本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種提高電容式觸摸按鍵抗電磁干擾性能的方法，所述方法包括：提供多個開關(guān)頻點(diǎn)，選擇其中一個開關(guān)頻點(diǎn)作為當(dāng)前按鍵判別用頻點(diǎn)；判斷所述當(dāng)前按鍵判別用頻點(diǎn)下的鍵值的斜率是否超出一預(yù)先設(shè)定的范圍；若所述按鍵判別用頻點(diǎn)下的鍵值的斜率超出所述預(yù)先設(shè)定的范圍，則判斷所述按鍵判別用頻點(diǎn)下的鍵值被干擾，并停止采用所述頻點(diǎn)進(jìn)行按鍵判別；改用其他未受干擾的頻點(diǎn)進(jìn)行按鍵判別。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及觸摸技術(shù)，尤其涉及電容式觸摸按鍵。
技術(shù)介紹
近年來，隨著觸摸技術(shù)特別是電容式觸摸技術(shù)的發(fā)展，電容式觸摸按鍵應(yīng)用呈現(xiàn)出快速增長態(tài)勢，替代機(jī)械式按鍵廣泛用于家電、影音設(shè)備、計(jì)算機(jī)外設(shè)及汽車儀表盤等各個方面。電容式觸摸按鍵的基本原理就是通過檢測觸摸點(diǎn)等效電容的變化來判斷觸摸動作是否產(chǎn)生。常用電路主要有：張弛振蕩電路、電荷轉(zhuǎn)移電路及CDC(電容轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號)電路。三種電路各有其優(yōu)缺點(diǎn)，其中電荷轉(zhuǎn)移電路由于外圍電路簡單，無需外圍設(shè)置電阻，原理較CDC電路明顯也要簡單，并且還解決了現(xiàn)有電容式觸摸按鍵系統(tǒng)溫漂大、成本高、調(diào)節(jié)復(fù)雜等問題，故被廣泛采用。申請?zhí)枮?01010235737.3的中國專利，就是在電荷轉(zhuǎn)移電路的基礎(chǔ)上，引進(jìn)了熵系數(shù)的設(shè)定，使判鍵以及調(diào)節(jié)更為靈活方便，其公開的主要判鍵方法是通過求取充放電電容C1的充電時間相對變化量來對按鍵進(jìn)行判斷的。隨著應(yīng)用環(huán)境的越來越復(fù)雜，對觸摸按鍵抗電磁干擾性能也提出了越來越高的要求。強(qiáng)電磁干擾下，要求觸摸按鍵既不能誤觸發(fā)，同時還要能靈敏的響應(yīng)按鍵。電容式的觸摸按鍵由于要做到對觸摸點(diǎn)很小等效電容變化敏感檢測，故對電磁干擾相對也較為敏感，特別是對傳導(dǎo)干擾更為敏感。當(dāng)前很多應(yīng)用方案采用在PCB上增加電源濾波電路的方式來避免電磁干擾的影響，有的甚至以犧牲檢測到電磁干擾時的觸摸靈敏度來抑制電磁干擾。前者會增加系統(tǒng)成本(例如電源模塊的成本)，后者在持續(xù)電磁干擾環(huán)境下，雖然保證了不誤觸發(fā)，但響應(yīng)觸摸按鍵遲鈍，或者根本不響應(yīng)觸摸按鍵。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述缺陷和不足，本專利技術(shù)提供了一種提高電容式觸摸按鍵抗電磁干擾性能的方法，其原理簡單，未增加系統(tǒng)成本而提高了電容式觸摸按鍵對電磁干擾的耐受性，安全可靠。在一個實(shí)施例中，一種提高電容式觸摸按鍵抗電磁干擾性能的方法，其特征在于，所述方法包括：a.提供多個開關(guān)頻點(diǎn)，并選擇其中一個開關(guān)頻點(diǎn)為當(dāng)前頻點(diǎn)以作按鍵判別之用；b.獲取每個開關(guān)頻點(diǎn)所對應(yīng)的按鍵基值；c.采集所述當(dāng)前頻點(diǎn)下的一鍵值；d.將采集到的所述鍵值限制在預(yù)設(shè)的鍵值范圍內(nèi)；e.將經(jīng)步驟d處理后的鍵值進(jìn)行m級滑動平均；f.判斷經(jīng)步驟e處理后的所述鍵值的斜率是否超出一預(yù)設(shè)范圍，若所述鍵值的斜率超出所述預(yù)設(shè)范圍，則標(biāo)示所述當(dāng)前頻點(diǎn)為受干擾頻點(diǎn)，并將所述當(dāng)前頻點(diǎn)切換至所述多個開關(guān)頻點(diǎn)中的其他頻點(diǎn)使得該其他頻點(diǎn)成為當(dāng)前頻點(diǎn)，并重復(fù)步驟c-f。在一個實(shí)施例中，所述方法還包括：g.若所述鍵值的斜率未超出所述預(yù)設(shè)范圍，則將所述鍵值減去所述當(dāng)前頻點(diǎn)所對應(yīng)的按鍵基值，得到差值，并判斷所述差值是否大于零；若不大于零，則將記錄按鍵次數(shù)的變量清零、標(biāo)志按鍵為非按下狀態(tài)、調(diào)整所述按鍵基值、將所述當(dāng)前頻點(diǎn)切換至所述多個開關(guān)頻點(diǎn)中的其他頻點(diǎn)使得該其他頻點(diǎn)成為當(dāng)前頻點(diǎn)、并重復(fù)步驟c-g。在一個實(shí)施例中，所述方法還包括：h.若所述差值大于零，則判斷所述差值是否大于一預(yù)設(shè)閾值；若所述差值不大于所述預(yù)設(shè)閾值，則將記錄按鍵次數(shù)的變量清零、標(biāo)志按鍵為非按下狀態(tài)、調(diào)整所述按鍵基值、將所述當(dāng)前頻點(diǎn)切換至所述多個開關(guān)頻點(diǎn)中的其他頻點(diǎn)使得該其他頻點(diǎn)成為當(dāng)前頻點(diǎn)、并重復(fù)步驟c-h。在一個實(shí)施例中，所述方法還包括：i.若所述差值大于所述預(yù)設(shè)閾值，則判斷所述按鍵次數(shù)的變量是否小于一預(yù)設(shè)的計(jì)數(shù)值；若所述按鍵次數(shù)的變量小于所述預(yù)設(shè)的計(jì)數(shù)值，則將所述按鍵次數(shù)的變量自加1、將所述當(dāng)前頻點(diǎn)切換至所述多個開關(guān)頻點(diǎn)中的其他頻點(diǎn)使得該其他頻點(diǎn)成為當(dāng)前頻點(diǎn)、并重復(fù)步驟c-i。在一個實(shí)施例中，所述方法還包括：j.若所述按鍵次數(shù)的變量不小于所述預(yù)設(shè)的計(jì)數(shù)值，則判斷所述當(dāng)前頻點(diǎn)是否已被標(biāo)示為受干擾頻點(diǎn)；若是，將所述當(dāng)前頻點(diǎn)切換至所述多個開關(guān)頻點(diǎn)中的其他頻點(diǎn)使得該其他頻點(diǎn)成為當(dāng)前頻點(diǎn)、并重復(fù)步驟c-j；若不是，則標(biāo)志所述按鍵為按下狀態(tài)，采集下一鍵值。在一個實(shí)施例中，在步驟a之前，所述方法還包括：對觸摸按鍵系統(tǒng)中所用到的寄存器以及變量等進(jìn)行賦初值，提供一個初始狀態(tài)。在一個實(shí)施例中，所述多個開關(guān)頻點(diǎn)包括一個高頻點(diǎn)和一個低頻點(diǎn)。在一個實(shí)施例中，所述高頻點(diǎn)為1.9MHz，所述低頻點(diǎn)為0.75MHz。本專利技術(shù)還提供了一種提高電容式觸摸按鍵抗電磁干擾性能的方法，其特征在于，所述方法包括：提供多個開關(guān)頻點(diǎn)，選擇其中一個開關(guān)頻點(diǎn)作為當(dāng)前按鍵判別用頻點(diǎn)；判斷所述當(dāng)前按鍵判別用頻點(diǎn)下的鍵值的斜率是否超出一預(yù)先設(shè)定的范圍；若所述按鍵判別用頻點(diǎn)下的鍵值的斜率超出所述預(yù)先設(shè)定的范圍，則判斷所述按鍵判別用頻點(diǎn)下的鍵值被干擾，并停止采用所述頻點(diǎn)進(jìn)行按鍵判別；改用其他未受干擾的頻點(diǎn)進(jìn)行按鍵判別。附圖說明本專利技術(shù)的以上
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
以及下面的具體實(shí)施方式在結(jié)合附圖閱讀時會得到更好的理解。需要說明的是，附圖僅作為所請求保護(hù)的專利技術(shù)的示例。在附圖中，相同的附圖標(biāo)記代表相同或類似的元素。圖1示出電容式觸摸按鍵系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖。圖2a示出正常觸摸情況下的按鍵差值圖。圖2b示出傳導(dǎo)干擾情況下的按鍵差值圖。圖3示出根據(jù)本專利技術(shù)一實(shí)施例的濾波方法的流程圖。圖4示出根據(jù)本專利技術(shù)又一實(shí)施例的濾波方法流程圖。圖5示出H＝1.9MHz，L＝0.75MHz，在1.9MHz附近的CSI測試環(huán)境下不停觸摸按鍵時，交替采集到的原始鍵值數(shù)據(jù)。圖6a示出H開關(guān)頻點(diǎn)上采集的原始鍵值。圖6b示出L開關(guān)頻點(diǎn)上采集的原始鍵值。圖6c示出判鍵用鍵值。圖6d示出判鍵用基值。圖6e示出判鍵用差值。圖6f示出按鍵狀態(tài)，其中“1”為按下，“0”為松開。具體實(shí)施方式以下在具體實(shí)施方式中詳細(xì)敘述本專利技術(shù)的詳細(xì)特征以及優(yōu)點(diǎn)，其內(nèi)容足以使任何本領(lǐng)域技術(shù)人員了解本專利技術(shù)的
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
并據(jù)以實(shí)施，且根據(jù)本說明書所揭露的說明書、權(quán)利要求及附圖，本領(lǐng)域技術(shù)人員可輕易地理解本專利技術(shù)相關(guān)的目的及優(yōu)點(diǎn)。圖1示出電容式觸摸按鍵系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖。Cx為觸摸按鍵等效電容，與邏輯控制開關(guān)SW1、SW2組成開關(guān)電容電路。fs為觸摸按鍵系統(tǒng)的開關(guān)頻率，其可周期性切換邏輯控制開關(guān)SW1、SW2，并使其交替呈現(xiàn)閉合和斷開狀態(tài)。根據(jù)開關(guān)電容特性，邏輯控制開關(guān)SW1、SW2和觸摸按鍵等效電容Cx可等效為電阻Rx＝1/(fs×Cx)。Vchg為充電電壓，其通過開關(guān)等效電阻Rx對充放電電容C1進(jìn)行周期性充電。當(dāng)C1充電至比較器CMP負(fù)向輸入端電壓高于正向輸入端參考電壓Vref時，比較器輸出低電平。對應(yīng)比較器的輸出，系統(tǒng)通過邏輯控制開關(guān)SW3控制充放電電容C本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種提高電容式觸摸按鍵抗電磁干擾性能的方法，其特征在于，所述方法包括：a.提供多個開關(guān)頻點(diǎn)，并選擇其中一個開關(guān)頻點(diǎn)為當(dāng)前頻點(diǎn)以作按鍵判別之用；b.獲取每個開關(guān)頻點(diǎn)所對應(yīng)的按鍵基值；c.采集所述當(dāng)前頻點(diǎn)下的一鍵值；d.將采集到的所述鍵值限制在預(yù)設(shè)的鍵值范圍內(nèi)；e.將經(jīng)步驟d處理后的鍵值進(jìn)行m級滑動平均；f.判斷經(jīng)步驟e處理后的所述鍵值的斜率是否超出一預(yù)設(shè)范圍，若所述鍵值的斜率超出所述預(yù)設(shè)范圍，則標(biāo)示所述當(dāng)前頻點(diǎn)為受干擾頻點(diǎn)，并將所述當(dāng)前頻點(diǎn)切換至所述多個開關(guān)頻點(diǎn)中的其他頻點(diǎn)使得該其他頻點(diǎn)成為當(dāng)前頻點(diǎn)，并重復(fù)步驟c?f。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種提高電容式觸摸按鍵抗電磁干擾性能的方法，其特征在于，所述方法包括：
a.提供多個開關(guān)頻點(diǎn)，并選擇其中一個開關(guān)頻點(diǎn)為當(dāng)前頻點(diǎn)以作按鍵判別之用；
b.獲取每個開關(guān)頻點(diǎn)所對應(yīng)的按鍵基值；
c.采集所述當(dāng)前頻點(diǎn)下的一鍵值；
d.將采集到的所述鍵值限制在預(yù)設(shè)的鍵值范圍內(nèi)；
e.將經(jīng)步驟d處理后的鍵值進(jìn)行m級滑動平均；
f.判斷經(jīng)步驟e處理后的所述鍵值的斜率是否超出一預(yù)設(shè)范圍，若所述鍵值的斜率超
出所述預(yù)設(shè)范圍，則標(biāo)示所述當(dāng)前頻點(diǎn)為受干擾頻點(diǎn)，并將所述當(dāng)前頻點(diǎn)切換至所述多個
開關(guān)頻點(diǎn)中的其他頻點(diǎn)使得該其他頻點(diǎn)成為當(dāng)前頻點(diǎn)，并重復(fù)步驟c-f。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
g.若所述鍵值的斜率未超出所述預(yù)設(shè)范圍，則將所述鍵值減去所述當(dāng)前頻點(diǎn)所對應(yīng)的
按鍵基值，得到差值，并判斷所述差值是否大于零；若不大于零，則將記錄按鍵次數(shù)的變量
清零、標(biāo)志按鍵為非按下狀態(tài)、調(diào)整所述按鍵基值、將所述當(dāng)前頻點(diǎn)切換至所述多個開關(guān)頻
點(diǎn)中的其他頻點(diǎn)使得該其他頻點(diǎn)成為當(dāng)前頻點(diǎn)、并重復(fù)步驟c-g。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
h.若所述差值大于零，則判斷所述差值是否大于一預(yù)設(shè)閾值；若所述差值不大于所述
預(yù)設(shè)閾值，則將記錄按鍵次數(shù)的變量清零、標(biāo)志按鍵為非按下狀態(tài)、調(diào)整所述按鍵基值、將
所述當(dāng)前頻點(diǎn)切換至所述多個開關(guān)頻點(diǎn)中的其他頻點(diǎn)使得該其他頻點(diǎn)成為當(dāng)前頻點(diǎn)、并重
復(fù)步驟c-h。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：余為國，許成珅，何煒，
申請(專利權(quán))人：中穎電子股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：上海;31
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。