòu)。除了熒光發(fā)光體之外，此處使用的發(fā)光材料越來(lái)越多地是顯示磷光的有機(jī)金屬絡(luò)合物(M.A.Baldo等,Appl.Phys.Lett.(應(yīng)用物理快報(bào))1999,75,4-6)。出于量子力學(xué)原因，利用有機(jī)金屬化合物作為磷光發(fā)光體可實(shí)現(xiàn)高達(dá)四倍的能量和功率效率增加。一般說(shuō)來(lái)，在顯示單重態(tài)發(fā)光的OLED的情況下以及在顯示三重態(tài)發(fā)光的OLED的情況下，特別是在效率、工作電壓和壽命方面仍需要改進(jìn)。這特別適用于在相對(duì)短波區(qū)域、即綠光區(qū)域和特別是藍(lán)光區(qū)域發(fā)光的OLED。有機(jī)電致發(fā)光器件的特性不是僅由使用的發(fā)光體決定的。特別是，使用的其它材料如主體和基質(zhì)材料、空穴阻擋材料、電子傳輸材料、空穴傳輸材料和電子或激子阻擋材料在此也是特別重要的。這些材料的改進(jìn)可以產(chǎn)生電致發(fā)光器件的顯著改進(jìn)。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，尤其使用酮(例如根據(jù)WO2004/093207或WO2010/006680)或氧化膦(例如根據(jù)WO2005/003253)作為磷光發(fā)光體的基質(zhì)材料。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的其它基質(zhì)材料是三嗪(例如WO2008/056746、EP0906947、EP0908787、EP0906948)。對(duì)于熒光OLED，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)尤其使用稠合芳族化合物、特別是蒽衍生物作為特別是用于發(fā)藍(lán)光的電致發(fā)光器件的主體材料，例如9,10-雙(2-萘基)蒽(US5935721)。WO03/095445和CN1362464公開(kāi)了用于OLED中的9,10-雙(1-萘基)蒽衍生物。在WO01/076323、WO01/021729、WO2004/013073、WO2004/018588、WO2003/087023或WO2004/018587中公開(kāi)了其它蒽衍生物。在WO2004/016575中公開(kāi)了基于芳基取代的芘和的主體材料。在WO2008/145239中公開(kāi)了基于苯并蒽衍生物的主體材料。對(duì)于高品質(zhì)應(yīng)用，希望有改進(jìn)型主體材料可用。現(xiàn)有技術(shù)公開(kāi)了含有一個(gè)或多個(gè)咔唑基因的化合物在電子器件中的使用，例如在WO2005/039246、US2005/0069729、JP2004/288381、EP1205527或WO2008/086851中公開(kāi)。此外，現(xiàn)有技術(shù)公開(kāi)了含有一個(gè)或多個(gè)茚并咔唑基團(tuán)的化合物在電子器件中的使用，例如在WO2010/136109和WO2011/000455中公開(kāi)。此外，現(xiàn)有技術(shù)公開(kāi)了含有一個(gè)或多個(gè)缺電子的雜芳族六元環(huán)的化合物在電子器件中的使用，例如在WO2010/015306、WO2007/063754和WO2008/056746中公開(kāi)。WO2009/069442公開(kāi)了被缺電子的雜芳族基團(tuán)(例如吡啶、嘧啶或三嗪)高度取代的三環(huán)化合物如咔唑、二苯并呋喃或二苯并噻吩。所述三環(huán)化合物未被空穴傳導(dǎo)基團(tuán)、即富電子基團(tuán)取代。JP2009-21336公開(kāi)了被取代的咔唑作為基質(zhì)材料，其中所述咔唑被電子傳導(dǎo)基團(tuán)和空穴傳導(dǎo)基團(tuán)取代。然而，所述化合物不具有面對(duì)面取代。WO2011/057706公開(kāi)了被取代的咔唑作為基質(zhì)材料，其中所述咔唑被電子傳導(dǎo)基團(tuán)和空穴傳導(dǎo)基團(tuán)取代。然而，所公開(kāi)的大部分咔唑不具有面對(duì)面取代。然而，在偶爾公開(kāi)的面對(duì)面排列的情況下，所述空穴傳導(dǎo)基團(tuán)或電子傳導(dǎo)基團(tuán)直接鍵合至三環(huán)化合物。然而，與使用其它材料的情況一樣，在使用這些材料時(shí)，特別是在器件的效率和壽命方面仍需要改進(jìn)。因此，本專利技術(shù)的目的是提供如下的化合物，其適合用于熒光或磷光OLED中，例如作為主體材料和/或基質(zhì)材料或作為空穴傳輸/電子阻擋材料或激子阻擋材料或作為電子傳輸或空穴阻擋材料，并且當(dāng)其用于OLED中時(shí)產(chǎn)生良好的器件性質(zhì)，以及提供相應(yīng)的電子器件。出人預(yù)料地，已發(fā)現(xiàn)下文更詳細(xì)描述的特定化合物實(shí)現(xiàn)這些目的并且產(chǎn)生有機(jī)電致發(fā)光器件的特別是在壽命、效率和工作電壓方面的良好性質(zhì)。因此，本專利技術(shù)涉及包含這種類型的化合物的電子器件，特別是有機(jī)電致發(fā)光器件，和涉及相應(yīng)的優(yōu)選化合物。通過(guò)下文所示式的化合物中的電子傳導(dǎo)和空穴傳導(dǎo)基團(tuán)的特定排列(基團(tuán)的“面對(duì)面”排列)，實(shí)現(xiàn)出人預(yù)料的效果。不受理論束縛的情況下，快速的電荷傳輸可能是由于分子的比較明確(高度有序)的平行對(duì)齊(面對(duì)面排列)，其中存在分子的特定近程排序。由于基團(tuán)彼此之間的小的間隔，分子間相互作用，例如直接π-π相互作用，也可能是快速電荷轉(zhuǎn)移的原因。根據(jù)本專利技術(shù)的化合物也具有高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)，這在電子器件的制造中在化合物的加工方面是有利的。所述化合物的高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度也允許在薄的非晶質(zhì)有機(jī)層中使用所述化合物。此外，根據(jù)本專利技術(shù)的化合物允許處于激發(fā)態(tài)的電荷載流子的穩(wěn)定化并具有足夠高的三重態(tài)能量，其代表著磷光器件的重要前提。此外，與來(lái)自現(xiàn)有技術(shù)的化合物相比，根據(jù)本專利技術(shù)的化合物在OLED中表現(xiàn)出改進(jìn)的性能數(shù)據(jù)。因此，本專利技術(shù)涉及通式(1)化合物其中以下適用于所用的符號(hào)和標(biāo)記：A和A'彼此相同或不同地是具有5或6個(gè)環(huán)原子并可被一個(gè)或多個(gè)可彼此獨(dú)立的基團(tuán)R1取代的芳族或雜芳族環(huán)；ETG是來(lái)自缺電子雜芳族基團(tuán)的有機(jī)電子傳輸基團(tuán)(ETG)，其中所述ETG優(yōu)選是具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳基基團(tuán)，其中氮原子代表非常優(yōu)選的雜原子，非常特別優(yōu)選的ETG選自基團(tuán)三嗪、嘧啶、吡嗪、吡唑、噠嗪、喹啉、異喹啉、噻唑、苯并噻唑、唑、苯并唑、咪唑、苯并咪唑和吡啶，其中所述基團(tuán)ETG可被一個(gè)或多個(gè)彼此獨(dú)立的基團(tuán)R1取代；Z是單鍵或二價(jià)基團(tuán)；如果Z是單鍵，則所述基團(tuán)ETG與環(huán)A的碳原子直接鍵合；V是單鍵、C＝O、C(R1)2、NAr3、O、S、Si(R1)2、BR1、PR1、P(＝O)R1、SO或SO2，其中，在單鍵的情況下，環(huán)A和A'的碳原子通過(guò)單鍵彼此直接連接，其中單鍵、C(R1)2、NAr3、O和S是優(yōu)選的，其中單鍵、C(R1)2、O和S是非常優(yōu)選的，其中O和S是非常特別優(yōu)選的，其中O是尤其優(yōu)選的；W是單鍵、C＝O、C(R1)2、NR1、O、S、Si(R1)2、BR1、PR1、P(＝O)R1、SO或SO2，其中，在單鍵的情況下，環(huán)A和A'的碳原子通過(guò)單鍵彼此直接連接，其中單鍵、C(R1)2、NR1、O和S是優(yōu)選的，其中單鍵、C(R1)2、O和S是本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種通式(1)化合物其中以下適用于所用的符號(hào)和標(biāo)記：A和A'彼此相同或不同地是具有5或6個(gè)環(huán)原子并可被一個(gè)或多個(gè)可彼此獨(dú)立的基團(tuán)R1取代的芳族或雜芳族環(huán)；ETG是來(lái)自缺電子雜芳族基團(tuán)的有機(jī)電子傳輸基團(tuán)(ETG)，其中所述ETG優(yōu)選是具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳基基團(tuán)，其中氮原子代表非常優(yōu)選的雜原子，非常特別優(yōu)選的ETG選自基團(tuán)三嗪、嘧啶、吡嗪、吡唑、噠嗪、喹啉、異喹啉、噻唑、苯并噻唑、唑、苯并唑、咪唑、苯并咪唑和吡啶，其中所述基團(tuán)ETG可被一個(gè)或多個(gè)彼此獨(dú)立的基團(tuán)R1取代；Z是單鍵或二價(jià)基團(tuán)；如果Z是單鍵，則所述基團(tuán)ETG與環(huán)A的碳原子直接鍵合；V是單鍵、C＝O、C(R1)2、NAr3、O、S、Si(R1)2、BR1、PR1、P(＝O)R1、SO或SO2，其中，在單鍵的情況下，環(huán)A和A'的碳原子通過(guò)單鍵彼此直接連接，其中單鍵、C(R1)2、NAr3、O和S是優(yōu)選的，其中單鍵、C(R1)2、O和S是非常優(yōu)選的，其中O和S是非常特別優(yōu)選的，其中O是尤其優(yōu)選的；W是單鍵、C＝O、C(R1)2、NR1、O、S、Si(R1)2、BR1、PR1、P(＝O)R1、SO或SO2，其中，在單鍵的情況下，環(huán)A和A'的碳原子通過(guò)單鍵彼此直接連接，其中單鍵、C(R1)2、NR1、O和S是優(yōu)選的，其中單鍵、C(R1)2、O和S是非常優(yōu)選的，其中O和S是非常特別優(yōu)選的，其中O是尤其優(yōu)選的；m是0或1；n是0或1，其中m＝n；Ar3是具有5至30個(gè)環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)或環(huán)系，其中所述環(huán)或環(huán)系在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R2取代，所述基團(tuán)R2可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R3取代，其中兩個(gè)或更多個(gè)基團(tuán)R2可彼此形成閉環(huán)；R1在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，N(R2)2，CN，NO2，Si(R2)3，B(OR2)2，C(＝O)R2，P(＝O)(R2)2，S(＝O)R2，S(＝O)2R2，OSO2R2，具有1至40個(gè)C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，或具有2至40個(gè)C原子的直鏈烯基或炔基基團(tuán)，或具有3至40個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷基烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R2取代，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的CH2基團(tuán)可被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、P(＝O)(R2)、SO、SO2、NR2、O、S或CONR2代替，并且其中一個(gè)或多個(gè)H原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R2取代，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳氧基、芳基烷氧基或雜芳氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R2取代，或具有10至40個(gè)芳族環(huán)原子的二芳基氨基基團(tuán)、二雜芳基氨基基團(tuán)或芳基雜芳基氨基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R2取代，或這些基團(tuán)中的兩種或更多種的組合，或可交聯(lián)的基團(tuán)Q；此處兩個(gè)或更多個(gè)相鄰的基團(tuán)R1可彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系，其中優(yōu)選兩個(gè)或更多個(gè)相鄰的基團(tuán)R1不彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系；R2在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，N(R3)2，CN，NO2，Si(R3)3，B(OR3)2，C(＝O)R3，P(＝O)(R3)2，S(＝O)R3，S(＝O)2R3，OSO2R3，具有1至40個(gè)C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，或具有2至40個(gè)C原子的直鏈烯基或炔基基團(tuán)，或具有3至40個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷基烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R3取代，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的CH2基團(tuán)可被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3代替，并且其中一個(gè)或多個(gè)H原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R3取代，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳氧基、芳基烷氧基或雜芳氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R3取代，或具有10至40個(gè)芳族環(huán)原子的二芳基氨基基團(tuán)、二雜芳基氨基基團(tuán)或芳基雜芳基氨基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R3取代，或這些基團(tuán)中的兩種或更多種的組合；此處兩個(gè)或更多個(gè)相鄰的基團(tuán)R2可彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系；R3在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是H，D，F(xiàn)，或具有1至20個(gè)C原子的脂族、芳族和/或雜芳族烴基團(tuán)，其中一個(gè)或多個(gè)H原子還可被F代替；此處兩個(gè)或更多個(gè)取代基R3還可彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系；p是1至7、優(yōu)選1至4、非常優(yōu)選1至3、...

【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】2013.10.08 EP 13004837.41.一種通式(1)化合物
其中以下適用于所用的符號(hào)和標(biāo)記：
A和A'
彼此相同或不同地是具有5或6個(gè)環(huán)原子并可被一個(gè)或多個(gè)可彼此獨(dú)立的基團(tuán)R1取代的
芳族或雜芳族環(huán)；
ETG
是來(lái)自缺電子雜芳族基團(tuán)的有機(jī)電子傳輸基團(tuán)(ETG)，其中所述ETG優(yōu)選是具有5至60
個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳基基團(tuán)，其中氮原子代表非常優(yōu)選的雜原子，非常特別優(yōu)選的ETG選自
基團(tuán)三嗪、嘧啶、吡嗪、吡唑、噠嗪、喹啉、異喹啉、噻唑、苯并噻唑、唑、苯并唑、咪唑、苯
并咪唑和吡啶，其中所述基團(tuán)ETG可被一個(gè)或多個(gè)彼此獨(dú)立的基團(tuán)R1取代；
Z
是單鍵或二價(jià)基團(tuán)；如果Z是單鍵，則所述基團(tuán)ETG與環(huán)A的碳原子直接鍵合；
V
是單鍵、C＝O、C(R1)2、NAr3、O、S、Si(R1)2、BR1、PR1、P(＝O)R1、SO或SO2，其中，在單鍵的情
況下，環(huán)A和A'的碳原子通過(guò)單鍵彼此直接連接，其中單鍵、C(R1)2、NAr3、O和S是優(yōu)選的，其
中單鍵、C(R1)2、O和S是非常優(yōu)選的，其中O和S是非常特別優(yōu)選的，其中O是尤其優(yōu)選的；
W
是單鍵、C＝O、C(R1)2、NR1、O、S、Si(R1)2、BR1、PR1、P(＝O)R1、SO或SO2，其中，在單鍵的情
況下，環(huán)A和A'的碳原子通過(guò)單鍵彼此直接連接，其中單鍵、C(R1)2、NR1、O和S是優(yōu)選的，其中
單鍵、C(R1)2、O和S是非常優(yōu)選的，其中O和S是非常特別優(yōu)選的，其中O是尤其優(yōu)選的；
m
是0或1；
n
是0或1，
其中m＝n；
Ar3是具有5至30個(gè)環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)或環(huán)系，其中所述環(huán)或環(huán)系在每種情況下可
被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R2取代，所述基團(tuán)R2可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R3取代，其中兩個(gè)或更多個(gè)基團(tuán)
R2可彼此形成閉環(huán)；
R1在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，N(R2)2，CN，NO2，Si(R2)3，B(OR2)2，C(＝O)
R2，P(＝O)(R2)2，S(＝O)R2，S(＝O)2R2，OSO2R2，具有1至40個(gè)C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代
烷氧基基團(tuán)，或具有2至40個(gè)C原子的直鏈烯基或炔基基團(tuán)，或具有3至40個(gè)C原子的支鏈或
環(huán)狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷基烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一
個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R2取代，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的CH2基團(tuán)可被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、Ge
(R2)2、Sn(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、P(＝O)(R2)、SO、SO2、NR2、O、S或CONR2代替，并且其
中一個(gè)或多個(gè)H原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或
雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R2取代，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原
子的芳氧基、芳基烷氧基或雜芳氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R2取代，或具有10
至40個(gè)芳族環(huán)原子的二芳基氨基基團(tuán)、二雜芳基氨基基團(tuán)或芳基雜芳基氨基基團(tuán)，所述基
團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R2取代，或這些基團(tuán)中的兩種或更多種的組合，或可交聯(lián)的基團(tuán)Q；
此處兩個(gè)或更多個(gè)相鄰的基團(tuán)R1可彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系，其中優(yōu)選兩個(gè)
或更多個(gè)相鄰的基團(tuán)R1不彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系；
R2在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，N(R3)2，CN，NO2，Si(R3)3，B(OR3)2，C(＝O)
R3，P(＝O)(R3)2，S(＝O)R3，S(＝O)2R3，OSO2R3，具有1至40個(gè)C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代
烷氧基基團(tuán)，或具有2至40個(gè)C原子的直鏈烯基或炔基基團(tuán)，或具有3至40個(gè)C原子的支鏈或
環(huán)狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷基烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一
個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R3取代，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的CH2基團(tuán)可被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge
(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3代替，并且其
中一個(gè)或多個(gè)H原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或
雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R3取代，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原
子的芳氧基、芳基烷氧基或雜芳氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R3取代，或具有10
至40個(gè)芳族環(huán)原子的二芳基氨基基團(tuán)、二雜芳基氨基基團(tuán)或芳基雜芳基氨基基團(tuán)，所述基
團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R3取代，或這些基團(tuán)中的兩種或更多種的組合；此處兩個(gè)或更多個(gè)
相鄰的基團(tuán)R2可彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系；
R3在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是H，D，F(xiàn)，或具有1至20個(gè)C原子的脂族、芳族和/或雜芳族
烴基團(tuán)，其中一個(gè)或多個(gè)H原子還可被F代替；此處兩個(gè)或更多個(gè)取代基R3還可彼此形成單
環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系；
p
是1至7、優(yōu)選1至4、非常優(yōu)選1至3、特別優(yōu)選1或2、非常特別優(yōu)選正好為2和尤其優(yōu)選正
好為1的整數(shù)；
R4在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是N(R2)2，Si(R2)3，B(OR2)2，C(＝O)R2，P(＝O)(R2)2，S(＝O)
R2，S(＝O)2R2，OSO2R2，具有1至40個(gè)C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，或具有2至
40個(gè)C原子的直鏈烯基或炔基基團(tuán)，或具有3至40個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烯基、炔基、
烷氧基、烷基烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R2取代，其
中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的CH2基團(tuán)可被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C＝O、C＝S、C
＝Se、C＝NR2、P(＝O)(R2)、SO、SO2、NR2、...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：埃米爾·侯賽因·帕勒姆，伊里娜·馬丁諾娃，安雅·雅提斯奇，托馬斯·埃伯利，喬納斯·瓦倫丁·克羅巴，克里斯托夫·普夫盧姆，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：默克專利有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：德國(guó);DE