氣體阻隔性膜和電子設(shè)備制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種具有高的氣體阻隔性和優(yōu)異的氣體阻隔性的面內(nèi)均勻性的氣體阻隔性膜。此外，本發(fā)明專利技術(shù)提供一種在高溫高濕環(huán)境下的耐久性優(yōu)異的電子設(shè)備。一種氣體阻隔性膜，其在基材上依次具有錨固涂層、與上述錨固涂層接觸且通過真空成膜法形成的氣體阻隔層，上述錨固涂層是對含有聚硅氮烷的層施加能量來進行改性處理而得到的層，且在將上述錨固涂層的厚度設(shè)為A(nm)、將上述錨固涂層整體的氮原子相對于硅原子的原子比(N/Si)設(shè)為B時，A×B≤60。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及氣體阻隔性膜和電子設(shè)備。
技術(shù)介紹
以往，在塑料基板、膜的表面層疊包含氧化鋁、氧化鎂、氧化硅等金屬氧化物的薄膜的多個層而形成的氣體阻隔性膜廣泛用于需要隔絕水蒸氣、氧等的各種氣體的物品的包裝，例如，用于防止食品、工業(yè)用品和醫(yī)藥品等的變質(zhì)的包裝用途。除了包裝用途以外，也期望向具有柔性的太陽能電池元件、有機電致發(fā)光(EL)元件、液晶顯示元件等柔性電子設(shè)備發(fā)展，并進行了大量研究。然而，用于密封有機EL設(shè)備的氣體阻隔性膜要求高的阻隔性和柔性。尤其是使用氣體阻隔性膜作為基板的底部發(fā)光型的有機EL設(shè)備需要玻璃水平非常高的氣體阻隔性，并且需要氣體阻隔性的面內(nèi)均勻性(沒有以斑點狀阻隔性低的部分)。以往，這種氣體阻隔性膜所具有的氣體阻隔層通過等離子體CVD法成膜(例如，參照專利文獻1)。然而，明確在通過使用高的等離子體激發(fā)功率的等離子體CVD法將氣體阻隔層成膜時，在成膜時對基材表面施加能量的負荷、容易產(chǎn)生氣體阻隔層的損害，若使用這種氣體阻隔性膜作為有機EL設(shè)備的基板，則會產(chǎn)生大量的暗斑，因此要求改善對基材、氣體阻隔層的損害。為了改善對這種氣體阻隔性膜的基材、氣體阻隔層的損害，最近正在研究在通過真空成膜法形成的氣體阻隔層的下部設(shè)置底涂層。例如，在專利文獻2中公開了由以硅烷偶聯(lián)劑為主成分的涂布液通過涂布、干燥而形成的無機成分比率高的底涂層。在專利文獻3中公開了由在聚硅氮烷(PHPS)中添加二烷氧基硅烷且進行混合而成的涂布液通過涂布、干燥而形成的以無機成分為主體的底涂層作為蒸鍍阻隔層的底涂層。進而，在專利文獻4中公開了在通過真空成膜法形成的氣體阻隔層的下部，對由含有聚硅氮烷的涂布液通過涂布、干燥而形成的聚硅氮烷膜照射能量線而將至少一部分改性，從而在表面設(shè)置賦予了氣體阻隔性的無機膜。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1：國際公開第2006/033233號專利文獻2：日本特開2012-232504號公報專利文獻3：日本特開2012-254579號公報專利文獻4：國際公開第2011/007543號
技術(shù)實現(xiàn)思路
然而，專利文獻2或3中記載的技術(shù)中，在底涂層存留有烷氧基或Si-OH。因此，在底涂層上部以等離子體CVD法等方法將氣體阻隔層成膜時，強的能量施加于底涂層，生成醇、水，在氣體阻隔層以斑點狀形成缺陷。因此，存在無法確保氣體阻隔性的面內(nèi)均勻性的問題。進而，專利文獻4中記載的技術(shù)中，在無機膜上部通過等離子體CVD法形成氣體阻隔層時，從未改性的聚硅氮烷生成氨、氫等逸出氣體。由此，無機膜和其上的氣體阻隔層顯著變形，在氣體阻隔層上形成缺陷。因此，存在無法得到用作有機EL設(shè)備的底座的具有水平高的氣體阻隔性的氣體阻隔性膜的問題。因此，本專利技術(shù)是鑒于上述情況而完成的，其目的是提供一種具有高的氣體阻隔性和氣體阻隔性的面內(nèi)均勻性的氣體阻隔性膜。此外，本專利技術(shù)的目的是提供一種在高溫高濕環(huán)境下的耐久性優(yōu)異的電子設(shè)備。本專利技術(shù)的專利技術(shù)人等為了解決上述問題進行了深入研究。其結(jié)果發(fā)現(xiàn)，利用如下的氣體阻隔性膜，能夠解決上述課題，上述氣體阻隔性膜在基材上依次具有對含有聚硅氮烷的層施加能量來進行改性處理而得到的錨固涂層、與該錨固涂層接觸且通過真空成膜法形成的氣體阻隔層，且錨固涂層的厚度與錨固涂層整體的氮原子相對于硅原子的原子比之積為特定的值以下，從而完成了本專利技術(shù)。即，本專利技術(shù)的上述課題可以通過如下氣體阻隔性膜實現(xiàn)：其是在基材上依次具有錨固涂層、以及與上述錨固涂層接觸且通過真空成膜法形成的氣體阻隔層的氣體阻隔性膜，上述錨固涂層是對含有聚硅氮烷的層施加能量來進行改性處理而得到的層，且在將上述錨固涂層的厚度設(shè)為A(nm)，將上述錨固涂層整體的氮原子相對于硅原子的原子比(N/Si)設(shè)為B時，A×B≤60。附圖說明圖1是表示作為本專利技術(shù)所涉及的氣體阻隔層的優(yōu)選方式的在CVD層的形成中使用的真空等離子體CVD裝置的一個例子的示意圖。圖2是表示作為本專利技術(shù)所涉及的氣體阻隔層的優(yōu)選方式的在CVD層的形成中使用的其它制造裝置的一個例子的示意圖。具體實施方式本專利技術(shù)是一種氣體阻隔性膜，其在基材上依次具有錨固涂層、以及與上述錨固涂層接觸且通過真空成膜法形成的氣體阻隔層，上述錨固涂層是對含有聚硅氮烷的層施加能量來進行改性處理而得到的層，且在將上述錨固涂層的厚度設(shè)為A(nm)，將上述錨固涂層整體的、氮原子相對于硅原子的原子比(N/Si，以下也簡稱為N/Si比率)設(shè)為B時，A×B≤60。本專利技術(shù)的氣體阻隔性膜具有高的氣體阻隔性和優(yōu)異的氣體阻隔性的面內(nèi)均勻性。此外，具有本專利技術(shù)的氣體阻隔性膜的電子設(shè)備在高溫高濕環(huán)境下的耐久性優(yōu)異。本專利技術(shù)的氣體阻隔性膜的特征在于，在將錨固涂層的厚度設(shè)為A(nm)，將錨固涂層整體的N/Si比率設(shè)為B時，A×B≤60。具有這種構(gòu)成的氣體阻隔性膜具有高的氣體阻隔性和氣體阻隔性的面內(nèi)均勻性。這里，推測由于本專利技術(shù)的構(gòu)成而發(fā)揮上述作用效果的機理如下。應(yīng)予說明，本專利技術(shù)不限定于下述說明。即，本專利技術(shù)所涉及的氣體阻隔性膜的錨固涂層所應(yīng)該滿足的條件A×B間接地示出了錨固涂層所含的氮的量，值越大，表示錨固涂層所含的氮的量越多。通過控制該值，可以抑制逸出氣體的產(chǎn)生量。因此，可以抑制在氣體阻隔層的成膜過程中生成缺陷，且可以得到具有高的氣體阻隔性和氣體阻隔性的面內(nèi)均勻性的氣體阻隔性膜。具體而言，為了將柔性且氣體阻隔性高，即在膜厚方向具有碳濃度高的組成分布的區(qū)域且高密度的氣體阻隔層成膜于錨固涂層上，與以往的條件不同，需要在真空下施加高的能量。這里，錨固涂層是通過對含有聚硅氮烷的層施加真空紫外光等能量來進行改性處理而形成的。因此，與表面附近相比，真空紫外光等能量難以到達的錨固涂層的基材側(cè)，與表面相比容易殘留含有大量氮、氫的未改性區(qū)域。若在殘留有這種未改性的聚硅氮烷的錨固涂層上，在如上述的真空下施加高能量而將氣體阻隔層成膜，則錨固涂層所含的未改性的聚硅氮烷的改性劇烈進行，產(chǎn)生由氨、氫等構(gòu)成的逸出氣體。錨固涂層所含的氮的量越多，該逸出氣體產(chǎn)生的量越多。錨固涂層的表面的改性已經(jīng)充分進行時，具有高的氣體阻隔性，因此所產(chǎn)生的逸出氣體的逸出通道僅在基材側(cè)。然而，由于是在真空下，逸出氣體難以逸出，在基材與錨固涂層之間形成逸出氣體的氣泡，在氣體阻隔層、錨固涂層產(chǎn)生缺陷。其結(jié)果，氣體阻隔性膜的氣體阻隔性下降，此外，體阻隔性低的部分斑點狀地產(chǎn)生。因此，通過將A×B的值設(shè)為規(guī)定的值以下，即，通過減少錨固涂層所含的氮的量，在錨固涂層與基材之間生成的逸出氣體的量變少，可抑制氣泡的生成。因此，本專利技術(shù)的氣體阻隔性膜具有高的氣體阻隔性和氣體阻隔性的面內(nèi)均勻性。以下，對本專利技術(shù)的實施方式進行說明。應(yīng)予說明，本專利技術(shù)不僅限定于以下實施方式。此外，附圖的尺寸比率有時為了方便說明而進行了夸張，與實際的比率不同。此外，本說明書中，表示范圍的“X～Y”是指“X以上且Y以下”。此外，只要沒有特別說明，則操作和物性等的測定是在室溫(20～25℃)/相對濕度40～50％的條件下測定的。[基材]作為本專利技術(shù)的氣體阻隔性膜中使用的基材，例如，可舉出硅等的金屬基板、玻璃基板、陶瓷基板、塑料膜等，優(yōu)選使用塑料膜。使用的塑料膜只要是可保持阻隔層、透明硬涂層等的膜，則對材質(zhì)、厚度等沒有特別限制，可以根據(jù)使用目的等而適當選擇。作為上述塑料膜，具體而言，可本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種氣體阻隔性膜，其在基材上依次具有錨固涂層、與所述錨固涂層接觸且通過真空成膜法形成的氣體阻隔層，所述錨固涂層是對含有聚硅氮烷的層施加能量來進行改性處理而得到的層，且在將所述錨固涂層的厚度設(shè)為A、將所述錨固涂層整體的氮原子相對于硅原子的原子比即N/Si設(shè)為B時，A×B≤60，所述厚度以nm為單位。

【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】2014.07.14 JP 2014-1442941.一種氣體阻隔性膜，其在基材上依次具有錨固涂層、與所述錨固涂層接觸且通過真空成膜法形成的氣體阻隔層，所述錨固涂層是對含有聚硅氮烷的層施加能量來進行改性處理而得到的層，且在將所述錨固涂層的厚度設(shè)為A、將所述錨固涂層整體的氮原子相對于硅原子的原子比即N/Si設(shè)為B時，A×B≤60，所述厚度以nm為單位。2.如權(quán)利要求1所述的氣體阻隔性膜，其中，所述氣體阻隔層是以真空等離子體CVD法成膜的氣體阻隔層。3.如權(quán)利要求1或2所述的氣體阻隔性膜，其中，...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：森孝博，
申請(專利權(quán))人：柯尼卡美能達株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：日本;JP