一種半導(dǎo)體器件的制造方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：步驟S101：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成多晶硅層，所述多晶硅層為高摻雜多晶硅層，所述多晶硅層的厚度大于該多晶硅層形成功能層所需要的厚度；步驟S102：通過去除一定厚度的所述多晶硅層，來使所述多晶硅層的表面平整化；步驟S103：在所述多晶硅層上形成第一保護(hù)層；步驟S104：對(duì)所述半導(dǎo)體襯底執(zhí)行中間工藝操作；步驟S105：在所述第一保護(hù)層上形成第二保護(hù)層。該方法既可避免產(chǎn)生凸起缺陷對(duì)后續(xù)工藝和器件性能的影響，又可避免在執(zhí)行諸如測(cè)量關(guān)鍵尺寸、清洗等中間工藝操作時(shí)防止高濃度摻雜元素的繼續(xù)析出，從而延長(zhǎng)其操作時(shí)間。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體
，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。
技術(shù)介紹
NAND快閃式存儲(chǔ)器已廣泛用于USB閃存驅(qū)動(dòng)器，固態(tài)磁盤，手機(jī)，數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)和其他移動(dòng)設(shè)備的內(nèi)存卡，其存儲(chǔ)速度更快、更可靠，而且消耗的功率更小。NAND的存儲(chǔ)單元通常包括襯底以及位于襯底之上的隧穿氧化層、浮置柵極(第一多晶硅層)、介質(zhì)層以及控制柵極(第二多晶硅層)，在一些NAND的工藝中，會(huì)設(shè)計(jì)第二多晶硅層摻雜較高的磷，其磷濃度比其他工藝或其他步驟的摻雜濃度高很多，且不能減小，這導(dǎo)致高濃度的磷不斷析出，形成凸起，如圖1中A區(qū)域所述。雖然這種凸起缺陷本身不會(huì)對(duì)NAND的制造產(chǎn)生影響，但是會(huì)對(duì)后續(xù)的光刻造成影響。這是因?yàn)楣饪棠z等需要襯底表面具有較高的平整度，如果平面不平整，會(huì)導(dǎo)致曝光產(chǎn)生失焦(defoucus)，進(jìn)而導(dǎo)致存儲(chǔ)區(qū)的多晶硅線(刻蝕多晶硅層形成的多晶硅線)失焦，如圖1中B區(qū)域所示。而多晶硅線失焦會(huì)直接導(dǎo)致存儲(chǔ)總量的減少。此外，大量的凸起曲線會(huì)掩蓋對(duì)需要關(guān)注的缺陷(需要關(guān)注的缺陷指的是會(huì)對(duì)器件性能質(zhì)量等造成影響的缺陷)的判斷，這是因?yàn)橥蛊鹑毕莞叨容^高，當(dāng)數(shù)量較多時(shí)，在缺陷檢查和缺陷判斷時(shí)，需要關(guān)注的缺陷會(huì)被掩蓋住，導(dǎo)致誤判。因此，為解決上述技術(shù)問題，有必要提出一種新的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本專利技術(shù)提出一種半導(dǎo)體器件的制造方法，可以半導(dǎo)體器件制造中由于多晶硅層的高濃度摻雜，導(dǎo)致凸起缺陷，進(jìn)而影響后續(xù)工藝以及器件性能。本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括：步驟S101：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成多晶硅層，所述多晶硅層為高摻雜多晶硅層，所述多晶硅層的厚度大于該多晶硅層形成功能層所需要的厚度；步驟S102：通過去除一定厚度的所述多晶硅層，來使所述多晶硅層的表面平整化；步驟S103：在所述多晶硅層上形成第一保護(hù)層；步驟S104：對(duì)所述半導(dǎo)體襯底執(zhí)行中間工藝操作；步驟S105：在所述第一保護(hù)層上形成第二保護(hù)層。進(jìn)一步地，所述多晶硅層數(shù)量為兩層以上。進(jìn)一步地，所述兩層以上的多晶硅層中，最上層的多晶硅層的厚度大于該多晶硅層形成功能層所需要的厚度。進(jìn)一步地，在所述步驟S102中，使所述兩層以上的多晶硅層中，最上層的多晶硅層的表面平整化。進(jìn)一步地，所述步驟S102通過研磨或化學(xué)機(jī)械研磨完成。進(jìn)一步地，在所述步驟S103中，在所述兩層以上的多晶硅層中，在最上層的所述多晶硅層上形成所述第一保護(hù)層。進(jìn)一步地，，在所述步驟S103中通過臭氧處理所述多晶硅層以在所述多晶硅層表層形成氧化層，用作所述第一保護(hù)層。進(jìn)一步地，所述步驟S102和步驟S103在同一機(jī)臺(tái)內(nèi)完成。進(jìn)一步地，所述第二保護(hù)層厚度大于所述第一保護(hù)層。進(jìn)一步地，在所述半導(dǎo)體襯底形成的是NAND器件本專利技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造方法，由于在形成高摻雜的多晶硅層時(shí)，使其厚度大于該多晶硅層形成功能層所需要的厚度，并且一方面使研磨等方法去除諸如凸起的缺陷，同時(shí)使該多晶硅層表面平整，另一方面在平整該多晶硅層后形成第一保護(hù)層作為臨時(shí)保護(hù)層，阻止高濃度摻雜元素的繼續(xù)析出，這樣既可避免產(chǎn)生凸起缺陷對(duì)后續(xù)工藝和器件性能的影響，又可避免在執(zhí)行諸如測(cè)量關(guān)鍵尺寸、清洗等中間工藝操作時(shí)防止高濃度摻雜元素的繼續(xù)析出，從而延長(zhǎng)其操作時(shí)間。附圖說明本專利技術(shù)的下列附圖在此作為本專利技術(shù)的一部分用于理解本專利技術(shù)。附圖中示出了本專利技術(shù)的實(shí)施例及其描述，用來解釋本專利技術(shù)的原理。附圖中：圖1為一種現(xiàn)有的制造工藝所形成的存在缺陷的NAND器件的檢測(cè)圖示；圖2A～圖2D為本專利技術(shù)實(shí)施例一的半導(dǎo)體器件的制造方法的相關(guān)步驟形成的結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖3為根據(jù)本專利技術(shù)一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的一種流程圖。具體實(shí)施方式在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本專利技術(shù)更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本專利技術(shù)可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本專利技術(shù)發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。應(yīng)當(dāng)理解的是，本專利技術(shù)能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本專利技術(shù)的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由稀⑴c之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖诰娱g的元件或?qū)印Ｏ喾矗?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)印?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅用來區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本專利技術(shù)教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀薄Ｒ虼耍纠孕g(shù)語(yǔ)“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語(yǔ)相應(yīng)地被解釋。在此使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本專利技術(shù)的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語(yǔ)“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。這里參考作為本專利技術(shù)的理想實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的橫截面圖來描述專利技術(shù)的實(shí)施例。這樣，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或容差導(dǎo)致的從所示形狀的變化。因此，本專利技術(shù)的實(shí)施例不應(yīng)當(dāng)局限于在此所示的區(qū)的特定形狀，而是包括由于例如制造導(dǎo)致的形狀偏差。例如，顯示為矩形的注入?yún)^(qū)在其邊緣通常具有圓的或彎曲特征和/或注入濃度梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元改變。同樣，通過注入形成的埋藏區(qū)可導(dǎo)致該埋藏區(qū)和注入進(jìn)行時(shí)所經(jīng)過的表面之間的區(qū)中的一些注入。因此，圖中顯示的區(qū)實(shí)質(zhì)上是示意性的，它們的形狀并不意圖顯示器件的區(qū)的實(shí)際形狀且并不意圖限定本專利技術(shù)的范圍。為了徹底理解本專利技術(shù)，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本專利技術(shù)的技術(shù)方案。本專利技術(shù)的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本專利技術(shù)還可以具有其他實(shí)施方式。本專利技術(shù)提出的半導(dǎo)體器件的制造方法，用于制造典型地諸本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步驟S101：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成多晶硅層，所述多晶硅層為高摻雜多晶硅層，所述多晶硅層的厚度大于該多晶硅層形成功能層所需要的厚度；步驟S102：通過去除一定厚度的所述多晶硅層，來使所述多晶硅層的表面平整化；步驟S103：在所述多晶硅層上形成第一保護(hù)層；步驟S104：對(duì)所述半導(dǎo)體襯底執(zhí)行中間工藝操作；步驟S105：在所述第一保護(hù)層上形成第二保護(hù)層。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步驟S101：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成多晶硅層，所述多晶硅層為高摻雜多晶硅層，所述多晶硅層的厚度大于該多晶硅層形成功能層所需要的厚度；步驟S102：通過去除一定厚度的所述多晶硅層，來使所述多晶硅層的表面平整化；步驟S103：在所述多晶硅層上形成第一保護(hù)層；步驟S104：對(duì)所述半導(dǎo)體襯底執(zhí)行中間工藝操作；步驟S105：在所述第一保護(hù)層上形成第二保護(hù)層。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述多晶硅層數(shù)量為兩層以上。3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述兩層以上的多晶硅層中，最上層的多晶硅層的厚度大于該多晶硅層形成功能層所需要的厚度。4.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S102中，使所述兩層以上的多晶硅層中...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王通，任保軍，牛翼飛，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：中芯國(guó)際集成電路制造上海有限公司，中芯國(guó)際集成電路制造北京有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：上海;31