有源吸收驅動電路以及開關電源制造技術

本實用新型專利技術是關于一種有源吸收驅動電路以及開關電源，涉及開關電源領域，主要目的是使其能夠利用開關器件上的尖峰電壓作為驅動源，驅動吸收電路吸收關斷時刻開關器件上產生的尖峰電壓。主要采用的技術方案為：有源吸收驅動電路包括：開關器件、有源吸收電路以及有源驅動電路，有源吸收電路包括第一電容和P型MOS管，有源吸收電路與開關器件并聯；有源驅動電路包括驅動信號采集電路、驅動信號反相電路、驅動信號增強電路、驅動電壓負向平移電路；有源驅動電路與有源吸收電路連接，用于采集開關器件上的電壓信號，并驅動P型MOS管的通斷，當開關器件關斷產生尖峰電壓時，有源驅動電路驅動有源吸收電路中的P型MOS管開通，第一電容吸收尖峰電壓。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及開關電源領域，特別是涉及一種有源吸收驅動電路以及開關電源。
技術介紹
開關電源是利用現代電力電子技術，控制開關管開通和關斷的時間比率，維持穩定輸出電壓的一種電源，開關電源產品廣泛應用于工業自動化控制、軍工設備、科研設備、LED照明、工控設備、通訊設備、電力設備、電子設備等領域。在開關電源主功率電路中，由于實際電路中的固有或寄生電感，具有維持電流方向的特性，以及開關器件(例如二極管或MOS管的體二極管)存在反向恢復特性，所以在開關器件由導通轉換為不導通的關斷時刻，二極管和MOS管上會產生尖峰電壓。當此尖峰電壓大于二極管和MOS管的耐壓值時會使其損壞。
技術實現思路
本技術的主要目的在于，提供一種新型結構的有源吸收驅動電路以及開關電源，使其能夠利用開關器件上的尖峰電壓作為驅動源，驅動吸收電路吸收關斷時刻開關器件上產生的尖峰電壓，從而更加適于實用。本技術的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本技術提出的一種有源吸收驅動電路，其包括：開關器件；有源吸收電路，所述有源吸收電路包括第一電容和P型MOS管，所述有源吸收電路與所述開關器件并聯；有源驅動電路，所述有源驅動電路包括驅動信號采集電路、驅動信號反相電路、驅動信號增強電路、驅動電壓負向平移電路；所述有源驅動電路與所述有源吸收電路連接，用于采集開關器件上的電壓信號，并驅動所述P型MOS管的通斷，當開關器件關斷產生尖峰電壓時，所述有源驅動電路驅動所述有源吸收電路中的P型MOS管開通，所述第一電容吸收所述尖峰電壓。本技術的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。優選的，前述的有源吸收驅動電路，其中所述的驅動信號采集電路的第一端與所述開關器件的高電位端連接，所述驅動信號采集電路的第二端與所述驅動信號反相電路的第一端連接，所述驅動信號反相電路第二端與所述驅動信號增強電路第一端連接，所述驅動信號反相電路第三端與所述開關器件低電位端連接，所述驅動信號增強電路的第二端與所述驅動電壓負向平移電路第一端連接，所述驅動信號增強電路的第三端與所述P型MOS管的S極連接，所述驅動電壓負向平移電路第二端與所述P型MOS管的G極連接，所述驅動電壓負向平移電路第三端與所述P型MOS管的S極連接。優選的，前述的有源吸收驅動電路，其中所述的開關器件為二極管或MOS管。優選的，前述的有源吸收驅動電路，其中所述的第一電容的第一端與所述開關器件的高電位端連接，所述第一電容的第二端與所述P型MOS管的D極連接，所述P型MOS管的S極與所述開關器件的低電位端連接。優選的，前述的有源吸收驅動電路，其中所述的驅動信號采集電路包括第二電容，所述第二電容第一端為所述驅動信號采集電路第一端，所述第二電容的第二端為所述驅動信號采集電路第二端。優選的，前述的有源吸收驅動電路，其中所述的驅動信號反相電路包括第一NPN型三極管、第一二極管；所述第一二極管的正極與所述第一NPN型三極管的E極連接，所述第一二極管的負極與所述第一NPN型三極管的B極連接，所述第一NPN型三極管的E極為所述驅動信號反相電路第三端，所述第一NPN型三極管B極為所述驅動信號反相電路第一端，所述第一NPN型三極管C極為所述驅動信號反相電路第二端。優選的，前述的有源吸收驅動電路，其中所述驅動信號反相電路包括第一NPN型三極管、第三電阻；所述第三電阻的一端與所述第一NPN型三極管的E極連接，所述第三電阻的另一端與所述第一NPN型三極管的B極連接，所述第一NPN型三極管的E極為所述驅動信號反相電路第三端，所述第一NPN型三極管B極為所述驅動信號反相電路第一端，所述第一NPN型三極管C極為所述驅動信號反相電路第二端。優選的，前述的有源吸收驅動電路，其中所述的驅動信號增強電路包括第二NPN型三極管、第一PNP型三極管、第一電阻以及直流電源；所述第一電阻的一端與所述第二NPN型三極管的B極以及第一PNP型三極管的B極連接，作為所述驅動信號增強電路的第一端，第二NPN型三極管的C極、第一電阻的另一端共同連接于所述直流電源上，所述第二NPN型三極管的E極與所述第一PNP型三極管的E極連接，作為所述驅動信號增強電路的第二端，所述第一PNP型三極管的C極為所述驅動信號增強電路的第三端；所述直流電源用于給所述有源驅動電路供電。優選的，前述的有源吸收驅動電路，其中所述的驅動電壓負向平移電路包括：第三電容、第二二極管、第二電阻；所述第三電容第一端為所述驅動電壓負向平移電路第一端，所述第三電容第二端、第二二極管正極、第二電阻一端連接在一起，作為所述驅動電壓負向平移電路第二端，所述第二二極管的負極與所述第二電阻另一端連接，作為所述驅動電壓負向平移電路第三端。本技術的目的及解決其技術問題還采用以下的技術方案來實現。依據本技術提出的一種開關電源，其包括：有源吸收驅動電路；所述有源吸收驅動電路包括：開關器件；有源吸收電路，所述有源吸收電路包括第一電容和P型MOS管，所述有源吸收電路與所述開關器件并聯；有源驅動電路，所述有源驅動電路包括驅動信號采集電路、驅動信號反相電路、驅動信號增強電路、驅動電壓負向平移電路；所述有源驅動電路與所述有源吸收電路連接，用于采集開關器件上的電壓信號，并驅動所述P型MOS管的通斷，當開關器件關斷產生尖峰電壓時，所述有源驅動電路驅動所述有源吸收電路中的P型MOS管開通，所述第一電容吸收所述尖峰電壓。借由上述技術方案，本技術有源吸收驅動電路至少具有下列優點：本技術技術方案中，設置有有源驅動電路，有源驅動電路利用開關器件的尖峰電壓作為驅動源，同時有源吸收電路并聯在開關器件上，有源驅動電路與有源吸收電路連接，有源驅動電路通過采集開關器件的電壓信號，來驅動有源吸收電路的P型MOS管通斷，當開關器件關斷產生尖峰電壓時，有源驅動電路驅動有源吸收電路中的P型MOS管導通，使有源吸收電路與開關器件連通形成一個回路，通過第一電容將開關器件上尖峰電壓吸收，防止了尖峰電壓對開關器件的損傷。上述說明僅是本技術技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本技術的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本技術的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。附圖說明圖1是本技術的實施例一提供的一種有源吸收驅動電路的電路圖；圖2是本技術的實施例一提供的一種有源吸收驅動電路的時序圖。具體實施方式為更進一步闡述本技術為達成預定技術目的所采取的技術手段及功效,以下結合附圖及較佳實施例，對依據本技術提出的有源吸收驅動電路以及開關電源其具體實施方式、結構、特征及其功效，詳細說明如后。在下述說明中，不同的“一實施例”或“實施例”指的不一定是同一實施例。此外，一或多個實施例中的特定特征、結構、或特點可由任何合適形式組合。實施例一如圖1所示，本技術實施例一提出的一種有源吸收本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種有源吸收驅動電路，其特征在于，其包括：開關器件；有源吸收電路，所述有源吸收電路包括第一電容和P型MOS管，所述有源吸收電路與所述開關器件并聯；有源驅動電路，所述有源驅動電路包括驅動信號采集電路、驅動信號反相電路、驅動信號增強電路、驅動電壓負向平移電路；所述有源驅動電路與所述有源吸收電路連接，用于采集開關器件上的電壓信號，并驅動所述P型MOS管的通斷，當開關器件關斷產生尖峰電壓時，所述有源驅動電路驅動所述有源吸收電路中的P型MOS管開通，所述第一電容吸收所述尖峰電壓。

【技術特征摘要】
1.一種有源吸收驅動電路，其特征在于，其包括：
開關器件；
有源吸收電路，所述有源吸收電路包括第一電容和P型MOS管，所述有源吸收電路與所述開關器件并聯；
有源驅動電路，所述有源驅動電路包括驅動信號采集電路、驅動信號反相電路、驅動信號增強電路、驅動電壓負向平移電路；
所述有源驅動電路與所述有源吸收電路連接，用于采集開關器件上的電壓信號，并驅動所述P型MOS管的通斷，當開關器件關斷產生尖峰電壓時，所述有源驅動電路驅動所述有源吸收電路中的P型MOS管開通，所述第一電容吸收所述尖峰電壓。
2.根據權利要求1所述的有源吸收驅動電路，其特征在于，
所述驅動信號采集電路的第一端與所述開關器件的高電位端連接，所述驅動信號采集電路的第二端與所述驅動信號反相電路的第一端連接，所述驅動信號反相電路第二端與所述驅動信號增強電路第一端連接，所述驅動信號反相電路第三端與所述開關器件低電位端連接，所述驅動信號增強電路的第二端與所述驅動電壓負向平移電路第一端連接，所述驅動信號增強電路的第三端與所述P型MOS管的S極連接，所述驅動電壓負向平移電路第二端與所述P型MOS管的G極連接，所述驅動電壓負向平移電路第三端與所述P型MOS管的S極連接。
3.根據權利要求1所述的有源吸收驅動電路，其特征在于，
所述開關器件為二極管或MOS管。
4.根據權利要求1所述的有源吸收驅動電路，其特征在于，
所述第一電容的第一端與所述開關器件的高電位端連接，所述第一電容的第二端與所述P型MOS管的D極連接，所述P型MOS管的S極與所述開關器件的低電位端連接。
5.根據權利要求1所述的有源吸收驅動電路，其特征在于，
所述驅動信號采集電路包括第二電容，所述第二電容第一端為所述驅動信號采集電路第一端，所述第二電容的第二端為所述驅動信號采集電路第二端。
6.根據權利要求1所述的有源吸收驅動電路，其特征在于，
所述驅動信號反相電路包括第一NPN型三極管、第一二極管；
所述第一...

【專利技術屬性】
技術研發人員：羅俊義，
申請(專利權)人：北京迪賽奇正科技有限公司，
類型：新型
國別省市：北京;11