半導體加工設備制造技術

本發明專利技術提供一種半導體加工設備，包括等離子體產生腔，等離子體產生腔由側壁、頂蓋和底板限定而成，且在側壁外側環繞設置有法拉第屏蔽件，該法拉第屏蔽件包括具有開縫的導電環體，在導電環體的上端設置有沿其周向間隔設置的多個可產生彈性變形的彈性件，每個彈性件與頂蓋的下表面彈性接觸，以使法拉第屏蔽件和頂蓋之間實現電導通。本發明專利技術提供的半導體加工設備，其不僅可以使法拉第屏蔽件的拆卸更方便，從而有利于設備維護，而且還可以增加法拉第屏蔽件與頂蓋之間的接觸點數量，從而可以提高法拉第屏蔽件的接地性能。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及微電子
，具體地，涉及一種半導體加工設備。
技術介紹
在電感耦合等離子體加工設備(ICP)常用于制作半導體器件。圖1為電感耦合等離子體加工設備的剖視圖。請參閱圖1，電感耦合等離子體加工設備包括反應腔10，在反應腔10內設置有靜電卡盤11，用以承載襯底；在反應腔10的頂部設置有等離子體產生腔20，其側壁201采用非金屬材料制作，且在該等離子體產生腔20的外圍環繞設置有射頻線圈21，該射頻線圈21與射頻電源(圖中未示出)電連接，用以激發等離子體產生腔20內的工藝氣體形成等離子體。在實際應用中，為了屏蔽等離子體產生腔20內的電場，還需要在等離子體產生腔20的側壁201外側設置一法拉第屏蔽件22，在某些應用中，有時需要交替地向等離子體產生腔20內通入多種工藝氣體，以將多層材料交替地沉積在襯底表面，并對該襯底表面上的多層材料進行刻蝕，針對這種情況，利用該法拉第屏蔽件可以用于防止在交替通入多種工藝氣體時可能出現的“滅輝”現象，造成不能正常啟輝。目前的法拉第屏蔽件22是一個薄壁的圓筒，且沿該圓筒的圓周方向上間隔設置有多個沿圓筒軸線方向開設的條形孔。此外，法拉第屏蔽件22的上端和下端分別利用多個緊固螺釘23與等離子體產生腔20的頂蓋202和底板203固定連接，并且法拉第屏蔽件22通過各個緊固螺釘23與等離子體產生腔20的頂蓋202電導通而實現接地。但是，法拉第屏蔽件22的上述緊固方式在實際應用中存在以下問題：其一，緊固螺釘23不宜于拆裝，導致在開腔維護設備的工作量較大，而且由于需要經常拆卸法拉第屏蔽件22與等離子體產生腔20的頂蓋202之間的連接位置，長時間后容易影響法拉第屏蔽件22的接地性能。其二，由于受到腔室結構的限制，緊固螺釘23的數量不能過多(例如針對直徑為300cm的腔室，M4的螺釘一般不多于8個)，導致法拉第屏蔽件22與等離子體產生腔20的頂蓋202之間的接觸點數量有限，這也會影響法拉第屏蔽件22的接地性能。
技術實現思路
本專利技術旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種半導體加工設備，其不僅可以使法拉第屏蔽件的拆卸更方便，從而有利于設備維護，而且還可以增加法拉第屏蔽件與頂蓋之間的接觸點數量，從而可以提高法拉第屏蔽件的接地性能。為實現本專利技術的目的而提供一種半導體加工設備，包括等離子體產生腔，所述等離子體產生腔由側壁、頂蓋和底板限定而成，且在所述側壁外側環繞設置有法拉第屏蔽件，所述法拉第屏蔽件包括具有開縫的導電環體，在所述導電環體的上端設置有沿其周向間隔設置的多個可產生彈性變形的彈性件，每個彈性件與所述頂蓋的下表面彈性接觸，以使所述法拉第屏蔽件和所述頂蓋之間實現電導通。其中，每個所述彈性件包括傾斜部，所述傾斜部的下端設置在所述導電環體的上端，所述傾斜部的上端相對于所述導電環體朝外部的斜上方傾斜，且與所述頂蓋的下表面彈性接觸。其中，每個所述彈性件包括第一傾斜部和第二傾斜部，其中，所述第一傾斜部的下端設置在所述導電環體的上端，所述第一傾斜部的上端相對于所述導電環體向外傾斜或者向外水平延伸；所述第二傾斜部的下端與所述第一傾斜部的上端連接，所述第二傾斜部的上端相對于所述第一傾斜部向內部的斜上方傾斜，且與所述頂蓋的下表面彈性接觸。其中，每個所述彈性件包括第一水平部、第一傾斜部和第二傾斜部，其中，所述第一水平部的一端設置在所述導電環體的上端，所述第一水平部的另一端相對于所述導電環體向外水平延伸；所述第一傾斜部的下端與所述第一水平部的另一端連接，所述第一傾斜部的上端相對于所述第一水平部向內部的斜上方傾斜；所述第二傾斜部的一端與所述第一傾斜部的上端連接，所述第二傾斜部的另一端相對于所述第一傾斜部向內部的斜下方傾斜；所述第一傾斜部與第二傾斜部的連接處與所述頂蓋的下表面彈性接觸。其中，每個所述彈性件包括圓弧部，所述圓弧部設置在所述導電環體的上端，且自該上端沿順時針或逆時針的方向向上彎曲；所述圓弧部的頂端與所述頂蓋的下表面彈性接觸。其中，在所述頂蓋的下表面上，且與所述導電環體相對的位置處還設置有可產生彈性變形的環形彈性凸部，所述環形彈性凸部與各個彈性件彈性接觸。其中，所述環形彈性凸部包括第三傾斜部和第二水平部，其中，所述第三傾斜部的上端設置在所述頂蓋的下表面上，所述第三傾斜部的下端向斜下方傾斜；所述第二水平部的一端與所述第三傾斜部的下端連接，所述第二水平部的另一端沿水平方向延伸；各個彈性件與所述第二水平部彈性接觸。優選的，在所述導電環體的下端設置有沿其周向間隔設置的多個螺釘安裝部，且在每個螺釘安裝部上設置有安裝孔。優選的，所述法拉第屏蔽件所采用的材料包括純銅或者銅合金。優選的，在所述導電環體上設置有多個沿所述導電環體的軸向開設的條形孔，多個所述條形孔沿所述導電環體的周向均勻分布。本專利技術具有以下有益效果：本專利技術提供的半導體加工設備，其法拉第屏蔽件包括具有開縫的導電環體，在該導電環體的上端設置有沿其周向間隔設置的多個可產生彈性變形的彈性件，每個彈性件與頂蓋的下表面彈性接觸，以使法拉第屏蔽件和頂蓋之間實現電導通。由于上述法拉第屏蔽件與頂蓋彈性接觸，這不僅可以保證二者良好的導電接觸，而且可以取代緊固螺釘實現法拉第屏蔽件和頂蓋的多點接觸，從而不僅可以使法拉第屏蔽件的拆卸更方便、有利于設備維護，而且還可以增加法拉第屏蔽件與頂蓋之間的接觸點數量，從而可以提高法拉第屏蔽件的接地性能。附圖說明圖1為電感耦合等離子體加工設備的剖視圖；圖2為本專利技術實施例提供的半導體加工設備的剖視圖；圖3為本實施例所采用的法拉第屏蔽件的結構示意圖；圖4為圖2中I區域的放大圖；圖5為本專利技術實施例的一個變型實施例采用的彈性件的結構示意圖；圖6為本專利技術實施例的另一個變型實施例采用的彈性件的結構示意圖；以及圖7為本專利技術實施例的一個變型實施例采用的頂蓋與彈性件彈性連接的結構示意圖。具體實施方式為使本領域的技術人員更好地理解本專利技術的技術方案，下面結合附圖來對本專利技術提供的半導體加工設備進行詳細描述。圖2為本專利技術實施例提供的半導體加工設備的剖視圖。請參閱圖2,半導體加工設備包括反應腔40，在反應腔40內設置有用于承載被加工工件的承載裝置41，例如靜電卡盤、機械卡盤等。而且，在反應腔40的頂部設置有等離子體產生腔30，其由側壁、頂蓋本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種半導體加工設備，包括等離子體產生腔，所述等離子體產生腔由側壁、頂蓋和底板限定而成，且在所述側壁外側環繞設置有法拉第屏蔽件，其特征在于，所述法拉第屏蔽件包括具有開縫的導電環體，在所述導電環體的上端設置有沿其周向間隔設置的多個可產生彈性變形的彈性件，每個彈性件與所述頂蓋的下表面彈性接觸，以使所述法拉第屏蔽件和所述頂蓋之間實現電導通。

【技術特征摘要】
1.一種半導體加工設備，包括等離子體產生腔，所述等離子體
產生腔由側壁、頂蓋和底板限定而成，且在所述側壁外側環繞設置有
法拉第屏蔽件，其特征在于，所述法拉第屏蔽件包括具有開縫的導電
環體，在所述導電環體的上端設置有沿其周向間隔設置的多個可產生
彈性變形的彈性件，每個彈性件與所述頂蓋的下表面彈性接觸，以使
所述法拉第屏蔽件和所述頂蓋之間實現電導通。
2.根據權利要求1所述的半導體加工設備，其特征在于，每個
所述彈性件包括傾斜部，所述傾斜部的下端設置在所述導電環體的上
端，所述傾斜部的上端相對于所述導電環體朝外部的斜上方傾斜，且
與所述頂蓋的下表面彈性接觸。
3.根據權利要求1所述的半導體加工設備，其特征在于，每個
所述彈性件包括第一傾斜部和第二傾斜部，其中，
所述第一傾斜部的下端設置在所述導電環體的上端，所述第一
傾斜部的上端相對于所述導電環體向外傾斜或者向外水平延伸；
所述第二傾斜部的下端與所述第一傾斜部的上端連接，所述第
二傾斜部的上端相對于所述第一傾斜部向內部的斜上方傾斜，且與所
述頂蓋的下表面彈性接觸。
4.根據權利要求1所述的半導體加工設備，其特征在于，每個
所述彈性件包括第一水平部、第一傾斜部和第二傾斜部，其中，
所述第一水平部的一端設置在所述導電環體的上端，所述第一
水平部的另一端相對于所述導電環體向外水平延伸；
所述第一傾斜部的下端與所述第一水平部的另一端連接，所述
第一傾斜部的上端相對于所述第一水平部向內部的斜上方傾斜；
所述第二傾斜部的一端與所述第一傾斜部的上端連接，所...

【專利技術屬性】
技術研發人員：趙隆超，李興存，
申請(專利權)人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司，
類型：發明
國別省市：北京;11