【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及紅外光電材料
，尤其涉及石墨烯基HgCdTe復(fù)合薄膜材料的制備方法。
技術(shù)介紹
制備HgCdTe薄膜的方法很多，主要有液相外延方法、金屬有機(jī)氣相沉淀方法、分子束外延法等，但上述技術(shù)都存在一定問題，如液相外延方法對(duì)襯底材料的要求非常嚴(yán)格，晶格失配度不能超過1％，外延過程中對(duì)材料的實(shí)時(shí)監(jiān)控能力較差；金屬有機(jī)氣相沉淀方法不能直接外延碲鎘汞，必須采用HgTe和CdTe交替生長(zhǎng)的IMP技術(shù)，并通過互擴(kuò)散才能形成碲鎘汞化合物，同時(shí)生長(zhǎng)溫度相對(duì)較高；分子束外延法對(duì)襯底的表面制備、外延溫度的測(cè)量和控制以及束流的穩(wěn)定性和精確測(cè)量要求十分嚴(yán)格，執(zhí)行過程困難。激光分子束外延(LMBE)法是一種新型的薄膜制備技術(shù)。起初用于制備Yb2Cu3O7-x等高溫超導(dǎo)體。隨后，在納米材料制備領(lǐng)域應(yīng)用越來(lái)越廣泛。它的特點(diǎn)是沉積時(shí)間短、所需溫度低、可以保持固定的組分等，在制備碲鎘汞薄膜材料中具有獨(dú)特的優(yōu)越性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
根據(jù)上述技術(shù)基礎(chǔ)，本專利技術(shù)的目的在于提供了一種工藝簡(jiǎn)單、成本低的大面積石墨烯基HgCdTe復(fù)合薄膜的的制備方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)的技術(shù)方案如下：所述制備方法包括石墨烯的制備、石墨烯的轉(zhuǎn)移和復(fù)合薄膜的制備3個(gè)階段。所述石墨烯的制備采用化學(xué)氣相沉積法(CVD)，基片是25μm的Cu箔，具體步驟如下：將管式爐石英管的真空度抽至10-3Pa，關(guān)掉分子泵，保留機(jī)械泵工作，以100sccm氣體流速向管內(nèi)通入H2，此時(shí)管內(nèi)的壓強(qiáng)為250Pa。將爐溫以10℃/min的速率升高至1100℃，恒溫40min，保持H2的流速和管內(nèi)的壓強(qiáng)不變，以25sccm氣體流速向...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種石墨烯基HgCdTe復(fù)合薄膜材料的制備方法，其特征在于該方法包括石墨烯的制備、石墨烯的轉(zhuǎn)移和復(fù)合薄膜的制備3個(gè)階段。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種石墨烯基HgCdTe復(fù)合薄膜材料的制備方法，其特征在于該方法包括石墨烯的制備、石墨烯的轉(zhuǎn)移和復(fù)合薄膜的制備3個(gè)階段。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的石墨烯的制備，其特征在于：所述石墨烯的制備采用化學(xué)氣相沉積法(CVD)，基片是25μm的Cu箔，具體步驟如下：將管式爐石英管的真空度抽至10-3Pa，關(guān)掉分子泵，保留機(jī)械泵工作，以100sccm氣體流速向管內(nèi)通入H2，此時(shí)管內(nèi)的壓強(qiáng)為250Pa。將爐溫以10℃/min的速率升高至1100℃，恒溫40min，保持H2的流速和管內(nèi)的壓強(qiáng)不變，以25sccm氣體流速向管內(nèi)通入CH4，生長(zhǎng)30min，生長(zhǎng)結(jié)束后將樣品自然冷卻至室溫。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的石墨烯的轉(zhuǎn)移...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：不公告發(fā)明人，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：李博琪，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：江蘇;32
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