具有引線鍵合的多管芯堆疊的集成電路封裝制造技術

本公開的實施例針對集成電路(IC)封裝，包括至少部分內嵌于第一包封層中的第一管芯和至少部分內嵌于第二包封層的第二管芯。第一管芯可具有被置于第一包封層的第一側邊的多個第一管芯級互連結構。IC封裝還可包括至少部分內嵌于第一包封層中，并被配置以在第一包封層的第一和第二側邊之間路由電氣信號的多個電氣路由特征。第二側邊可被置于第一側邊的對面。第二管芯可具有可與多個電氣路由特征中的至少子集通過鍵合引線電氣耦合的多個第二管芯級互連結構。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】領域本公開的實施例大致涉及集成電路領域，更具體而言，涉及具有引線鍵合的多管芯堆疊的集成電路封裝。背景諸如處理器之類的管芯的輸入/輸出密度不斷增加，而管芯的尺寸不斷縮小。在多管芯封裝中的管芯之間提供更短的互連距離，并且維持多管芯封裝較小的形狀因數，可以是可取的，但從技術中的這些進展來看是具有挑戰性的。本文給出的背景描述是為了大致展示本公開的情境。除非本文另有說明，在本節中描述的材料對于本申請中的權利要求而言并不是現有技術，且并不由于包含于本節中而被承認為是現有技術。附圖說明通過以下結合附圖的詳細說明將很容易理解實施例。為了方便描述，相同的參考數字表示相同的結構元素。以示例的方式，而不是以受限于附圖的圖形的方式示出實施例。除非明確說明，否則這些附圖并非按比例繪制。圖1示意性地示出了根據一些實施例的包括具有引線鍵合的多管芯堆疊的集成電路封裝的示例集成電路(IC)組件的側面剖視圖。圖2是根據本公開一些實施例的集成電路封裝制造過程示意性的流程圖。圖3-4是根據本公開的一些實施例描繪了圖2中描述的集成電路封裝制造過程中具體步驟的指定操作的示意性剖面側視圖。圖5示意性地示出了根據本公開不同實施例的具有封裝級互連結構的示例集成電路(IC)組件的剖面側視圖。圖6示意性地示出了根據本公開不同實施例的具有封裝級互連結構和置于重分布層(RDL)上的第三管芯的示例集成電路(IC)組件的剖面側視圖。圖7示意性地示出了根據本公開不同實施例的具有額外的堆疊和引線鍵合的管芯的示例集成電路(IC)組件的剖面側視圖。圖8示意性地示出了根據本公開的一些實施例的一種包括集成電路封裝的計算設備。詳細說明本公開的實施例描述了具有引線鍵合的多管芯堆疊的集成電路(IC)封裝配置。在以下的描述中，示意性實現方式中的各個方面采用本領域技術人員通常使用的術語進行描述，以向其他領域技術人員傳達其工作的實質。然而，對于本領域的技術人員而言，本公開的實施例顯然可以只用所述的某些方面進行實施。出于解釋的目的，為了提供示意性實現方式的透徹理解，給出了具體的數字、材料和配置。然而，對于本領域的技術人員而言，本公開中的實施例顯然無需具體細節亦可實施。在其他示例中，為了不模糊示意性實現方式，眾所周知的特征被忽略或簡化。在以下的詳細說明中，對于附圖的引用構成詳細說明的一部分，其中相同的數字始終表示相同的部分，且其中是以本公開的主題可被實施的示例實施例的方式示出。需要了解的是，在不背離本公開的范圍的情況下，可運用其他實施例，且可做出結構性或邏輯性的改變。因此，以下詳細說明不應被認為具有限制意義，并且實施例的范圍由所附的權利要求及其等效項所界定。對于本公開的目的，短語“A和/或B”是指(A)，(B)，或(A和B)。對于本公開的目的，短語“A，B，和/或C”是指(A)，(B)，(C)，(A和B)，(A和C)，(B和C)，或(A，B和C)。描述可采用基于透視法的描述，如頂/底，內/外，上/下，等等。這些描述僅僅用來方便討論，并不旨在將本文描述的實施例的應用限制在任何特定的方向。描述可采用短語“在一實施例中，”或“在實施例中，”，其可分別涉及相同或不同的實施例中的一個或多個。此外，關于本公開中的實施例所采用的術語“包括(comprising)”、“包含(including)”、“具有(having)”等都是同義詞。術語“與……耦合(coupledwith)，”連同其衍生項可被用于本文。“耦合(coupled)”可有以下的一個或多個含義。“耦合(coupled)”可表示兩個或多個元素直接的物理或電氣接觸。然而，“耦合(coupled)”也可表示兩個或多個元素間接地彼此接觸，但仍然彼此協作或相互作用，且還可表示一個或多個其他元素被耦合在或連接在被稱為彼此耦合的元素之間。術語“直接耦合(directlycoupled)”可表示兩個或多個元素直接接觸。在各種實施例中，短語“形成，沉積，或以其他方式置于第二特征之上的第一特征，”可表示第一特征形成，沉積，或置于第二特征之上，且第一特征的至少一部分可與第二特征的至少一部分直接接觸(例如，直接的物理和/或電氣接觸)或間接接觸(例如，有一個或多個在第一特征和第二特征之間的其他特征)。如本文中所使用，術語“模塊”可指以下項，可是以下項的部分，或可包括以下項：專用集成電路(ASIC)、電子電路、片上系統(SoC)、執行一個或多個軟件或固件程序的處理器(共享的，專用的，或群組的)和/或存儲器(共享的，專用的，或群組的)、組合邏輯電路、和/或其他提供所述功能的適合元件。圖1示意性地示出根據本公開的實施例的包括與電路板116電氣和物理耦合的IC封裝102的集成電路(IC)組件實例的側面剖視圖。在實施例中，IC封裝102可包括一個或多個管芯(例如，第一管芯106)。第一管芯106可至少被部分嵌入于第一包封層104中。第一管芯106可包括可被置于第一包封層104的第一側邊的多個管芯級互連結構(例如，管芯級互連結構108)。IC封裝102還可包括至少部分被嵌入于第一包封層104中的多個電氣路由特征(例如，電氣路由特征110)。如可見，多個電氣路由特征可被配置以在第一包封層104的第二側邊和被置于第二側邊對面的第一電介質層104的第一側邊之間路由電氣信號。在一些實施例中，電氣路由特征，如所述，可以是形成于電氣絕緣材料(例如，電氣絕緣材料118)中的過孔條。該電氣絕緣材料可包括硅、陶瓷、聚合物，或其他任何適合的材料并可被填充或不填充(例如，采用二氧化硅填充物，或其他適合的填充物)。IC封裝102還可包括被置于第一包封層104的第二側邊上且至少部分被內嵌于第二包封層120中的第二管芯122。第二管芯122還可具有多個第二管芯級互連結構(例如，管芯級互連結構124)。多個第二管芯級互連結構可通過鍵合引線(例如，鍵合引線126)的方式與電氣路由特征電氣地耦合。在一些實施例中，IC封裝102可具有重分布層112。重分布層112可被配置以通過電氣路由特征的方式將管芯106和管芯122與一個或多個封裝級互連結構(例如，焊球114)電氣地耦合。封裝級互連結構可被配置以將IC封裝102與電路板116電氣及物理地耦合。IC封裝102可根據各種適合的配置，包括彈性體配置或任何其他適合的配置，與電本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種集成電路(IC)封裝，包括：第一管芯，所述第一管芯至少部分內嵌于第一包封層中，所述第一管芯具有被置于所述第一包封層的第一側邊的多個第一管芯級互連結構；多個電氣路由特征，所述多個電氣路由特征至少部分內嵌于所述第一包封層中，并被配置以在所述第一包封層的所述第一側邊和所述第一包封層的第二側邊之間路由電氣信號，所述第二側邊設置在所述第一側邊的對面；以及第二管芯，所述第二管芯被置于所述第一包封層的所述第二側邊上，并且至少部分內嵌于第二包封層中，所述第二管芯具有多個第二管芯級互連結構，其中所述多個第二管芯級互連結構通過鍵合引線與所述多個電氣路由特征的至少子集電氣地耦合。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】1.一種集成電路(IC)封裝，包括：
第一管芯，所述第一管芯至少部分內嵌于第一包封層中，所述第一管芯具
有被置于所述第一包封層的第一側邊的多個第一管芯級互連結構；
多個電氣路由特征，所述多個電氣路由特征至少部分內嵌于所述第一包封
層中，并被配置以在所述第一包封層的所述第一側邊和所述第一包封層的第二
側邊之間路由電氣信號，所述第二側邊設置在所述第一側邊的對面；以及
第二管芯，所述第二管芯被置于所述第一包封層的所述第二側邊上，并且
至少部分內嵌于第二包封層中，所述第二管芯具有多個第二管芯級互連結構，
其中所述多個第二管芯級互連結構通過鍵合引線與所述多個電氣路由特征的
至少子集電氣地耦合。
2.如權利要求1所述的IC封裝，還包括：被置于所述第一包封層的
所述第一側邊的一個或多個重分布層(RDL)，其中所述一個或多個RDL與
所述第一管芯電氣地耦合，并且其中所述一個或多個RDL通過所述多個電氣
路由特征與所述第二管芯電氣地耦合。
3.如權利要求2所述的IC封裝，還包括被置于所述一個或多個RDL
上的多個封裝級互連結構。
4.如權利要求2所述的IC封裝，還包括第三管芯，所述第三管芯被
置于所述一個或多個RDL上，并且具有與所述一個或多個RDL電氣耦合的多
個第三管芯級互連結構。
5.如權利要求4所述的IC封裝，還包括被置于所述一個或多個RDL
上的多個封裝級互連結構，其中所述第三管芯和所述多個第三管芯級互連結構
的組合厚度小于所述多個封裝級互連的所述單個封裝級互連結構的厚度，以使
所述第三管芯在與所述多個封裝級互連結構相同的平面上的擺放成為可能。
6.如權利要求1所述的IC封裝，其特征在于，所述多個電氣路由特
征的所述子集是第一子集，所述IC封裝還包括：
第三管芯，所述第三管芯至少部分內嵌于所述第二包封層中，并且具有多
個第三管芯級互連結構，所述多個第三管芯級互連結構通過鍵合引線與所述多

\t個電氣路由特征的第二子集電氣地耦合，其中所述第三管芯和所述第二管芯通
過墊片被耦合在一起。
7.如權利要求1-6中任一項所述的IC封裝，其特征在于，所述多個電
氣路由特征包括過孔條。
8.如權利要求1-6中任一項所述的IC封裝，其特征在于，所述IC封
裝是嵌入式晶片級球柵陣列(eWLB)封裝。
9.一種形成集成電路(IC)封裝的方法，包括：
提供第一包封層，所述第一包封層具有第一管芯和至少部分內嵌于其中的
多個電氣路由特征，所述第一管芯具有被置于所述第一包封層的第一側邊的多
個第一管芯級互連結構，其中所述電氣路由特征將所述第一包封層的所述第一
側邊與所述第一包封層的第二側邊電氣地耦合，并且其中所述第一包封層的所
述第一側邊設置于所述第一包封層的所述第二側邊的對面；
將第二管芯與所述第一包封層的第二側邊耦合，其中所述第二管芯包括多
個第二管芯級互連結構；
將所述多個第二管芯級互連結構與所述多個電氣路由特征中的至少子集
通過鍵合引線電氣地耦合；以及
在所述第二管芯和所述引線鍵合配置上方形成第二包封層以在所述第二
包封層中封裝所述第二管芯的至少部分和所述引線鍵合配置。
10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，提供所述第一包封層包括：
將所述第一管芯與載體耦合；
將所述多個電氣路由特征與所述載體耦合；以及
將包封材料置于所述第一管芯和所述多個電氣路由特征上方以形成所述
第一包封層。
11.如權利要求9所述的方法，其特征在于，提供所述第一包封層包括：
將所述第一管芯與載體耦合；
將包封材料置于所述第一管芯上方以形成所述第...

【專利技術屬性】
技術研發人員：T·邁耶，P·耶爾維能，R·帕藤，
申請(專利權)人：英特爾公司，
類型：發明
國別省市：美國;US