有機(jī)電子元件化合物、利用此的有機(jī)電子元件及電子裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)提供能夠提高元件的發(fā)光效率、穩(wěn)定性及壽命的EBL用新化合物及利用此的有機(jī)電子元件及電子裝置。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及有機(jī)電子元件用化合物及利用此的有機(jī)電子元件及電子裝置。
技術(shù)介紹
最近，在有機(jī)電子發(fā)光元件中為了解決在孔傳輸層界面中的發(fā)光問題及因發(fā)光層內(nèi)電荷不均衡而降低效率的問題等，正在持續(xù)進(jìn)行在孔傳輸層與發(fā)光層之間增加electronblockinglayer(EBL)(電子阻擋層)的研究，尤其是正在進(jìn)行根據(jù)各個(gè)發(fā)光層(R、G、B)開發(fā)相互不同的electronblockingmaterial(EBM)(電子阻擋材料)。但是，如上所述根據(jù)各個(gè)發(fā)光層(R、G、B)使用相互不同的electronblockinglayer(EBL)(電子阻擋層)的情況下，在OLED面板逐漸大面積化的如今正在出現(xiàn)很多問題。尤其是，按照發(fā)光區(qū)域(R、G、B)electronblockinglayer(EBL)(電子阻擋層)也應(yīng)該分別圖形化，進(jìn)而圖形化次數(shù)增加(使用的掩膜數(shù)增加)，并且因此出現(xiàn)工藝所需時(shí)間增加(掩膜交替時(shí)間增加)及因掩膜交替的工序問題。為了解決如上所述的按照發(fā)光區(qū)域(R、G、B)分別使用相互不同的electronblockinglayer(EBL)(電子阻擋層)而出現(xiàn)的問題，切實(shí)需要開發(fā)在發(fā)光區(qū)域(R、G、B)共同使用的electronblockinglayer(EBL)(電子阻擋層)。但是，因?yàn)楝F(xiàn)在正在生產(chǎn)的OLED面板的發(fā)光區(qū)而分別使用的發(fā)光物質(zhì)，存在很難開發(fā)electronblockingmaterial(電子阻擋材料)的問題。在OLED面板使用的發(fā)光物質(zhì)大致分為磷光發(fā)光材料與熒光發(fā)光材料，但是在綠色與紅色的情況使用磷光發(fā)光材料，因此易于制作體現(xiàn)高效率、壽命長(zhǎng)的特性的面板，相反直到現(xiàn)在對(duì)于藍(lán)色還是處于很難開發(fā)高效率、壽命長(zhǎng)的磷光性發(fā)光物質(zhì)的狀態(tài)，因此如今現(xiàn)實(shí)是還在使用熒光發(fā)光材料。因此，為了在各個(gè)發(fā)光區(qū)域(R、G、B)使用共同的electronblockinglayer(電子阻擋層)，切實(shí)需要開發(fā)具備所有熒光性發(fā)光材料與磷光發(fā)光材料分別要求的電氣性、物理性特性的electronblockingmaterial(電子阻擋材料)。(現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn))(專利文獻(xiàn))(專利文獻(xiàn)1)KR10-2011-0081274A
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
(要解決的問題)本專利技術(shù)的目的在于，為了高發(fā)光效率、低驅(qū)動(dòng)電壓、高耐熱性、提高色純度及壽命，提供各個(gè)發(fā)光區(qū)域共同使用的EBL用化合物、利用此的有機(jī)電子元件及電子裝置。(解決問題的手段)本專利技術(shù)提供以下化學(xué)式表示的化合物。在另一方面，本專利技術(shù)提供利用由上述化學(xué)式表示的化合物的有機(jī)電子元件及其電子裝置。(專利技術(shù)的效果)將根據(jù)本專利技術(shù)的化合物使用于electronblockinglayer(EBL)，進(jìn)而能夠達(dá)成元件的高發(fā)光效率、低驅(qū)動(dòng)電壓、高耐熱性，并且能夠提高元件的色純度及壽命。附圖說明圖1是根據(jù)本專利技術(shù)的有機(jī)電子發(fā)光元件的示例圖。(附圖標(biāo)記說明)100：有機(jī)電子元件110：基板120：第一電極(陽極)130：孔注入層140：孔傳輸層141：緩沖層150：發(fā)光層151：發(fā)光輔助層160：電子傳輸層170：電子注入層180：第二電極(陰極)具體實(shí)施方法以下，參照附圖詳細(xì)說明本專利技術(shù)的實(shí)施例。在各個(gè)圖面的構(gòu)成要素附加參照符號(hào)，對(duì)于相同的構(gòu)成要素雖然表示于不同的圖面上，但是應(yīng)當(dāng)盡使其可能具有相同的符號(hào)。并且，在本專利技術(shù)的說明中，在判斷對(duì)相關(guān)公知構(gòu)成或功能的具體說明使本專利技術(shù)的要點(diǎn)不清楚的情況下，將省略其詳細(xì)說明。在說明本專利技術(shù)的構(gòu)成要素時(shí)，可使用第一、第二、A、B、(a)、(b)等用語。這種用語只是為了區(qū)分一構(gòu)成要素與其他構(gòu)成要素，并不被其用語限制該構(gòu)成要素的本質(zhì)或次序、順序。在記載某一構(gòu)成要素“連接”、“結(jié)合”或“接觸”于其他構(gòu)成要素的情況下，其構(gòu)成要素可直接連接或接觸于其他構(gòu)成要素，但是也應(yīng)當(dāng)理解為在各個(gè)構(gòu)成要素之間也可“連接”、“結(jié)合”或接觸其他的另一構(gòu)成要素。并且，層、膜、區(qū)域、板等的構(gòu)成要素在其他構(gòu)成要素的“上”的情況為，這不僅是指直接位于在其他構(gòu)成要素的“上方”，也應(yīng)當(dāng)理解為可包括在其中間存在其他構(gòu)成要素的情況。相反，在某一構(gòu)成要素位于其他部分的“直接上方”的情況，則應(yīng)當(dāng)理解為中間不存在其他部分。如本說明書及權(quán)利要求所記載，只要沒有特別提及以下用語的意思如下。在本說明書中使用的用語“鹵素”為，只要沒有其他說明其是指氟(F)、溴(Br)、氯(Cl)或碘(I)。在本專利技術(shù)使用的用語“烷”或“烷基”為，在沒有其他說明具有1至60的碳原子的單鍵結(jié)合、并且意味著包括直鏈烷基、支鏈烷基、環(huán)烷(脂環(huán)族)基、烷-取代的環(huán)烷基、環(huán)烷–取代的烷基的飽和脂肪族官能團(tuán)的自由基。在本專利技術(shù)使用的用語“鹵烷基”或“鹵素烷基”為，只要沒有其他意味著鹵素取代的烷基。在本專利技術(shù)使用的“烯基”或“炔基”為，只要沒有其他說明分別具有2至60的碳原子的雙鍵或三鍵，并且包括直鏈或支鏈的鏈基團(tuán)，并且并不限制于此。在本專利技術(shù)使用的用語“環(huán)烷”為，只要沒有其他說明，其意味著形成具有3至60的碳原子的環(huán)的烷，并且并不限制于此。在本專利技術(shù)使用的用語“烷氧基”為，意味著附著氧自由基的烷基，并且在只要沒有其他說明其具有1至60的碳原子，并且并不限制于此。在本專利技術(shù)使用的用語“芳氧基”意味著附著有氧自由基的芳基，并且在只要沒有其他說明其具有6至60的碳原子，并且并不限制于此。在本專利技術(shù)使用的用語“芴基”為，只要沒有其他說明在以下構(gòu)造中R、R’及R”意味著全部是氫氣的1價(jià)或2價(jià)官能團(tuán)，“取代芴基”或“取代的芴基”意味著取代基R、R’及R”中至少一個(gè)是氫以外的取代基，并且包括R與R’相互結(jié)合與結(jié)合的碳一起以形成螺環(huán)化合物的情況。在本專利技術(shù)使用的用語“芳基”及為，只要沒有其他說明具有6至60的碳原子，并且并不限制于此。在本專利技術(shù)中芳基或芳基包括單環(huán)狀、環(huán)組體、稠合的多個(gè)環(huán)系、螺環(huán)化合物等。在本專利技術(shù)使用的用語“雜環(huán)基”為，不僅包括如同“雜芳基”或“雜芳基”的芳香族環(huán)還包括非芳香族環(huán)，只要沒有其他說明意味著分別包括一個(gè)以上的雜原子的碳原子2至60的環(huán)，但是并不限制于此。在本說明中使用的用語“雜原子”為，只要沒有其他說明其表示N、O、S、P或Si，并且雜環(huán)基意味著包括雜原子的單環(huán)狀、環(huán)組體、稠合的多個(gè)環(huán)系、螺環(huán)化合物等。并且，“雜環(huán)基”為，取代形成環(huán)的碳也可包括SO2。例如，“雜環(huán)基”包括如下的化合物。在本專利技術(shù)中使用的用語“環(huán)”包括單環(huán)及多環(huán)，并且烷環(huán)包括至少包括一個(gè)雜原子的雜環(huán)，并且包本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種化合物，其特征在于，包括：由以下化學(xué)式(1)表示的化合物在所述化學(xué)式(1)中，1)n為0～4的整數(shù)；m為0～3的整數(shù)；R1，2，為在由相互獨(dú)立的重氫、鹵素、C6～C60的芳基、芴基、包括在O、N、S、Si及P中至少包括的一個(gè)的雜原子的C2～C60的雜環(huán)基、C3～C60的脂肪族環(huán)與C6～C60的芳香族環(huán)的融合環(huán)基、C1～C50的烷基、C2～C20的烯基、C2～C20的炔基、C1～C30的烷氧基、C6～C30的芳氧基及?L’?N(Ra)(Rb)構(gòu)成的群中選擇，在這里，所述L’為在由單鍵、C6～C60的芳基、芴基、C3～C60的脂肪族環(huán)與C6～C60的芳香族環(huán)的融合環(huán)基及C2～C60的雜環(huán)基構(gòu)成的群中選擇；所述Ra及Rb為在由相互獨(dú)立的C6～C60的芳基、芴基、C3～C60的脂肪族環(huán)與C6～C60的芳香族環(huán)的融合環(huán)基及包括在O、N、S、Si及P中至少一個(gè)的雜原子的C2～C60的雜環(huán)基構(gòu)成的群中選擇，在所述m、n為2以上的情況下，分別作為復(fù)數(shù)相互相同或不同，并且多個(gè)R1之間或者多個(gè)R2之間相互結(jié)合來形成環(huán)，2)Ar1，2為重氫取代或非取代的C12～20的芳基。

【技術(shù)特征摘要】
2015.09.17 KR 10-2015-01313261.一種化合物，其特征在于，包括：
由以下化學(xué)式(1)表示的化合物
在所述化學(xué)式(1)中，
1)n為0～4的整數(shù)；m為0～3的整數(shù)；R1，2，為在由相互獨(dú)立的重氫、鹵素、C6～C60的芳基、
芴基、包括在O、N、S、Si及P中至少包括的一個(gè)的雜原子的C2～C60的雜環(huán)基、C3～C60的脂肪族
環(huán)與C6～C60的芳香族環(huán)的融合環(huán)基、C1～C50的烷基、C2～C20的烯基、C2～C20的炔基、C1～C30的烷氧基、C6～C30的芳氧基及-L’-N(Ra)(Rb)構(gòu)成的群中選擇，
在這里，所述L’為在由單鍵、C6～C60的芳基、芴基、C3～C60的脂肪族環(huán)與C6～C60的芳香
族環(huán)的融合環(huán)基及C2～C60的雜環(huán)基構(gòu)成的群中選擇；所述Ra及Rb為在由相互獨(dú)立的C6～C60的芳基、芴基、C3～C60的脂肪族環(huán)與C6～C60的芳香族環(huán)的融合環(huán)基及包括在O、N、S、Si及P中
至少一個(gè)的雜原子的C2～C60的雜環(huán)基構(gòu)成的群中選擇，
在所述m、n為2以上的情況下，分別作為復(fù)數(shù)相互相同或不同，并且多個(gè)R1之間或者多個(gè)
R2之間相互結(jié)合來形成環(huán)，
2)Ar1，2為重氫取代或非取代的C12～20的芳基。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其特征在于，
由以下化學(xué)式(2)表示所述化學(xué)式(1)表示的化合物，
的芳基，
2)R1～2、m、n為與化學(xué)式(1)定義的相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其特征在于，
由以下化學(xué)式(3)至(5)中的任意一個(gè)表示所述化學(xué)式(1)表示的化合物，
在所述化學(xué)式(3)至(5)中，R1～...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：尹珍鎬，李善希，樸南鎮(zhèn)，卞允宣，金大成，文成允，李范成，權(quán)載擇，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：德山新勒克斯有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：韓國(guó);KR