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    一種新型結構的LED光源制造技術

    技術編號:14980920 閱讀:189 留言:0更新日期:2017-04-03 12:32
    本實用新型專利技術公開了一種新型結構的LED光源,它涉及LED光源技術領域;基材的上方通過基材填充膠材與LED支架固定連接,LED支架上方中部設置有避空裝置,所述的避空裝置的上方安裝有芯片,芯片上焊接有金線,芯片和金線的上方封裝有熒光膠。基材主體選取靈活,可根據產品性能需求選取,銅,鋁,鐵等金屬均可。通過真空濺射技術或一些特殊工藝在處理,在面面沉金屬及金屬氧化物,保護基材不被硫化,溴化,氧化等,提高基材反射率和光澤度。通過控制表面氧化鈦,氧化鈦及銀層厚度,可實現在特制LED支架基板表面打線,正反面焊錫功能。特制LED支架成型加工工藝多樣。

    【技術實現步驟摘要】

    本技術涉及一種新型結構的LED光源,屬于LED光源

    技術介紹
    LED自從問世以上,受到廣泛重視而得到迅速發展,是與它本身所具有的優點分不開的。這些優點概括起來是:亮度高、工作電壓低、功耗小、小型化、壽命長、耐沖擊和性能穩定。LED的發展前景極為廣闊,目前正朝著更高亮度、更高耐氣候性、更高的發光密度、更高的發光均勻性方向發展。但實際在生產使用LED產品的過程中,我們經常會遭遇“產品硫化(包含硫化、鹵化、氧化等污染現象)導致產品失效”等問題,這些問題給客戶和生產廠家都帶來一定損失,出現硫化反應后,產品功能區會黑化,光通量會逐漸下降,色溫出現明顯漂移。其原理是:因為貼片LED的支架是在金屬基材上鍍銀(銀層會起到發亮,反射光的作用),LED在高溫焊接時,碰到了硫或硫蒸氣,則會造成支架上的銀層與硫發生化學反應Ag+S=AgS↓,形成AgS,視反應量的多少,其顏色為黃色或黑色不等。最嚴重的銀層都反應完,金絲斷裂,造成LED開路。
    技術實現思路
    針對上述問題,本技術要解決的技術問題是提供一種新型結構的LED光源。本技術的新型結構的LED光源。它包含基材1、支架填充膠材a、LED支架2、熒光膠3、芯片4、金線5和避空裝置6,基材1的上方通過基材填充膠材a與LED支架2固定連接,LED支架2上方中部設置有避空裝置6,所述的避空裝置6的上方安裝有芯片4,芯片4上焊接有金線5,芯片4和金線5的上方封裝有熒光膠3。作為優選,所述的LED支架2的底部為倒T型設計。作為優選,所述的基材1通過真空濺射技術在下表面鍍膜金屬銀層b,上表面從下到上依次鍍膜金屬銀層c和氧化鋁或氧化鈦層d和氧化鈦層e。作為優選,所述的基材1通過真空濺射技術在下表面鍍膜金屬銀層b,上表面從下到上依次鍍膜金屬銀層c和氧化硅層d和氧化鈦層e。本技術的有益效果:基材主體選取靈活,可根據產品性能需求選取,銅,鋁,鐵等金屬均可。通過真空濺射技術或一些特殊工藝在處理,在面面沉金屬及金屬氧化物,保護基材不被硫化,溴化,氧化等,提高基材反射率和光澤度。通過控制表面氧化鈦,氧化鈦及銀層厚度,可實現在特制LED支架基板表面打線,正反面焊錫功能。特制LED支架成型加工工藝多樣。附圖說明:為了易于說明,本技術由下述的具體實施及附圖作以詳細描述。圖1為本技術結構示意圖;圖2為本技術中基材的結構示意圖;圖3為本技術中LED支架的結構示意圖;圖4為圖3的左視結構示意圖;圖5為本技術中LED半成品的結構示意圖;具體實施方式:如圖1-5所示,本具體實施方式采用以下技術方案:它包含基材1、支架填充膠材a、LED支架2、熒光膠3、芯片4、金線5和避空裝置6,基材1的上方通過基材填充膠材a與LED支架2固定連接,LED支架2上方中部設置有避空裝置6,所述的避空裝置6的上方安裝有芯片4,芯片4上焊接有金線5,芯片4和金線5的上方封裝有熒光膠3。作為優選,所述的LED支架2的底部為倒T型設計。作為優選,所述的基材1通過真空濺射技術在下表面鍍膜金屬銀層b,上表面從下到上依次鍍膜金屬銀層c和氧化鋁或氧化鈦層d和氧化鈦層e。作為優選,所述的基材1通過真空濺射技術在下表面鍍膜金屬銀層b,上表面從下到上依次鍍膜金屬銀層c和氧化硅層d和氧化鈦層e。本技術的制備過程為:步驟一:基材工藝處理:通過真空濺射技術在基材1的下表面鍍膜金屬銀層b,上表面從下到上依次鍍膜金屬銀層c和氧化鋁或氧化鈦層d和氧化鈦層e或者上表面從下到上依次鍍膜金屬銀層c和氧化硅層d和氧化鈦層e;步驟二:LED支架制作:用熱固或熱塑成型方式填充相應結構LED支架2,且LED支架2中部設置有避空裝置6,步驟三:led封裝工藝:在LED支架2上通過進行點膠,安裝芯片4,焊金線5等工藝制成成型的LED半成品;步驟四:通過調配熒光膠比例,將熒光膠層3灌封在LED半成品上,并且進行烘烤固化成型做成所需的LED光源燈珠。以上顯示和描述了本技術的基本原理和主要特征和本技術的優點。本行業的技術人員應該了解,本技術不受上述實施例的限制,上述實施例和說明書中描述的只是說明本技術的原理,在不脫離本技術精神和范圍的前提下,本技術還會有各種變化和改進,這些變化和改進都落入要求保護的本技術范圍內。本技術要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。本文檔來自技高網...
    一種新型結構的LED光源

    【技術保護點】
    一種新型結構的LED光源,其特征在于:它包含基材(1)、支架填充膠材(a)、LED支架(2)、熒光膠(3)、芯片(4)、金線(5)和避空裝置(6),?基材(1)的上方通過基材填充膠材(a)與LED支架(2)固定連接,LED支架(2)上方中部設置有避空裝置(6),所述的避空裝置(6)的上方安裝有芯片(4),?芯片(4)上焊接有金線(5),?芯片(4)和金線(5)的上方封裝有熒光膠(3)。

    【技術特征摘要】
    1.一種新型結構的LED光源,其特征在于:它包含基材(1)、支架填充膠材(a)、LED支架(2)、熒光膠(3)、芯片(4)、金線(5)和避空裝置(6),基材(1)的上方通過基材填充膠材(a)與LED支架(2)固定連接,LED支架(2)上方中部設置有避空裝置(6),所述的避空裝置(6)的上方安裝有芯片(4),芯片(4)上焊接有金線(5),芯片(4)和金線(5)的上方封裝有熒光膠(3)。2.根據權利要求1所述的一種新型結構的LED光源,其特...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:李俊東柳歡陳健平劉云
    申請(專利權)人:深圳市斯邁得半導體有限公司
    類型:新型
    國別省市:廣東;44

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