監(jiān)控膜厚機(jī)的量測的方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種監(jiān)控膜厚機(jī)的量測的方法，包括：第一步驟：在顆粒量測機(jī)臺量測控片的前值缺陷；第二步驟：在厚度量測機(jī)臺測量控片表面；第三步驟：在顆粒量測機(jī)臺量測控片的后值缺陷；第四步驟：消耗控片的硅基底以生長氧化層；第五步驟：將控片表面的氧化層清洗掉。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本專利技術(shù)涉及一種監(jiān)控膜厚機(jī)的量測的方法。
技術(shù)介紹
過去數(shù)十年來，晶體管的尺寸不斷地變小。從幾個微米(micrometer)的等級縮小到目前的幾個納米，晶體管尺寸不斷縮小，讓集成電路的效能大大提升。第一，越小的晶體管象征其通道長度減少，讓通道的等效電阻也減少，可以讓更多電流通過。第二，晶體管的面積越小，制造芯片的成本就可以降低，在同樣的封裝里可以裝下更高密度的芯片。一片集成電路制程使用的晶圓尺寸是固定的，所以如果芯片面積越小，同樣大小的晶圓就可以產(chǎn)出更多的芯片，于是成本就變得更低了。第三，晶體管的尺寸變小意味著柵極面積減少，如此可以降低等效的柵極電容。越小的柵極通常會有更薄的柵極氧化層。柵極氧化層生長完表面會有一層水氣覆蓋，為了確保柵極氧化層量測的準(zhǔn)確性，膜厚機(jī)臺在量測之前會用激光對量測點(diǎn)的水氣照射再量測(Idesorber)，以便得到柵極氧化層的真實(shí)厚度。目前監(jiān)控量測狀況，控片先經(jīng)過量測顆粒機(jī)量測缺陷，然后經(jīng)過膜厚量測機(jī)臺量測，最后再經(jīng)過顆粒機(jī)量測缺陷。通過兩次顆粒機(jī)量測的增加缺陷數(shù)判斷量測狀況。現(xiàn)在用來監(jiān)控顆粒機(jī)的控片是循環(huán)使用的。一旦被膜厚機(jī)將表面損壞，后續(xù)再循環(huán)使用的時候就無法監(jiān)控到量測狀況。但是，現(xiàn)在用來監(jiān)控顆粒機(jī)的控片是循環(huán)使用的。一旦被膜厚機(jī)將表面損壞，后續(xù)再循環(huán)使用的時候就無法監(jiān)控到量測狀況。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠更好的監(jiān)控膜厚機(jī)的狀況的技術(shù)方案。為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本專利技術(shù)，提供了一種監(jiān)控膜厚機(jī)的量測的方法，包括：第一步驟：在顆粒量測機(jī)臺量測控片的前值缺陷；第二步驟：在厚度量測機(jī)臺測量控片表面；第三步驟：在顆粒量測機(jī)臺量測控片的后值缺陷；第四步驟：消耗控片的硅基底以生長氧化層；第五步驟：將控片表面的氧化層清洗掉。優(yōu)選地，在第二步驟中采用激光對量測點(diǎn)的水氣照射再量測，以便得到控片的柵極氧化層的真實(shí)厚度。優(yōu)選地，在第四步驟中，生長4000A氧化層。優(yōu)選地，在第四步驟中，消耗1800A的硅基底。優(yōu)選地，在第四步驟中，生長的氧化層的厚度介于2000A至6000A之間。優(yōu)選地，在第四步驟中，消耗的硅基底的厚度不小于500A。優(yōu)選地，在第四步驟中，消耗的硅基底的厚度介于900A至2700A之間。優(yōu)選地，在第五步驟中，通過清洗機(jī)將控片表面的氧化層清洗掉。附圖說明結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會更容易地對本專利技術(shù)有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：圖1示意性地示出了根據(jù)本專利技術(shù)優(yōu)選實(shí)施例的監(jiān)控膜厚機(jī)的量測的方法的流程圖。需要說明的是，附圖用于說明本專利技術(shù)，而非限制本專利技術(shù)。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號。具體實(shí)施方式為了使本專利技術(shù)的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。圖1示意性地示出了根據(jù)本專利技術(shù)優(yōu)選實(shí)施例的監(jiān)控膜厚機(jī)的量測的方法的流程圖。如圖1所示，根據(jù)本專利技術(shù)優(yōu)選實(shí)施例的監(jiān)控膜厚機(jī)的量測的方法包括：第一步驟S1：在顆粒量測機(jī)臺量測控片的前值缺陷；第二步驟S2：在厚度量測機(jī)臺測量控片表面，其中采用激光對量測點(diǎn)的水氣照射再量測，以便得到控片的柵極氧化層的真實(shí)厚度；第三步驟S3：在顆粒量測機(jī)臺量測控片的后值缺陷；由此，可以通過增加的缺陷數(shù)判斷測量狀況；第四步驟S4：消耗控片的硅基底以生長氧化層；例如，在第四步驟S4中，生長4000A氧化層，消耗大約1800A的硅基底；優(yōu)選地，在第四步驟S4中，生長的氧化層的厚度介于2000A至6000A之間。優(yōu)選地，在第四步驟S4中，消耗的硅基底的厚度不小于500A。例如，消耗的硅基底的厚度介于900A至2700A之間。第五步驟S5：將控片表面的氧化層清洗掉。在第五步驟S5中，一般通過清洗機(jī)將控片表面的氧化層清洗掉。總而言之，目前監(jiān)控膜厚機(jī)的量測狀況的控片先經(jīng)過量測顆粒機(jī)量測缺陷，然后經(jīng)過膜厚量測機(jī)臺的量測，最后再經(jīng)過顆粒機(jī)量測缺陷。通過兩次顆粒機(jī)量測的增加缺陷數(shù)判斷測量狀況。現(xiàn)在用來監(jiān)控顆粒機(jī)的控片是循環(huán)使用的。一旦被膜厚機(jī)將表面損壞，后續(xù)再循環(huán)使用的時候就無法監(jiān)控到量測的狀況。對此，本專利技術(shù)通過消耗控片的硅基底生長氧化層，將膜厚機(jī)損傷的控片表面重新修復(fù)，以便于更好的監(jiān)控膜厚機(jī)的量測狀況。此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。可以理解的是，雖然本專利技術(shù)已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本專利技術(shù)。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本專利技術(shù)技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
對本專利技術(shù)技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本專利技術(shù)的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本專利技術(shù)技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種監(jiān)控膜厚機(jī)的量測的方法，其特征在于包括：第一步驟：在顆粒量測機(jī)臺量測控片的前值缺陷；第二步驟：在厚度量測機(jī)臺測量控片表面；第三步驟：在顆粒量測機(jī)臺量測控片的后值缺陷；第四步驟：消耗控片的硅基底以生長氧化層；第五步驟：將控片表面的氧化層清洗掉。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種監(jiān)控膜厚機(jī)的量測的方法，其特征在于包括：
第一步驟：在顆粒量測機(jī)臺量測控片的前值缺陷；
第二步驟：在厚度量測機(jī)臺測量控片表面；
第三步驟：在顆粒量測機(jī)臺量測控片的后值缺陷；
第四步驟：消耗控片的硅基底以生長氧化層；
第五步驟：將控片表面的氧化層清洗掉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)控膜厚機(jī)的量測的方法，其特征在于，在第二
步驟中采用激光對量測點(diǎn)的水氣照射再量測，以便得到控片的柵極氧化層的真
實(shí)厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的監(jiān)控膜厚機(jī)的量測的方法，其特征在于，在
第四步驟中，生長4000A氧化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的監(jiān)控膜厚機(jī)的...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：祁鵬，王智，蘇俊銘，
申請(專利權(quán))人：上海華力微電子有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：上海;31