晶圓背面印膠的封裝方法技術

本發明專利技術公開了晶圓背面印膠的封裝方法，包括晶圓，膠層和基板，對整片晶圓執行減薄、刷膠、貼藍膜、切割、上片、烘烤工藝，其包括：晶圓背面減薄、晶圓背面刷硅膠、晶圓背面貼藍膜、晶圓切割、上片、烘烤；上述技術方案是將背面刷膠再貼藍膜的晶圓切割為單顆晶圓顆粒，改變晶圓對DAF膜的依賴，極大降低固晶直接材料成本；避免點膠工藝不均勻造成的膠層空洞，提高封裝工藝可靠性，同時提高固晶后芯片平整度，有利于焊線制程穩定，在不增加工藝復雜的情況下同，降低成本，改善晶圓和基板結合品質。

Packaging method for wafer back printing

The invention discloses a wafer packaging method, printed on the back glue layer and the substrate, including a wafer, to perform the whole wafer thinning, brushing glue, paste, blue film, cutting film, baking process, including: wafer back thinning wafer, brush the back of silica gel, the back side of the wafer with blue film, crystal cutting and, baking; the technical scheme is on the back of brush glue paste blue film wafer cutting for the single wafer wafer depends on DAF particles, change of membrane, greatly reducing the solid crystal materials cost; avoid dispensing process caused by uneven layer voids, improve packaging technology and improve the reliability of solid crystal the chip formation, is conducive to the welding process stability, no increase in complicated condition, reduce the cost, improve the quality of the wafer and the substrate binding.

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及了集成電路封裝
，特別公開了晶圓背面印膠的封裝方法。
技術介紹
當前，集成電路封裝中，常規IC，即集成電路是采用半導體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法，將元器件組合成完整的電子電路。由于工藝的不同，集成電路封裝的方式也有很多種，其中封裝工藝中的固晶工藝所用粘貼方式包括兩種：一種工藝是利用晶圓背面貼覆的DAF膜(DieAttachFilm)，通過DAF膜加熱，使晶圓和基板粘合(如圖1所示)，把晶圓固定在基板上；而另一種工藝是使用膠水，一般是銀膠或紅膠在基板上先點膠，也就是把膠水，通常是添加銀粒子的白色膠水或不添加銀離子的紅色膠水，通過膠管擠在基板上，然后再將晶圓(die)壓放在膠層上，讓晶圓(die)和基板結合(如圖2所示)。其中，第一種工藝中所用的DAF膜因制作工藝復雜和原材料昂貴，價格居高不下。第二種工藝中所用的點膠工藝不能保證膠層均勻容易產生空洞，尤其對于大的芯片，空洞產生的幾率更高，空洞面積也更大，給后續的制程造成干擾，給產品的品質穩定系造成極大的風險，所以有待推陳出新。
技術實現思路
為了解決現有技術中制作工藝復雜和原材料昂貴，價格居高不下的問題，本專利技術公開了一種降低材料成本而又克服點膠所產生的問題，通過在晶圓的背面刷硅膠，使其與基板結合緊密的一種晶圓背面印膠的封裝方法。本專利技術公開了晶圓背面印膠的封裝方法，包括晶圓，膠層和基板，所述晶圓為整片晶圓，所述膠層為硅膠層，對所述整片晶圓執行減薄工藝、刷膠工藝、貼藍膜工藝、切割工藝、上片工藝、烘烤工藝，其包括：步驟一、減薄工藝：晶圓背面減薄，將晶圓背面朝上，用磨輪把晶圓進行磨平、減薄，將減薄后的整片晶圓置于陶瓷真空吸附平臺上；步驟二、刷膠工藝：晶圓背面刷硅膠，將絲網鋼板覆蓋在整片晶圓的背面，絲網鋼板和整片晶圓進行對位放置，在絲網鋼板上涂上硅膠，用刮刀將絲網鋼板上的硅膠均勻的印到整片晶圓背面；步驟三、貼藍膜工藝：晶圓背面貼藍膜，進行封裝工藝中的晶圓貼片制程，在整片晶圓背面的硅膠上面貼加藍膜，將其邊緣貼在鐵環上；步驟四、切割工藝：晶圓切割，將整片晶圓和覆蓋其背面的硅膠膜放在切割機上一起切割，切割后成為背面有硅膠膜的單顆晶圓顆粒，單顆晶圓顆粒的背面就形成一層均勻的硅膠膜；步驟五、上片工藝：把切割好的單顆晶圓顆粒通過固晶工藝，固定在基板上；步驟六、烘烤工藝：使單顆晶圓顆粒和基板之間進一步固化。作為本專利技術進一步限制地，減薄工藝可用晶圓減薄設備，可將網印的功能加裝到貼膜模塊里面自動完成。作為本專利技術進一步限制地，所述絲網鋼板上設有多個等面積的矩形開孔。作為本專利技術進一步限制地，所述藍膜為晶圓切割膜。作為本專利技術進一步限制地，所述藍膜大于單顆晶圓面積。作為本專利技術進一步限制地，所述減薄和貼膜可用晶圓減薄設備，可將網印的功能加裝到貼膜模塊里面自動完成。作為本專利技術進一步限制地，所述鐵環為在切割時，用于支撐藍膜固定單顆晶圓的鐵框。與現有技術相比，本專利技術有益效果是：該方法通過在整片晶圓背面通過絲網網板刷硅膠，再加貼藍膜切割為單顆晶圓顆粒，從而改變了晶圓對DAF膜的依賴，極大的降低固晶直接材料成本；還避免了點膠工藝中不均勻問題造成的膠層空洞，提高集成電路封裝封裝工藝的可靠性，同時也提高固晶后芯片平整度利于焊線制程的穩定，在不增加工藝復雜的情況下，降低成本，改善芯片和基板結合品質。附圖說明圖1和圖2是現有的晶圓封裝方法示意圖。圖3是本專利技術中晶圓背面印膠的封裝方法的步驟框圖。圖4是本專利技術中晶圓背面印膠的封裝方法步驟一示意圖。圖5是本專利技術中晶圓背面印膠的封裝方法步驟二示意圖。圖6是本專利技術中晶圓背面印膠的封裝方法步驟三示意圖。圖7是本專利技術中晶圓背面印膠的封裝方法步驟四示意圖。圖8是本專利技術中晶圓背面印膠的封裝方法步驟五示意圖。圖9是本專利技術中晶圓背面印膠的封裝方法步驟六示意圖。圖中，整片晶圓1，單顆晶圓11，硅膠2，藍膜3，絲網鋼板4，矩形開孔41，切割后的晶圓5，基板6，吸盤7，磨輪8。具體實施方式下面結合附圖對本專利技術做進一步說明，應當理解，此處所描述的具體實施例僅用于解釋本專利技術，并不用于限定本專利技術。如圖1和圖2所示，現有晶圓在集成電路封裝的方法，其中包括兩種常規的工藝方法，第一種工藝：晶圓通過DAF膜粘貼，因制作工藝復雜和原材料昂貴，價格居高不下；而第二種工藝，晶圓通過點膠工藝粘貼，因點膠工藝不能保證膠層均勻，容易產生空洞，尤其對于大的芯片，空洞產生的機率更高，空洞面積也更大，給后續的制程造成干擾，給產品的品質穩定系造成極大的風險。如圖3至圖7所示，本專利技術公開的晶圓背面印膠的封裝方法，包括用于封裝的晶圓1，膠層和基板6，所述晶圓為整片晶圓，也就是未經過加工的晶圓整體，所述膠層為硅膠2，這樣設置是因為硅膠是一種環氧樹脂，價格便宜，加熱后粘結效果好，無空洞。對所述整片晶圓1執行減薄工藝，刷膠工藝，貼藍膜工藝，切割工藝，上片工藝，烘烤工藝，其包括：步驟S200、減薄工藝：晶圓背面減薄：將整片晶圓1背面朝上，用磨輪8把整片晶圓1進行磨平、減薄，置于陶瓷真空吸附平臺上；上述步驟S200，如圖4和圖5所示，所述減薄后的整片晶圓為封裝工藝中研磨到所需厚度的整片晶圓1。所述晶圓1為硅半導體集成電路制作所用的硅芯片，由于其形狀為圓形。而晶圓1是生產集成電路所用的載體，其大多為單晶硅圓。在晶圓芯片1，其常用的直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規格，還包括更大規格如12英時以上等。晶圓越大，同一圓片上可生產的集成電路就越多，可降低成本；步驟S201、刷膠工藝：晶圓1背面刷硅膠：將絲網鋼板4覆蓋在整片晶圓1的上表面，絲網鋼板41和整片晶圓4進行對位放置，在絲網鋼板4上涂上硅膠，用刮刀將絲網鋼板上的硅膠均勻的印到整片晶圓1背面。上述步驟S201，如圖6所示，所述絲網鋼板上的硅膠包括了Yiztech的NC7720M，Henkel的6202C，所述絲網鋼板4上設有多個等面積的矩形開孔41，這樣設置，便于在矩形開孔內均勻涂上硅膠；另外，目前，多數公司是減薄和貼膜是一體的設備，其為晶元減薄設備，其中包括迪斯科的DFG8761(晶元減薄)與DFM2800(晶元貼膜)組成的一體機，DFG8560(晶元減薄)和LTD2500(晶元貼膜)組成的一體機，東京精密的減薄貼膜一體機：PG300RM，PG200RM，PG300RM等，其可將網印的功能加裝到貼膜模塊里面，可將網印的功能加裝到貼膜模塊里面自動完成。步驟S202、貼藍膜工藝：晶圓背面貼藍膜，進行封裝工藝中的晶圓貼片制程，在晶圓芯片1背面的硅膠2上面貼上藍膜3，將其邊緣貼在鐵環上；上述步驟S202，如圖7所示，所述藍膜3為半導體粘合物的一種，其為晶圓切割膜，其為一種膠帶，在晶圓切割和上片過程中，起承載傳輸作用，其包括多家日企和韓企生產的膜Lintec的D-175，D-176等；而所述藍膜大于晶圓面積，所述鐵環為在切割時，用于支撐藍膜固定晶圓芯片的鐵框；步驟S203、切割工藝：晶圓切割，放在切割機將晶圓芯片和硅膠一起切割，切割后成為背面有硅膠膜的單顆晶圓，單顆晶圓背面就形成一層均勻的硅膠膜；步驟S204、上片工藝：把單顆晶圓通過固晶工藝，固定在基板本文檔來自技高網...

【技術保護點】
晶圓背面印膠的封裝方法，包括晶圓，膠層和基板，其特征在于：所述晶圓為整片晶圓，所述膠層為硅膠層，對所述整片晶圓執行減薄工藝、刷膠工藝、貼藍膜工藝、切割工藝、上片工藝、烘烤工藝，其包括：步驟一、減薄工藝：晶圓背面減薄，將晶圓背面朝上，用磨輪把晶圓進行磨平、減薄，將減薄后的整片晶圓置于陶瓷真空吸附平臺上；步驟二、刷膠工藝：晶圓背面刷硅膠，將絲網鋼板覆蓋在整片晶圓的背面，絲網鋼板和整片晶圓進行對位放置，在絲網鋼板上涂上硅膠，用切割刀將絲網鋼板上的硅膠均勻的印到整片晶圓背面形成膠膜；步驟三、貼藍膜工藝：晶圓背面貼藍膜，在整片晶圓背面的硅膠上面貼加藍膜，將其邊緣貼在鐵環上；步驟四、切割工藝：晶圓切割，將整片晶圓和覆蓋其背面的硅膠膜放在切割機上一起切割，切割后成為背面有硅膠膜的單顆晶圓，單顆晶圓的背面就形成一層均勻的硅膠膜；步驟五、上片工藝：把切割好的單顆晶圓通過固晶工藝，固定在基板上；步驟六、烘烤工藝：使單顆晶圓顆粒和基板之間進一步固化。

【技術特征摘要】
1.晶圓背面印膠的封裝方法，包括晶圓，膠層和基板，其特征在于：所述晶圓為整片晶圓，所述膠層為硅膠層，對所述整片晶圓執行減薄工藝、刷膠工藝、貼藍膜工藝、切割工藝、上片工藝、烘烤工藝，其包括：步驟一、減薄工藝：晶圓背面減薄，將晶圓背面朝上，用磨輪把晶圓進行磨平、減薄，將減薄后的整片晶圓置于陶瓷真空吸附平臺上；步驟二、刷膠工藝：晶圓背面刷硅膠，將絲網鋼板覆蓋在整片晶圓的背面，絲網鋼板和整片晶圓進行對位放置，在絲網鋼板上涂上硅膠，用切割刀將絲網鋼板上的硅膠均勻的印到整片晶圓背面形成膠膜；步驟三、貼藍膜工藝：晶圓背面貼藍膜，在整片晶圓背面的硅膠上面貼加藍膜，將其邊緣貼在鐵環上；步驟四、切割工藝：晶圓切割，將整片晶圓和覆蓋其背面的硅膠膜放在切割機上一起切割，切割后成為背面有硅膠膜的單顆晶圓，單顆晶圓的背面就形成一層均勻的硅膠膜；步驟五、...

【專利技術屬性】
技術研發人員：凡會建，李文化，彭志文，
申請(專利權)人：特科芯有限公司，
類型：發明
國別省市：江蘇;32