【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及通信
，尤其涉及一種適用于硅光調制器的高速率高擺幅的驅動器電路。
技術介紹
隨著通信技術的發展，現代社會對信息的需求量呈指數增長，在短距離通信方面，隨著芯片尺寸的不斷減小，速度不斷提高，傳統電互連技術面臨寄生效應加劇、傳輸帶寬受限等一系列瓶頸,光互連技術也因其具有不同信號之間傳輸互不干擾以及巨大帶寬等優勢，已成為代替金屬互連的理想解決方案，而在光互連
中，硅光技術又被普遍認為是下一代的關鍵技術。目前，越來越多利用硅光技術制作的光器件，以硅光調制器(硅光調制器主要是以硅基材料制作的調制器)為例，在實踐中發現，輸入到硅光調制器的驅動電壓是決定硅光調制器能否正常工作的重要因素，而驅動電壓與驅動器前級電路的輸出電壓息息相關。具體地，可參閱圖1所示的驅動器電路，在圖1中，驅動器前級電路輸出一對差分信號(D1、)，并將這一對差分信號分別經過反相器，并將經過反相器后的兩個差分信號分別與硅光調制器的兩個極板連接。由于這種驅動器電路中包含的反相器主要是由互補金屬氧化物半導體(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)管所搭建，而加載在硅光調制器上的電壓受限于CMOS管的最大工作電壓。CMOS管的最大工作電壓與其工藝節點和系統所需速率有關。例如，為了獲得25Gbps的驅動速率，那么40nm以下CMOS核心管搭建的反相器才能滿足這種速率要求。對于40n...
【技術保護點】
一種適用于硅光調制器的高速率高擺幅的驅動器電路，其特征在于，所述驅動器電路分別與驅動器前級電路、調制器負載連接，所述驅動器電路包括至少一條輸出電路，所述輸出電路包括：第一反相器、第一電壓偏置模塊、第二反相器、第二電壓偏置模塊以及電感；其中：所述第一反相器的輸入端與所述驅動器前級電路的輸出端連接；所述第一反相器的輸出端與所述第一電壓偏置模塊的輸入端連接；所述第一電壓偏置模塊的輸出端與所述第二反相器的輸入端連接；所述第二反相器的輸出端與所述第二電壓偏置模塊的輸入端連接；所述第二電壓偏置模塊的輸出端與所述電感的輸入端連接；所述電感的輸出端與所述調制器負載的輸入端連接。
【技術特征摘要】
1.一種適用于硅光調制器的高速率高擺幅的驅動器電路，其特征在于，
所述驅動器電路分別與驅動器前級電路、調制器負載連接，所述驅動器電路
包括至少一條輸出電路，所述輸出電路包括：第一反相器、第一電壓偏置模
塊、第二反相器、第二電壓偏置模塊以及電感；其中：
所述第一反相器的輸入端與所述驅動器前級電路的輸出端連接；
所述第一反相器的輸出端與所述第一電壓偏置模塊的輸入端連接；
所述第一電壓偏置模塊的輸出端與所述第二反相器的輸入端連接；
所述第二反相器的輸出端與所述第二電壓偏置模塊的輸入端連接；
所述第二電壓偏置模塊的輸出端與所述電感的輸入端連接；
所述電感的輸出端與所述調制器負載的輸入端連接。
2.根據權利要求1所述的驅動器電路，其特征在于，所述第一反相器包
括核心P型金屬氧化物半導體型場效應管PMOS以及核心N型金屬氧化物半導
體型場效應管NMOS，其中：
所述核心PMOS的柵極分別與所述驅動器前級電路輸出端以及所述核心
NMOS的柵極連接；
所述核心PMOS的漏極分別與所述核心NMOS的漏極以及所述第一電壓
偏置模塊的輸入端連接；
所述核心PMOS的源級連接第一電源；
所述核心NMOS的柵極與所述驅動器前級電路的輸出端連接；
所述核心NMOS的漏極與所述第一電壓偏置模塊的輸入端連接；
所述核心NMOS的源極接地。
3.根據權利要求2所述的驅動器電路，其特征在于，所述第一電壓偏置
模塊包括第一電容以及第一電阻；其中：
所述第一電容的第一端分別與所述核心PMOS的漏極以及所述核心
\tNMOS的漏極連接；
所述第一電容的第二端分別與所述第一電阻的第一端以及所述第二反相
器的輸入端連接，所述第一電阻的第二端與第一偏置電壓連接。
4.根據權利要求3所述的驅動器電路，其特征在于，所述第二反相器包
括：輸入/輸出P型金屬氧化物半導體型場效應管I/OPMOS以及輸入/輸出N型
金屬氧化物半導體型場效應管I/ONM...
【專利技術屬性】
技術研發人員：朱文銳，張德華，趙磊，
申請(專利權)人：華為技術有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東;44
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