一種芯片封裝結構的制造方法及芯片封裝結構技術

本發明專利技術提供了一種芯片封裝結構的制造方法及芯片封裝結構，先在封裝載體上形成第一重布線層，然后再在所述第一重布線層上形成N層第二重布線層，接著將芯片電連接到最頂層第二重布線層上，最后再去除所述封裝載體，使的所述第一重布線層裸露在所述芯片封裝結構的表面，以作為所述芯片封裝結構與外部電連接的外引腳。由于所述的制造方法先配置重布線層，再安裝芯片，就算配置重布線層的過程中出現了錯誤，也不會引起芯片的報廢，有效的提高了芯片封裝的良率以及降低芯片封裝的成本。

Method for manufacturing chip packaging structure and chip packaging structure

The present invention provides a method for manufacturing the chip package structure and chip package structure, first formed in the package carrier on the first re routing layer, N layer and then the second wiring layer is formed on the first wiring layer, then the chip is electrically connected to the top of the second wiring layer, and finally remove the the packaging carrier, make the first wiring layer exposed on the surface of the chip package structure, as the chip package structure is connected with the external electric outer pin. The method of manufacturing the first wiring layer due to heavy configuration, and then install the chip, even if the configuration process re routing layer in the wrong, will not cause scrap chips, effectively improve the yield of chip package and reduce chip package cost.

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及芯片封裝
，尤其涉及一種芯片封裝結構的制造方法及芯片封裝結構。
技術介紹
隨著集成電路的集成度提高，半導體裸芯片上的電極焊盤越來越多，電極焊盤之間的間距也越來越小，為了能更好的將半導體裸芯片上的電極引出到封裝結構的表面與外部電連接，在封裝半導體裸芯片的過程中通常會為半導體裸芯片配置多層重布線層，以重新排布半導體裸芯片的電極后再與外部電連接。現有的為半導體裸芯片配置重布線層的封裝工藝步驟為：先將半導體裸芯片安裝在芯片承載裝置上，半導體裸芯片的有源面朝上，然后再在半導體裸芯片的有源面上一層層的配置重布線層。這種封裝工藝由于需要先安裝半導體裸芯片，再在半導體裸芯片的有源面上配置重布線層，若在配置重布線層的工段中出現了錯誤，就可能使得整塊半導體裸芯片報廢掉，工藝成本高。
技術實現思路
有鑒于此，本專利技術提供了一種芯片封裝結構的制造方法及芯片封裝結構，以提高芯片封裝的良率，降低封裝成本。一種芯片封裝結構的制造方法，其特征在于，包括：在封裝載體上形成圖案化的第一重布線層，在所述第一重布線層之上形成N層圖案化的第二重布線層，相鄰層的所述第二重布線層彼此電連接，且最底層的所述第二重布線層與所述第一重布線層電連接，將芯片電連接到最頂層的所述第二重布線層上，去除所述封裝載體，使得所述第一重布線層裸露在所述芯片封裝結構的表面，以作為所述芯片封裝結構與外部電連接的外引腳。優選地，形成N層所述第二重布線層中的第1層第二重布線層的步驟包括：用絕緣材料覆蓋所述第一重布線層，形成第1層覆蓋層，對所述第1層覆蓋層進行開口處理，以裸露出所述第一重布線層，在所述第1層覆蓋層上形成第1層的所述第二重布線層，使得第1層的所述第二重布線層延伸至所述第1層覆蓋層的開口中與所述第一重布線層電連接。優選地，i大于1，形成N層所述重布線層中第i層的所述第二重布線層的步驟包括：用絕緣材料覆蓋在所述第i-1層第二重布線層上，形成第i層覆蓋層，對所述第i層覆蓋層進行開口處理，以裸露出所述第i-1層所述第二重布線層，在所述第i層覆蓋層上形成第i層的所述第二重布線層，使得第i層的所述第二重布線層延伸至所述第i層覆蓋層的開口中與所述第i-1層第二重布線層電連接。優選地，對所述第i層覆蓋層進行開口處理的步驟包括：根據在形成所述第i層覆蓋層之前獲取的所述第i-1層第二重布線層的位置數據，定位所述第i-1層第二重布線層所在的位置，在所述第i-1層第二重布線層所在的位置處利用激光束對所述第i層覆蓋層進行開口處理，以裸露所述第i-1層第二重布線層。優選地，形成N層所述第二重布線層中的第1層第二重布線層的步驟包括：在所述第一重布線上形成第1層布線凸塊，用絕緣材料覆蓋所述第一重布線層，以形成第1層覆蓋層，所述第1層布線凸塊被所述第1層覆蓋層裸露，在所述第1層覆蓋層上形成與所述第1層布線凸塊電連接的第1層圖案化導電層，所述第1層布線凸塊與所述第1層圖案化導電層構成所述第1層重布線層。優選地，i大于1，形成N層所述重布線層中第i層的所述第二重布線層的步驟包括：在所述i-1層第二重布線層上形成第i層布線凸塊，用絕緣材料覆蓋所述第i-1層第二重布線層，以形成第i層覆蓋層，所述第i層布線凸塊被所述第i層覆蓋層裸露，在所述第i層覆蓋層上形成與所述第i層布線凸塊電連接的第i層圖案化導電層，所述第i層布線凸塊與所述第i層圖案化導電層構成所述第i層重布線層。優選地，所述第一重布線層由多個引腳排列而成，所述第1層布線凸塊中的多個第1布線凸塊分別位于多個所述引腳上，且每一個所述引腳在水平方向的截面面積大于位于其上的所述第1布線凸塊在水平方向的截面面積。優選地，所述第i層圖案化導電層由多個第i重布線區排列而成，所述第i層布線凸塊中的多個第i布線凸塊分別位于多個第i重布線區上，且每一個所述第i重布線區在所述水平方向的截面面積大于位于其上的所述第1布線凸塊在水平方向的截面面積。優選地，所述的制造方法還包括：形成包封所述芯片的第一包封體。優選地，所述的制造方法還包括：對所述第一包封體進行開口處理，以裸露部分最頂層的所述第二重布線層，在所述第一包封體上形成第三重布線層，使得所述第三重布線層延伸至所述第一包封體的開口中與最頂層的所述第二重布線層電連接，將電子元件電連接到第三重布線層上，形成包封所述電子元件的第二包封體。優選地，將芯片電連接到最頂層的所述第二布線層上的步驟步驟包括：在最頂層的所述第二布線層上形成互連凸塊，在所述互連凸塊表面形成焊接層；將芯片的有源面朝向所述焊接層，并通過導電體與所述焊接層電連接，所述導電體位于所述有源面的焊盤上。優選地，所述的制造方法還包括：在將所述芯片通過導電體與所述焊接層電連接之前，通過凸點打線工藝在所述焊盤上形成所述導電體。優選地，所述封裝載體包括承載基板和位于所述承載基板上的金屬層，所述金屬層作為種子層，利用電鍍工藝在所述金屬層上形成所述第一重布線層。一種根據上述任意一項所述的制造方法形成的芯片封裝結構。由上可見，本專利技術提供的芯片封裝結構的制造方法中，先在封裝載體上形成第一重布線層，然后再在所述第一重布線層上形成N層第二重布線層，接著將芯片電連接到最頂層第二重布線層上，最后再去除所述封裝載體，使的所述第一重布線層裸露在所述芯片封裝結構的表面，以作為所述芯片封裝結構與外部電連接的外引腳。由于所述的制造方法先配置重布線層，再安裝芯片，就算配置重布線層的過程中出現了錯誤，也不會引起芯片的報廢，有效的提高了芯片封裝的良率以及降低芯片封裝的成本。附圖說明通過以下參照附圖對本專利技術實施例的描述，本專利技術的上述以及其他目的、特征和優點將更為清楚，在附圖中：圖1a至圖1h為根據本專利技術實施例一的芯片封裝方法中各個工藝步驟形成結構的剖面示意圖；圖2a至圖2b為根據本專利技術實施例二的芯片封裝方法中部分工藝步驟形成結構的剖面示意圖；圖3a至圖3g為根據本專利技術實施例三的芯片封裝方法中各個工藝步驟形成結構的剖面示意圖。具體實施方式以下將參照附圖更詳細地描述本專利技術。在各個附圖中，相同的組成部分采用類似的附圖標記來表示。為了清楚起見，附圖中的各個部分沒有按比例繪制。此外，可能未示出某些公知的部分。為了簡明起見，可以在一幅圖中描述經過數個步驟后獲得的結構。此外，在本申請中，所有的芯片均指半導體裸芯片。在下文中描述了本專利技術的許多特定的細節，例如每個組成部分的結構、材料、尺寸、處理工藝和技術，以便更清楚地理解本專利技術。但正如本領域的技術人員能夠理解的那樣，可以不按照這些特定的細節來實現本專利技術。實施例一圖1a至圖1h為根據本專利技術實施例一的芯片封裝結構的制造方法中各個工藝步驟形成結構的剖面示意圖。下面將結合圖1a至圖1h具體闡述本專利技術提供的芯片封裝方法以及芯片封裝結構。實施例一提供的芯片封裝的制造方法主要包括以下步驟：步驟1：在封裝載體上形成圖案化的第一重布線層。如圖1a所示，封裝載體1在芯片封裝的過程中主要起到機械支撐的作用，在本實施例中，封裝載體1包括承載基板11以及位于承載基板上的金屬層12。在本實施例中，如圖1b所示，以金屬層12作為種子層，利用電鍍工藝在金屬層2上形成圖案化的第一重布線層12。利用電鍍工藝在封裝載體1上形成第一重布線層2的具體步驟為：先在金本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種芯片封裝結構的制造方法，其特征在于，包括：在封裝載體上形成圖案化的第一重布線層，在所述第一重布線層之上形成N層圖案化的第二重布線層，相鄰層的所述第二重布線層彼此電連接，且最底層的所述第二重布線層與所述第一重布線層電連接，將芯片電連接到最頂層的所述第二重布線層上，去除所述封裝載體，使得所述第一重布線層裸露在所述芯片封裝結構的表面，以作為所述芯片封裝結構與外部電連接的外引腳。

【技術特征摘要】
1.一種芯片封裝結構的制造方法，其特征在于，包括：在封裝載體上形成圖案化的第一重布線層，在所述第一重布線層之上形成N層圖案化的第二重布線層，相鄰層的所述第二重布線層彼此電連接，且最底層的所述第二重布線層與所述第一重布線層電連接，將芯片電連接到最頂層的所述第二重布線層上，去除所述封裝載體，使得所述第一重布線層裸露在所述芯片封裝結構的表面，以作為所述芯片封裝結構與外部電連接的外引腳。2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成N層所述第二重布線層中的第1層第二重布線層的步驟包括：用絕緣材料覆蓋所述第一重布線層，形成第1層覆蓋層，對所述第1層覆蓋層進行開口處理，以裸露出所述第一重布線層，在所述第1層覆蓋層上形成第1層的所述第二重布線層，使得第1層的所述第二重布線層延伸至所述第1層覆蓋層的開口中與所述第一重布線層電連接。3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，i大于1，形成N層所述重布線層中第i層的所述第二重布線層的步驟包括：用絕緣材料覆蓋在所述第i-1層第二重布線層上，形成第i層覆蓋層，對所述第i層覆蓋層進行開口處理，以裸露出所述第i-1層所述第二重布線層，在所述第i層覆蓋層上形成第i層的所述第二重布線層，使得第i層的所述第二重布線層延伸至所述第i層覆蓋層的開口中與所述第i-1層第二重布線層電連接。4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，對所述第i層覆蓋層進行開口處理的步驟包括：根據在形成所述第i層覆蓋層之前獲取的所述第i-1層第二重布線層的位置數據，定位所述第i-1層第二重布線層所在的位置，在所述第i-1層第二重布線層所在的位置處利用激光束對所述第i層覆蓋層
\t進行開口處理，以裸露所述第i-1層第二重布線層。5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成N層所述第二重布線層中的第1層第二重布線層的步驟包括：在所述第一重布線上形成第1層布線凸塊，用絕緣材料覆蓋所述第一重布線層，以形成第1層覆蓋層，所述第1層布線凸塊被所述第1層覆蓋層裸露，在所述第1層覆蓋層上形成與所述第1層布線凸塊電連接的第1層圖案化導電層，所述第1層布線凸塊與所述第1層圖案化導電層構成所述第1層重布線層。6.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，i大于1，形成N...

【專利技術屬性】
技術研發人員：尤文勝，
申請(專利權)人：合肥祖安投資合伙企業有限合伙，
類型：發明
國別省市：安徽;34