一種減反射膜、減反射膜制作方法及玻璃基板技術

本發明專利技術提供一種減反射膜，用于玻璃基板上，其包括兩層二氧化硅層及一層氮化硅層，其中一層二氧化硅層覆蓋于所述玻璃基板上，所述氮化硅層形成于所述兩層二氧化硅層之間。本發明專利技術還提供一種減反射膜制作方法及玻璃基板。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種減反射膜、減反射膜制作方法及玻璃基板，特別是用于顯示器的玻璃基板的減反射膜及其制備方法。
技術介紹
減反射膜是目前應用最廣泛、產量最大的一種光學薄膜，它的主要功能是減少或者消除透鏡、棱鏡、平面鏡等光學元件表面的反射光，從而增加這些元件的透光量。現有技術的液晶顯示器會應用到玻璃基板，而為了提升玻璃基板透光率，會在玻璃基板上鍍上減反設膜。目前在玻璃基板表面實現制備減反射膜主要有三種：①化學氣相沉積(CVD)法鍍膜；②溶膠-凝膠法鍍膜；③物理氣相沉積(PVD)法鍍膜。化學氣相沉積鍍膜工藝，其沉積速率高，成本低，與其他工藝具有良好的相容性，但采用此方法沉積制備減反膜，最大的問題就是膜厚度不好控制。同樣，溶膠-凝膠法制備減反膜在工藝上也存在許多問題，如醇鹽水解和聚合的動力學過程和溶膠-凝膠工藝薄膜形成的力學過程、最佳工藝參數對膜質量的影響以及醇鹽的毒性和原材料的低成本等方面還需要繼續深入研究。與化學氣相沉積和溶膠-凝膠方法鍍膜相比，物理氣相沉積法鍍膜具有鍍膜工藝比較簡單，容易操作，成膜速度快，效率高等優點，因此使用真空蒸鍍法制備減反射膜已經得到了廣泛的應用。但是現有方法制備的減反膜耐刮擦性能及與玻璃基板結合強度需要進一步提升。
技術實現思路
本專利技術實施例所要解決的技術問題在于，提供一種結合牢固耐磨性和抗劃傷性較好的減反射膜、減反射膜制作方法及玻璃基板。為了實現上述目的，本專利技術實施方式提供如下技術方案：本專利技術提供一種減反射膜，用于玻璃基板上，其包括兩層二氧化硅層及一層氮化硅層，其中一層二氧化硅層覆蓋于所述玻璃基板上，所述氮化硅層形成于所述兩層二氧化硅層之間。本專利技術提供一種所述的減反射膜的制備方法，其步驟包括：步驟一，提供玻璃基板，進行清洗后并干燥；步驟二，將所述玻璃基板和第一層二氧化硅層放入真空鍍膜機，對玻璃基板進行第一層二氧化硅層鍍膜，完成后對第一層二氧化硅層進行高真空加熱干燥處理；步驟三，在真空鍍膜機內，在第一層二氧化硅層上進行氮化硅層鍍膜，完成后對氮化硅層鍍層進行高真空加熱干燥處理；步驟四，在真空鍍膜機內，在氮化硅層上進行第二層二氧化硅層鍍膜，完成后對第二層二氧化硅層鍍層進行高真空加熱干燥處理。其中，所述步驟一中，對玻璃基板的清洗干燥過程包括：利用洗滌液對玻璃基板進行清洗，洗凈后依次用去離子水和酒精二次沖洗，用氮氣吹干后將所述玻璃基板放入潔凈干燥空間。其中，所述步驟二至步驟四中，均包括真空鍍膜機內抽真空、控制玻璃基板溫度、蒸鍍及高真空干燥處理的步驟。其中，上述步驟二中對玻璃基板進行第一層二氧化硅層鍍膜時，真空鍍膜機內抽真空達到5.5×10-4Pa，控制玻璃基板溫度在180±5℃，SiO2在玻璃基板上的沉積速率在0.1～0.5nm/s。其中，上述步驟三中對第一層二氧化硅層上進行氮化硅層鍍膜時，真空鍍膜機內抽真空達到5.5×10-4Pa，控制玻璃基板溫度在180±5℃，Si3N4在SiO2鍍層上的沉積速率在0.1～0.5nm/s。其中，上述步驟四中在氮化硅層上進行第二層二氧化硅層鍍膜時，真空鍍膜機內抽真空達到5.5×10-4Pa左右，控制玻璃基板溫度在180±5℃，SiO2在Si3N4鍍層上的沉積速率在0.1～0.5nm/s。其中，所述步驟二至步驟四中，第一、第二層二氧化硅層及層氮化硅層蒸鍍時間為20s，鍍膜完成后在鍍膜機內進行高真空干燥處理30min。其中，所述第一、第二層二氧化硅層及層氮化硅層的厚度相同。本專利技術提供一種玻璃基板，所述玻璃基板包括以上制作方法得到的減反射膜。本專利技術的一種玻璃基板上設置采用高低折射率層交替的多膜層結構的減反射膜，耐磨性和抗劃傷性較好，膜層與基底結合牢固。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本專利技術包括減反射膜的玻璃基板的示意圖。具體實施方式下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。請參閱圖1，本專利技術涉及一種玻璃基板10，其設有減反射膜20。所述減反射膜20包括兩層二氧化硅層(第一層二氧化硅層21及第二層二氧化硅層22)及一層氮化硅層23，其中一層二氧化硅層覆蓋于所述玻璃基板10的表面上，所述氮化硅層23形成于所述兩層二氧化硅層之間。本實施例中，所述第一層二氧化硅層21覆蓋于所述玻璃基板10的一表面上。本實施例中，所述二氧化硅層采用的SiO2為低折射率材料，氮化硅層23采用的Si3N4為高折射率材料。在玻璃基板10表面形成高低折射率層交替的SiO2/Si3N4/SiO2多膜層結構，提高玻璃基板10減反效果。本專利技術還涉及所述的減反射膜20的制備方法，其步驟包括：步驟一，提供玻璃基板，進行清洗后并干燥；步驟二，將所述玻璃基板和第一層二氧化硅層放入真空鍍膜機，對玻璃基板進行第一層二氧化硅層鍍膜，完成后對第一層二氧化硅層進行高真空加熱干燥處理；步驟三，在真空鍍膜機內，在第一層二氧化硅層上進行氮化硅層鍍膜，完成后對氮化硅層鍍層進行高真空加熱干燥處理；步驟四，在真空鍍膜機內，在氮化硅層上進行第二層二氧化硅層鍍膜，完成后對第二層二氧化硅層鍍層進行高真空加熱干燥處理。具體的，所述步驟一具體為，對玻璃基板的清洗干燥過程包括：利用洗滌液對玻璃基板進行清洗，洗凈后依次用去離子水和酒精二次沖洗，用氮氣吹干后將所述玻璃基板放入潔凈干燥空間。所述步驟二至步驟四中，均包括真空鍍膜機內抽真空、控制玻璃基板溫度、蒸鍍及高真空干燥處理的步驟。其中所述第一、第二層二氧化硅層及層氮化硅層的厚度相同，本實施例中優選為100nm，具體如下：上述步驟二具體為，對玻璃基板進行第一層二氧化硅層鍍膜時，真空鍍膜機內抽真空達到5.5×10-4Pa，控制玻璃基板溫度在180±5℃，SiO2在玻璃基板上的沉積速率在0.1～0.5nm/s。蒸鍍時間為20s左右，鍍膜完成后在鍍膜機內進行高真空干燥處理30min。上述步驟三具體為，對第一層二氧化硅層上進行氮化硅層鍍膜時，真空鍍膜機內抽真空達到5.5×10-4Pa，控制玻璃基板溫度在180±5℃，Si3N4在SiO2鍍層上的沉積速率在0.1～0.5nm/s。蒸鍍時間為20s左右，鍍膜完成后在鍍膜機內進行高真空干燥處理30min。上述步驟四具體為，在氮化硅層上進行第二層二氧化硅層鍍膜時，真空鍍膜機內抽真空達到5.5×10-4Pa左右，控制玻璃基板溫度在180±5℃，SiO2在Si3N4鍍層上的沉積速率在0.1～本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種減反射膜，用于玻璃基板上，其特征在于：包括兩層二氧化硅層及一層氮化硅層，其中一層二氧化硅層覆蓋于所述玻璃基板上，所述氮化硅層形成于所述兩層二氧化硅層之間。

【技術特征摘要】
1.一種減反射膜，用于玻璃基板上，其特征在于：包括兩層二氧化硅層及一層氮化硅層，其中一層二氧化硅層覆蓋于所述玻璃基板上，所述氮化硅層形成于所述兩層二氧化硅層之間。
2.一種如權利要求1所述的減反射膜的制備方法，其步驟包括：
步驟一，提供玻璃基板，進行清洗后并干燥；
步驟二，將所述玻璃基板和第一層二氧化硅層放入真空鍍膜機，對玻璃基板進行第一層二氧化硅層鍍膜，完成后對第一層二氧化硅層進行高真空加熱干燥處理；
步驟三，在真空鍍膜機內，在第一層二氧化硅層上進行氮化硅層鍍膜，完成后對氮化硅層鍍層進行高真空加熱干燥處理；
步驟四，在真空鍍膜機內，在氮化硅層上進行第二層二氧化硅層鍍膜，完成后對第二層二氧化硅層鍍層進行高真空加熱干燥處理。
3.如權利要求2所述的減反射膜的制備方法，其特征在于，所述步驟一中，對玻璃基板的清洗干燥過程包括：利用洗滌液對玻璃基板進行清洗，洗凈后依次用去離子水和酒精二次沖洗，用氮氣吹干后將所述玻璃基板放入潔凈干燥空間。
4.如權利要求2所述的減反射膜的制備方法，其特征在于，所述步驟二至步驟四中，均包括真空鍍膜機內抽真空、控制玻璃基板溫度、蒸鍍及高真空干燥處理的步驟。
5.如權利要求4所述的減反射膜的制備方法，其特征在于，上述步驟二...

【專利技術屬性】
技術研發人員：徐鵬，程蕓，唐彬，
申請(專利權)人：南昌歐菲光學技術有限公司，南昌歐菲光科技有限公司，深圳歐菲光科技股份有限公司，蘇州歐菲光科技有限公司，
類型：發明
國別省市：江西;36