用于改進(jìn)的電路隔離的可調(diào)諧防護(hù)環(huán)制造技術(shù)

公開了一種用于改進(jìn)的電路隔離的可調(diào)諧防護(hù)環(huán)。在示例性實(shí)施例中，設(shè)備包括形成在集成電路上并且以所選擇的耦合因子磁性耦合到形成在集成電路上的第一電感器(504t)的閉合回路防護(hù)環(huán)(512t)。設(shè)備還包括形成閉合回路防護(hù)環(huán)的部分并且被配置成減小從第一電感器到第二電感器(508t)的磁場耦合的可調(diào)諧電容器(520)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本申請總體上涉及模擬前端的操作和設(shè)計(jì)，并且更特別地涉及用以改善電路隔離的防護(hù)環(huán)的操作和設(shè)計(jì)。
技術(shù)介紹
無線設(shè)備正在變得越來越復(fù)雜并且現(xiàn)在例行地提供多模式和多頻帶操作。因此，電路面積的有效利用已經(jīng)成為主要的關(guān)注點(diǎn)。為了解決這一問題，正在開發(fā)更小的射頻集成電路(RFIC)。然而，當(dāng)RFIC的尺寸隨著功能的增加而減小時(shí)，維持RFIC上的各個(gè)電路之間的隔離變得越來越具有挑戰(zhàn)性。例如，單個(gè)RFIC可以包括分別在多個(gè)頻帶操作的多個(gè)電路。因此，以所選擇的頻率操作的一個(gè)電路的電感器可以輻射耦合到在RFIC的其他電路中使用的電感器的相關(guān)聯(lián)的磁場。該磁場交叉耦合可能導(dǎo)致RFIC上的電路中的一個(gè)或多個(gè)電路的性能下降。克服該交叉耦合的一種技術(shù)是在RFIC上的各個(gè)電路之間提供更大的分離。不幸的是，這可能導(dǎo)致可能不適合小型無線設(shè)備的電路面積的不太高效的使用以及更大的RFIC。因此，理想的是，具有用于與RFIC一起使用的改進(jìn)的電路隔離的機(jī)制以促進(jìn)電路面積的高效使用。附圖說明本文中所描述的上述方面在結(jié)合附圖時(shí)通過參考以下描述將很容易變得很清楚，在附圖中：圖1示出了具有多個(gè)電路并且包括用于改進(jìn)的電路隔離的新穎的可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)的RFIC的示例性實(shí)施例；圖2示出了圖1所示的可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)的示例性詳細(xì)實(shí)施例；圖3示出了圖示由可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)的示例性實(shí)施例提供的信號耦合的減小的圖；圖4圖示可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)的示例性實(shí)現(xiàn)；圖5示出了包括多個(gè)閉合防護(hù)環(huán)實(shí)現(xiàn)的RFIC的示例性詳細(xì)實(shí)施例；圖6圖示了圖5所示的RFIC的示例性實(shí)現(xiàn)；以及圖7示出了被配置用于改進(jìn)的電路隔離的可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)裝置的示例性實(shí)施例。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖給出的詳細(xì)描述意圖作為本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例的描述，而非意圖僅表示其中能夠?qū)嵺`本專利技術(shù)的實(shí)施例。遍及本描述使用的術(shù)語“示例性”表示“用作示例、實(shí)例或說明”，而不應(yīng)當(dāng)必須理解為比其他示例性實(shí)施例優(yōu)選或有利。詳細(xì)描述出于提供對本發(fā)明的示例性實(shí)施例的透徹理解的目的而包括具體細(xì)節(jié)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚，本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下來實(shí)踐。在一些實(shí)例中，用框圖形式示出了眾所周知的結(jié)構(gòu)和設(shè)備，以避免模糊本文中所呈現(xiàn)的示例性實(shí)施例的新穎性。圖1示出了具有多個(gè)電路并且包括用于改進(jìn)的電路隔離的新穎的可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)108的RFIC100的示例性實(shí)施例。RFIC100包括被配置用于在5GHz頻帶操作的第一電路102、被配置用于在2.4GHzWiFi頻帶操作的第二電路104、以及被配置用于在2.45GHz藍(lán)牙頻帶操作的第三電路106。第三電路106包括被配置成提供改進(jìn)的電路隔離的可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)108的示例性實(shí)施例。在一些示例性實(shí)施例中，電路102、電路104、電路106可以包括儲能電路、振蕩器電路、諧振電路或者其中信號耦合是關(guān)注點(diǎn)的任何其他類型的電路。在操作期間，磁場能量可以在電路102、電路104和電路106之間耦合。例如，與來自第三電路106中的電感器的第二諧波頻率相關(guān)聯(lián)的磁場能量可以耦合到第一電路102中的電感器。例如，電路106的第二諧波頻率的磁場能量可以在5GHz的頻帶中，并且耦合到第一電路102中的電感器，從而降低被配置成在該頻率范圍操作的第一電路102的性能。可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)108操作以減小由電路106生成的第二(或其他)諧波頻率的磁場能量，從而減小到第一電路102的耦合的量，以提供增加的電路隔離。通過使用可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)108提供增加的電路隔離，可以高效地使用RFIC100的面積。例如，使用可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)108以允許將電路102和106定位成彼此更接近，而沒有因磁場的交叉耦合所致的性能降低。下面提供可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)108的更詳細(xì)的描述。圖2示出可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)108的示例性詳細(xì)實(shí)施例。電路106包括電感器210，電感器210也可以稱為干擾電感器(aggressorinductor)。電路102包括電感器208，電感器208也可以稱為受擾電感器(victiminductor)。由于電路100上電感器208、210的接近，可能出現(xiàn)從干擾電感器210到受擾電感器208的磁性耦合，從而降低電路102的性能。例如，電感器210可以以耦合因子k2耦合到電感器208，并且與電路106的第二諧波頻率相關(guān)聯(lián)的磁場能量可以通過受擾電感器208耦合到電路102?？烧{(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)108被配置成通過頻率選擇性耦合提供到受擾電感器208的增強(qiáng)的隔離，從而減小由干擾電感器210以所選擇的頻率輻射的磁場能量的耦合。可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)108包括具有與可變(或可調(diào)諧)電容器206和電阻器204串聯(lián)連接的電感器202的閉合回路。在示例性實(shí)施例中，可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)108由RFIC100上適當(dāng)?shù)夭季€的信號跡線來形成。信號跡線被配置成向電感器202提供所選擇的電感的量并且向電阻器204提供所選擇的電阻的量。電容器206包括形成可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)108的一部分的任意合適的可調(diào)諧電容器設(shè)備。在示例性實(shí)施例中，可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)108被放置在靠近干擾電感器210的區(qū)域內(nèi)，從而在干擾電感器210與可調(diào)諧防護(hù)環(huán)108的電感器202之間建立所選擇的量的耦合(k1)?？烧{(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)108的電感器202與受擾電感器208之間可能存在所選擇的量的耦合(k3)。串聯(lián)連接的可調(diào)諧電容器206提供使用控制信號(ctl)來控制的所選擇的電容的量，控制信號在各種實(shí)施例中由控制器、處理器或者被配置用于與RFIC100一起操作的某個(gè)其他實(shí)體。由可調(diào)諧電容器206提供的電容的量被選擇為使得可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)108在干擾電感器210的操作頻率時(shí)大致用作開路。在干擾電感器210的操作頻率外部，可調(diào)諧防護(hù)環(huán)108大致用作短路。因此，在圖2所示的實(shí)施例中，可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)108在2.5GHz處大致用作開路并且在5GHz處大致用作用于第二諧振頻率的閉合電路。因此，可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)108操作以在5GHz的第二諧波頻率減小磁場能量。因此，受擾電感器208被保護(hù)(或者隔離)免受由可以耦合到受擾電感器208并且降低電路102的性能的干擾電感器210生成的第二諧波頻率的磁場能量的影響。可調(diào)諧閉合防護(hù)環(huán)108還操作以在干擾電感器210的操作頻率提供高阻抗(即大致開路)并且因此沒有降低干擾電感器210或電路106<本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種設(shè)備，包括：閉合回路防護(hù)環(huán)，形成在集成電路上并且以所選擇的耦合因子磁性耦合到形成在所述集成電路上的第一電感器；以及可調(diào)諧電容器，形成所述閉合回路防護(hù)環(huán)的一部分并且被配置成減小從所述第一電感器到第二電感器的磁場耦合。

【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】2013.11.11 US 14/076,2981.一種設(shè)備，包括：
閉合回路防護(hù)環(huán)，形成在集成電路上并且以所選擇的耦合因子磁
性耦合到形成在所述集成電路上的第一電感器；以及
可調(diào)諧電容器，形成所述閉合回路防護(hù)環(huán)的一部分并且被配置成
減小從所述第一電感器到第二電感器的磁場耦合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述閉合回路防護(hù)環(huán)環(huán)繞在所述
集成電路上的所述第一電感器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述可調(diào)諧電容器響應(yīng)于控制信
號被調(diào)諧。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述第一電感器環(huán)繞在所述集成
電路上的所述閉合回路防護(hù)環(huán)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，還包括耦合到在所述集成電路上
的所述第一電感器的一個(gè)或多個(gè)附加的閉合回路防護(hù)環(huán)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，至少一個(gè)附加的防護(hù)環(huán)環(huán)繞在所
述集成電路上的所述第一電感器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述第一電感器形成以第一頻率
操作的第一電路的一部分，并且所述第二電感器形成以第二頻率操作
的第二電路的一部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，所述第一頻率被配置成小于所述
第二頻率。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，所述閉合回路防護(hù)環(huán)被配置成減
小所述第一頻率的諧波對所述第二電感器的磁場耦合。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述閉合回路防護(hù)環(huán)包括串聯(lián)
連接并且被調(diào)諧以在所選擇的頻率范圍內(nèi)減小從所述第一電感器到
所述第二電感器的磁場耦合的電感元件、電阻元件和...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：M·P·布哈加特，T·A·邁耶斯，南嵐，金章，
申請(專利權(quán))人：高通股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：美國;US