磁記錄介質用玻璃基板和磁記錄介質制造技術

本發明專利技術涉及磁記錄介質用玻璃基板和磁記錄介質。本發明專利技術的課題在于提供可以穩定地進行磁記錄介質的讀寫的磁記錄介質用玻璃基板。一種磁記錄介質用玻璃基板，其為具有要形成磁性層的主平面的磁記錄介質用玻璃基板，其中，在將上述玻璃基板的上述主平面的表層的第13族元素的原子濃度的合計設為C1(原子％)、將上述表層的Si元素的原子濃度設為C2(原子％)、將上述玻璃基板的內部的第13族元素的合計設為C3(原子％)、將上述玻璃基板的內部的Si元素的原子濃度設為C4(原子％)時，由下述式(1)表示的R1為0.30～0.90。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及磁記錄介質用玻璃基板和磁記錄介質。
技術介紹
對于磁記錄介質用玻璃基板而言，為了實現記錄密度的更高密度化，要求減小表面粗糙度、減少在表面上存在的缺陷。例如在專利文獻1中記載了使用含有添加劑的拋光液對玻璃基板的主平面進行拋光、并使用含有添加劑的清洗液對拋光后的玻璃基板進行清洗，由此制造適合于高記錄密度磁盤用的基板的磁盤用玻璃基板。通過在拋光后的玻璃基板的主平面上形成磁性層等膜而得到磁記錄介質。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：WO2010/038741A1
技術實現思路
專利技術所要解決的問題希望通過磁記錄介質的高密度化而減小進行磁記錄介質的讀寫的磁頭的距離磁記錄介質的浮動高度(以下，簡稱為“磁頭的浮動高度”)。伴隨著磁記錄介質的高密度化，產生了難以減小磁頭的浮動高度、難以穩定地進行磁記錄介質的讀寫的問題。本專利技術鑒于上述課題而作出，其主要目的在于提供可以穩定地進行磁記錄介質的讀寫的磁記錄介質用玻璃基板。用于解決問題的手段為了解決上述課題，根據本專利技術的一個方式，提供一種磁記錄介質用玻璃基板，其為具有要形成磁性層的主平面的磁記錄介質用玻璃基板，其中，在將上述玻璃基板的上述主平面的表層的第13族元素的原子濃度的合計設為C1(原子％)、將上述表層的Si元素的原子濃度設為C2(原子％)、將上述玻璃基板的內部的第13族元素的合計設為C3(原子％)、將上述玻璃基板的內部的Si元素的原子濃度設為C4(原子％)時，由下述式(1)表示的R1為0.30～0.90。R1=C1/C2C3/C4...(1)]]>專利技術效果根據本專利技術的一個方式，可以提供能夠穩定地進行磁記錄介質的讀寫的磁記錄介質用玻璃基板。附圖說明圖1是表示基于本專利技術的一個實施方式的磁記錄介質用玻璃基板的立體圖。圖2是表示使用基于本專利技術的一個實施方式的玻璃基板的磁記錄介質的剖視圖。圖3是表示基于本專利技術的一個實施方式的玻璃基板的制造方法的流程圖。圖4是表示用于測定基于本專利技術的一個實施方式的玻璃基板中的各元素的原子濃度的X射線光電子能譜儀的圖。附圖標記10磁記錄介質用玻璃基板11第1主平面12第2主平面20磁記錄介質21磁性層22保護層23潤滑層具體實施方式以下，對用于實施本專利技術的方式參照附圖進行說明。各附圖中，對于相同的或對應的構成，標記相同的或對應的符號并省略說明。本說明書中，表示數值范圍的“～”是指包含其前后的數值的范圍。圖1是表示基于本專利技術的一個實施方式的磁記錄介質用玻璃基板的立體圖。磁記錄介質用玻璃基板10(以下，也簡稱為“玻璃基板10”)為圓盤狀，并在中央部具有圓孔13。玻璃基板10具有第1主平面11和第2主平面12。圖2是表示使用基于本專利技術的一個實施方式的玻璃基板的磁記錄介質的剖視圖。磁記錄介質20具有玻璃基板10、磁性層21、保護層22和潤滑層23等。磁性層21、保護層22和潤滑層23依次形成在玻璃基板10的第1主平面11上，但也可以形成在玻璃基板10的第2主平面12上，還可以形成在這兩個主平面(第1主平面11和第2主平面12)上。磁性層21可以為垂直磁記錄用磁性層，此時，具有相對于記錄面垂直的易磁化軸。從提高記錄密度的觀點考慮，記錄方式優選能量輔助磁記錄方式。磁性層21為垂直磁記錄用磁性層時，由含有Co、Cr、Pt中的至少1種的材料形成，例如由CoCrPt基合金形成。磁性層21為粒狀結構，因此優選為在CoCrPt基合金等磁性材料中添加了氧化物、類金屬元素或金屬元素的磁性層。作為氧化物，使用例如SiO2、Cr2O3、CoO、Ta2O5或TiO2。作為類金屬元素，使用例如B。作為金屬元素，使用例如Cr、Cu、Ta或Zr。磁性層21可以與非磁性層交替層疊。由此，可以使磁性層21反鐵磁性交換耦合。非磁性層由例如Ru或Ru合金形成，具有例如0.6nm～1.2nm的厚度。在磁性層21與玻璃基板10之間可以進一步形成基底層。磁性層21為垂直磁記錄用磁性層時，基底層由Co、Fe或Ni等軟磁性材料形成，發揮使來自磁頭的記錄磁場閉合的作用。作為軟磁性材料，使用FeCo基合金、FeNi基合金、FeAl基合金、FeCr基合金、FeTa基合金、FeMg基合金、FeZr基合金、FeC基合金、FeN基合金、FeSi基合金、FeP基合金、FeNb基合金、FeHf基合金、或FeB基合金等。在玻璃基板10與基底層之間可以進一步形成密合層。密合層抑制由玻璃基板10的吸附氣體或吸附水分、來自玻璃基板10的擴散成分等引起的基底層的腐蝕。作為密合層的材料，使用Cr、Cr合金、Ti、或Ti合金等。密合層的厚度例如為2nm～40nm。作為密合層的形成方法，使用例如濺射法等。在磁性層21與基底層之間可以進一步形成取向控制層。取向控制層將磁性層的晶粒細化，從而使記錄再生特性提高。作為取向控制層的材料，使用Ru、Ru合金、含有Pt、Au和Ag中的至少1種的材料、CoCr基合金、Ti、或Ti合金。取向控制層具有便于垂直磁記錄用磁性層21的外延生長的功能和切斷基底層與磁性層的磁交換耦合的功能。在取向控制層與基底層之間可以進一步形成晶種層。晶種層控制取向控制層的晶粒尺寸。晶種層由例如NiW基合金形成。保護層22用于防止磁性層21的腐蝕、并且防止由與磁頭的接觸導致的磁性層21的劃痕的產生。作為保護層22的材料，使用C、ZrO2或SiO2等。作為保護層22的形成方法，使用例如濺射法或CVD法等。潤滑層23用于減小與磁頭的摩擦。作為潤滑層23的材料，使用全氟聚醚、氟化醇或氟化羧酸等。作為潤滑層23的形成方法，使用例如浸漬法或噴霧法等。磁記錄介質20的記錄密度例如為660Gbit/平方英寸、750Gbit/平方英寸、1Tbit/平方英寸中的任一個，可以超過1Tbit/平方英寸。圖3是表示基于本專利技術的一個實施方式的玻璃基板的制造方法的流程圖。如圖3所示，玻璃基板的制造方法包括原板加工工序S11、第1研磨工序S12、倒角工序S13、端面拋光工序S14、第2研磨工序S15、第1拋光工序S16、第1清洗工序S17、第2拋光工序S18和第2清洗工序S19。原板加工工序S11中，通過加工玻璃原板而得到在中央部具有圓孔的圓盤狀的玻璃基板。玻璃原板通過例如浮法本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種磁記錄介質用玻璃基板，其為具有要形成磁性層的主平面的磁記錄介質用玻璃基板，其中，在將所述玻璃基板的所述主平面的表層的第13族元素的原子濃度的合計設為C1原子％、將所述表層的Si元素的原子濃度設為C2原子％、將所述玻璃基板的內部的第13族元素的合計設為C3原子％、將所述玻璃基板的內部的Si元素的原子濃度設為C4原子％時，由下述式(1)表示的R1為0.30～0.90，R1=C1/C2C3/C4...(1).]]>

【技術特征摘要】
2014.12.12 JP 2014-2523961.一種磁記錄介質用玻璃基板，其為具有要形成磁性層的主平面
的磁記錄介質用玻璃基板，其中，
在將所述玻璃基板的所述主平面的表層的第13族元素的原子濃
度的合計設為C1原子％、將所述表層的Si元素的原子濃度設為C2原
子％、將所述玻璃基板的內部的第13族元素的合計設為C3原子％、將
所述玻璃基板的內部的Si元素的原子濃度設為C4原子％時，由下述式
(1)表示的R1為0.30～0.90，
R1=C1/C2C3/C4...(1).]]>2.如權利要求1所述的磁記錄介質用玻璃基板，其中，在將所述
表層的堿金屬的原子濃度的合計設為C5原子％、將所述表層的第2族
元素的原子濃...

【專利技術屬性】
技術研發人員：宮谷克明，小林大介，
申請(專利權)人：旭硝子株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP