后段制程模擬基底及其形成方法技術

一種后段制程模擬基底，包括，空片和覆蓋所述空片的正面的介質層；所述空片的背面覆蓋有鈍化層。應用所述模擬基底模擬生產時，可減少曝光散焦現象的發生。一種后段制程模擬基底形成方法，在空片的背面形成有鈍化層，應用形成的所述模擬基底模擬生產時，可減少曝光散焦現象的發生。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體制造
，特別涉及一種后段制程模擬基底及其形成方法。
技術介紹
半導體產業中，在產品投入生產之前，為選取合適的工藝參數及設計，需進行大量的研發及模擬生產的實踐，均需在半導體基底上執行各操作。對前段制程的模擬生產而言，只需在空片上順序執行各操作即可；但是，對于后段制程，由于僅涉及金屬互連工藝，若順序執行各操作，所需的模擬時間過長，且沒必要，通常均選擇在空片上形成一定厚度的介質層，以利用具有所述介質層的空片替代經歷前段制程的半導體基底作為模擬基底。對所述模擬基底執行涂膠、曝光、顯影、刻蝕溝槽、向所述溝槽填充金屬層，并研磨所述金屬層后，完成金屬互連制程的模擬操作。即，當前，形成后段制程模擬基底的步驟為：提供空片；在所述空片上形成介質層，形成后段制程模擬基底。如圖1所示，形成的所述后段制程模擬基底10即為其上具有介質層30的空片20。實踐中，利用后段制程模擬基底模擬生產時，在執行曝光操作時需首先獲得所述模擬基底的光學圖像，以確定曝光工藝參數。然而，實際生產發現，如圖2所示，利用上述后段制程模擬基底模擬生產時，獲得的模擬基底的光學圖像12中存在虛影區40，稱為熱點(hot-spot)，所述熱點對應模擬基底上發生曝光散焦(defocus)的區域，即，在所述區域中，曝光機臺無法準確聚焦，致使所述模擬基底無法在經歷曝光操作后獲得曝光圖形，如，在形成通孔時，易導致通孔缺失(via?missing)；在形成金屬線時，易導致金屬殘留(metal?scum)；均將影響模擬結果的準確性。如何減少上述曝光散焦現象的發生成為本領域技術人員面臨的主要問題。-->2005年5月4日公布的公告號為“CN1200412C”的中國專利中提供了一種用于補償傾斜和/或散焦的方法和裝置，該裝置具有傾斜/散焦檢測器，用于檢測光學記錄介質的傾斜和/或散焦；和記錄補償器，根據由傾斜/散焦檢測器檢測到的傾斜和/或散焦，利用預先確定的方案，補償具有預先確定的記錄模式的記錄脈沖。該裝置根據檢測到的散焦調整寫入光強，根據檢測到的傾斜偏移記錄模式，調整記錄所需要的光強能級和/或寫入時間，和記錄具有所希望的尺寸(長度，寬度)的標記，以補償高密度的光學系統的傾斜和/或散焦。但是，應用上述裝置和方法減少散焦現象的發生，需對現有機臺進行改動，增加檢測器和記錄補償器，增加了設備投入。
技術實現思路
本專利技術提供了一種后段制程模擬基底，應用所述模擬基底模擬生產時，可減少曝光散焦現象的發生；本專利技術提供了一種后段制程模擬基底形成方法，應用形成的所述模擬基底模擬生產時，可減少曝光散焦現象的發生。本專利技術提供的一種后段制程模擬基底，包括，空片和覆蓋所述空片的正面的介質層；所述空片的背面覆蓋有鈍化層。可選地，在所述介質層和空片之間夾有所述鈍化層；可選地，所述鈍化層包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或碳氧化硅中的一種或其組合；可選地，所述鈍化層的厚度范圍為50～300埃；可選地，在所述鈍化層和空片之間夾有氧化層；可選地，所述氧化層的厚度范圍為10～200埃。本專利技術提供的一種后段制程模擬基底形成方法，包括：在空片正面形成介質層；在具有所述介質層的空片上形成鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述空片的背面。可選地，在形成所述介質層之前，還包括：形成覆蓋所述空片正面-->的鈍化層的步驟，覆蓋所述空片正面的鈍化層和覆蓋所述空片的背面的鈍化層同步形成；可選地，在形成覆蓋所述空片的背面的鈍化層之前，還包括，在具有所述介質層的空片上形成氧化層的步驟，所述氧化層覆蓋所述空片的背面；可選地，在形成覆蓋所述空片的正面的鈍化層之前，還包括，形成覆蓋所述空片正面的氧化層的步驟，覆蓋所述空片正面的氧化層和覆蓋所述空片的背面的氧化層同步形成；可選地，采用爐管工藝形成所述鈍化層；可選地，采用爐管工藝形成所述氧化層。與現有技術相比，上述技術方案具有以下優點：上述技術方案提供的后段制程模擬基底，通過在模擬基底背面形成鈍化層，可減少甚至避免在制程模擬過程中，清洗所述模擬基底時造成的模擬基底背面損傷，以減少曝光散焦現象的發生，獲得清晰的曝光光學圖像；上述技術方案提供的后段制程模擬基底形成方法，通過在模擬基底背面形成鈍化層，可減少甚至避免在制程模擬過程中，清洗所述模擬基底時造成的模擬基底背面損傷，以減少曝光散焦現象的發生，獲得清晰的曝光光學圖像。附圖說明圖1為現有技術中后段制程模擬基底的結構示意圖；圖2為現有技術中存在熱點缺陷時的檢測圖像示意圖；圖3為說明本專利技術第一實施例的后段制程模擬基底的結構示意圖；圖4為說明本專利技術第二實施例的后段制程模擬基底的結構示意圖；圖5為說明本專利技術第三實施例的后段制程模擬基底的結構示意圖；圖6為說明本專利技術第四實施例的后段制程模擬基底的結構示意圖；圖7為說明本專利技術第一實施例的形成后段制程模擬基底的流程示意圖；圖8為說明本專利技術第一實施例的在空片上形成介質層后的結構示意-->圖；圖9為說明本專利技術第一實施例的形成覆蓋空片背面的鈍化層后的結構示意圖；圖10為說明本專利技術第三實施例的形成后段制程模擬基底的流程示意圖；圖11為說明本專利技術第三實施例的在空片上形成鈍化層后的結構示意圖；圖12為說明本專利技術第三實施例的在背面覆蓋鈍化層的空片上形成介質層后的結構示意圖。具體實施方式盡管下面將參照附圖對本專利技術進行更詳細的描述，其中表示了本專利技術的優選實施例，應當理解本領域技術人員可以修改在此描述的本專利技術而仍然實現本專利技術的有利效果。因此，下列的描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛教導，而并不作為對本專利技術的限制。為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本專利技術由于不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中，必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照有關系統或有關商業的限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外，應當認為這種開發工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規工作。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本專利技術。根據下列說明和權利要求書本專利技術的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明本專利技術實施例的目的。作為本專利技術的第一實施例，如圖3所示，所述后段制程模擬基底，包括，空片100和覆蓋所述空片100的正面的介質層120；特別地，所-->述空片100的背面覆蓋有鈍化層140。所述空片100俗稱裸片(bare?wafer)，通常在去除表面沾污后用以檢測機臺運行狀況及進行模擬制程，經歷回收操作后，所述空片100可重復使用。所述介質層120包含二氧化硅、摻雜的二氧化硅以及具有低介電常數的材料，如黑鉆石、coral等。所述介質層的厚度范圍為2000～5000埃，如3000埃、4000埃。所述介質層120用以模擬實際產品中層間介質層，在所述介質層120中形成通孔及溝槽，并向所述通孔及溝槽內填充金屬后，可模擬后段制程中的金屬互連工藝。形成所述介質層120的具體工藝可采用任何傳統的方法，在此不再贅述。傳統工藝中，形成的所述后段制程模擬基底僅為其上具有介質層120的空片100。但是，利用所述后段制程模擬基底模擬生產時，尤其是在由模擬銅制程向模擬鋁制程轉化的過程中本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種后段制程模擬基底，包括，空片和覆蓋所述空片的正面的介質層；其特征在于：所述空片的背面覆蓋有鈍化層。

【技術特征摘要】
1.一種后段制程模擬基底，包括，空片和覆蓋所述空片的正面的介質層；其特征在于：所述空片的背面覆蓋有鈍化層。2.根據權利要求1所述的后段制程模擬基底，其特征在于：在所述介質層和空片之間夾有所述鈍化層。3.根據權利要求1或2所述的后段制程模擬基底，其特征在于：所述鈍化層包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或碳氧化硅中的一種或其組合。4.根據權利要求1或2所述的后段制程模擬基底，其特征在于：所述鈍化層的厚度范圍為50～300埃。5.根據權利要求1或2所述的后段制程模擬基底，其特征在于：在所述鈍化層和空片之間夾有氧化層。6.根據權利要求5所述的后段制程模擬基底，其特征在于：所述氧化層的厚度范圍為10～200埃。7.一種后段制程模擬基底形成方法，其特征在于，包括：在空片正面形成介質層；在具有所述介質層的空片上形成鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述空片的背面。8.根據權利要求7所...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王金麗，
申請(專利權)人：中芯國際集成電路制造上海有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31