一種它激式高頻高壓振蕩電路制造技術

本實用新型專利技術公開了一種它激式高頻高壓振蕩電路，采取高頻振蕩方式，提高臭氧陶瓷片的放電效果，放電面積更均勻，臭氧發生量得到更為明顯的提升，提高升壓變壓器的效率，有效降低升壓變壓器的無功功率，降低高壓模塊的功耗，提升高壓模塊的可靠性；它激式控制方式，有效避免臭氧陶瓷片在使用環境或生產差異性電容值出現變化時高壓模塊無法啟動的問題，提升產品的適用性。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及臭氧高壓模塊領域，尤其涉及一種應用于臭氧高壓模塊的它激式高頻高壓振蕩電路。
技術介紹
臭氧：具備強氧化特性，可破壞微生物細胞膜的結構，一方面會對人體產生影響，一方面可直接作用于細菌內部，從而達到快整殺菌效果，其殺菌效果相比其它方式效果更為之明顯，故臭氧在水處理及空氣凈化方面被大量應用。工業中臭氧的產生一般通過在臭氧片兩極加高壓電通過電離方式，高壓電的產生一般有兩種方式，線性變壓器升壓方式，自激高頻振蕩升壓方式。但這兩種方式各存在一定的弊端。線性變壓器升壓方式：可靠性高，但由于電源供電電壓頻率為50HZ或60HZ，頻率較低，磁耦合效果不好，臭氧陶瓷片的電容效應會降低電暈強度，升壓變壓器本身無功功率較高，隨著臭氧需求量的增大輸出功率需加大，線性變壓器體積增大明顯，成本較高，一般應用于需求小劑量臭氧的場合中。自激高頻振蕩升壓方式：成本低，臭氧量大，但由于振蕩的產生與臭氧陶瓷片本身的電容量密切相關，當臭氧陶瓷片由于受潮或差異性，容易使頻率產生變化，從而使臭氧的發生量出現較為明顯的變化，甚至出現頻率異常，使高壓模塊內部功耗出現明顯的上升，燒壞高壓模塊。
技術實現思路
為了克服上述現有技術的不足，本技術提供一種它激式高頻高壓振蕩電路，其放電面積更均勻，臭氧發生量得到更為明顯的提升，產品的適用性得到提升。本技術解決其技術問題所采用的技術方案為：一種它激式高頻高壓振蕩電路，其特征在于，包括單片機、高頻振蕩單元和檢測單元，所述單片機分別與檢測單元和高頻振蕩單元連接，用于控制激發高頻振蕩單元；所述檢測單元與高頻振蕩單元連接，用于檢測高頻振蕩單元電路負載情況并反饋給單片機；所述高頻振蕩單元，用于產生高頻高壓并為低電壓器件供電。作為上述方案的進一步改進，所述高頻振蕩單元包括所述高頻振蕩單元包括開關電路、吸收電路、驅動電路和變壓器，所述驅動電路與單片機連接，所述吸收電路分別與開關電路和變壓器初級線圈連接，所述驅動電路與開關電路和變壓器初級線圈連接，所述變壓器次級線圈兩端與臭氧陶瓷片連接。作為上述方案的進一步改進，所述開關電路包括MOS管Q1、電阻R1和二極管D1，所述MOS管基極與電阻R1和二極管D1并聯。作為上述方案的進一步改進，所述吸收電路包括二極管D2、電阻R2、電容C2組成，用于吸收MOS開通、關斷時產生的干擾信號。作為上述方案的進一步改進，所述驅動電路（3）采用高速光耦芯片IR4427。作為上述方案的進一步改進，所述變壓器（4）初級線圈與檢測電路連接，次級線圈與臭氧陶瓷片連接。作為上述方案的進一步改進，所述檢測電路二極管D3和串聯的電阻R3和電阻R4，所述電阻R3一端連接變壓器（4）初級線圈，R4另一端接地，所述電阻R3和R4串聯的節點A分別與二極管陽極D3連接和單片機連接，所述二極管D3陰極接至工作電壓5V。本技術的有益效果有：本技術一種它激式高頻高壓振蕩電路，采取高頻振蕩方式，提高臭氧陶瓷片的放電效果，放電面積更均勻，臭氧發生量得到更為明顯的提升，提高升壓變壓器的效率，有效降低升壓變壓器的無功功率，降低高壓模塊的功耗，提升高壓模塊的可靠性；它激式控制方式，有效避免臭氧陶瓷片在使用環境或生產差異性電容值出現變化時高壓模塊無法啟動的問題，提升產品的適用性。附圖說明下面結合附圖及具體實施例對本技術作進一步說明，其中：圖1是本技術實施例的工作原理框圖；圖2是本技術實施例的高壓振蕩電路的原理圖；圖3是本技術實施例的檢測電路原理圖。具體實施方式參考圖1，本技術一種它激式高頻高壓振蕩電路，其特征在于，包括單片機、高頻振蕩單元和檢測單元，所述單片機分別與檢測單元和高頻振蕩單元連接，所述檢測單元與高頻振蕩單元連接，所述單片機，用于對高頻振蕩單元頻率進行控制，判斷負載的實時變化以調整頻率輸出，具有啟動脈沖判斷。所述高頻振蕩單元包括驅動電路1、吸收電路2、高速光耦芯片IR44273和變壓器4，所述高速光耦芯片IR44273與單片機連接，所述吸收電路2分別與驅動電路（1）和變壓器4初級線圈連接，所述驅動電路1與高速光耦芯片IR44273和變壓器4初級線圈連接，所述變壓器4次級線圈兩端與臭氧陶瓷片連接。所述驅動電路1包括MOS管Q1、電阻R1和二極管D1，所述MOS管基極與電阻R1和二極管D1并聯。所述吸收電路2包括二極管D2、電阻R2、電容C2組成，用于吸收MOS開通、關斷時產生的干擾信號。所述高速光耦芯片IR44273采用PSMN7R0-100PS。所述變壓器4初級線圈與檢測電路連接，次級線圈與臭氧陶瓷片連接。所述檢測電路二極管D3和串聯的電阻R3和電阻R4，所述電阻R3一端連接變壓器4初級線圈，R4另一端接地，所述電阻R3和R4串聯的節點A分別與二極管陽極D3連接和單片機連接，所述二極管D3陰極接至工作電壓5V。工作原理為：單片機發出啟動脈沖，檢測電路開始檢測高壓振蕩電路負載是否正常，高壓振蕩電路根據反激式開關電源原理，使開關MOS管在低電平位置導通降低MOS開通時的沖擊電流，減少電路本身功耗，通過導通形成振蕩電流，控制導通電平時間，從而達到控制高頻升壓變壓器高壓輸出的目的。高壓原理圖如圖2所示，開關頻率選擇在40-50KHZ，電路需采用高速光耦如IR4427芯片，其開通、關斷延遲在200ns以內，MOS管耐壓在100V左右，電流在20A或以上。本技術實施例采用PSMN7R0-100PS，其開通、關斷延遲在200ns以內。高頻升壓變壓器初級線圈與次級線圈耐壓達到5KVAC以上。正常負載條件下，高頻升壓變壓器初級電壓波形及驅動電壓脈沖，MOS管導通時段MOS管漏極處于低電壓狀態，以避免沖擊電流導致MOS管的損壞。由于控制負載的不同，高頻升壓變壓器能量轉化存在差異，根據反激式原理，高頻變壓器次級在負載較輕時，反饋至高頻變壓器初級的電壓及頻率會發生變化，體現在電壓幅值加大，頻率加大。由于開關頻率較大，通過檢測幅度變化的值需要快速電路進行檢測，對于元器件及單片機處理要求較高，故我們選擇通過檢測初級端的頻率變化來區分次級空載與帶載時頻率變化差別，將初級頻率變化信號通過降壓方式反饋給單片機外部中斷口，單片機對外部脈沖信號進行檢測，統計一段時間內的脈沖個數，從而判斷頻率的變化，其輕載檢測原理如圖3所示。二極管D201需采取快速恢復二極管，如MUR120，其作用為將信號反饋至單片機電壓限定在5V，避免高電壓對單片機IO口的損傷。在變壓器次級負載較重時，高頻變壓器初級的電壓減小，頻率減小，而由于電路采樣點的頻率與我們產生的脈沖同頻，在檢測時為固定值，無法直接判斷頻率的變化，通過在高壓變壓器后端增加電壓信號采樣的方式，將電壓信號反饋給單片機的AD采樣口，當負載較輕時，電壓較高，當負載較重或者短路時，輸出電壓較低，通過判斷輸出電壓的變化，可區分負載較重或者短路的情況。通過對電路輕載及重載兩種情況進行判斷檢測，控制電路的開通時間及關本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種它激式高頻高壓振蕩電路，其特征在于，包括單片機、高頻振蕩單元和檢測單元，所述單片機分別與檢測單元和高頻振蕩單元連接，用于控制激發高頻振蕩單元；所述檢測單元與高頻振蕩單元連接，用于檢測高頻振蕩單元電路負載情況并反饋給單片機；所述高頻振蕩單元，用于產生高頻高壓并為低電壓器件供電。

【技術特征摘要】
1.一種它激式高頻高壓振蕩電路，其特征在于，包括單片機、高頻振蕩單元和檢測單元，
所述單片機分別與檢測單元和高頻振蕩單元連接，用于控制激發高頻振蕩單元；
所述檢測單元與高頻振蕩單元連接，用于檢測高頻振蕩單元電路負載情況并反饋給單片機；
所述高頻振蕩單元，用于產生高頻高壓并為低電壓器件供電。
2.根據權利要求1所述的一種它激式高頻高壓振蕩電路，其特征在于，所述高頻振蕩單元包括所述高頻振蕩單元包括開關電路（1）、吸收電路（2）、驅動電路（3）和變壓器（4），所述驅動電路（3）與單片機連接，所述吸收電路（2）分別與開關電路（1）和變壓器（4）初級線圈連接，所述驅動電路（3）與開關電路（1）和變壓器（4）初級線圈連接，所述變壓器（4）次級線圈兩端與臭氧陶瓷片連接。
3.根據權利要求2所述的一種它激式高頻高壓振蕩電路，其特征在于，所述開關電路包括MOS管Q1、電阻...

【專利技術屬性】
技術研發人員：吳偉賓，
申請(專利權)人：珠海宏馬電器有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44