本實用新型專利技術提供了一種單發射腔的半導體激光器的封裝結構，包括絕緣基底，激光芯片和導電金線。所述的絕緣基底上設置導電區，芯片安裝區和絕緣帶，所述的導電區包括導電區A和導電區B，芯片安裝區設置于絕緣基底的中部，芯片安裝區兩側分別依次設置導電區A，絕緣帶，導電區B。這種設置了兩條絕緣帶的絕緣基底結構，可以適應多種后端光纖耦合器件需求，具有較好的兼容性，提高了生產效率，降低了生產成本。
【技術實現步驟摘要】
本技術屬于半導體激光器
，涉及一種單發射腔半導體激光器封裝結構。
技術介紹
半導體激光器的光纖耦合模塊具有體積小、重量輕、可靠性高、使用壽命長、成本低的優點，目前已經廣泛應用于國民經濟的各個領域，比如激光顯示、安防設備，夜視照明，醫療以及工業加工領域。用于光纖耦合模塊的單發射腔半導體激光器常用COC（Chiponcarrier）封裝形式，圖1和圖2均為現有常見的COC封裝結構，包括絕緣基底1，激光芯片2和導電金線3，上述絕緣基底1上設置芯片安裝區7和導電區4，芯片安裝區7設置于絕緣基底1中部，芯片安裝區7兩側各設置一個導電區4，芯片安裝區7與其中一個導電區相連（作為正極區），與另一個導電區（作為負極區）之間設置絕緣帶，激光芯片的正極安裝在芯片安裝區，芯片負極通過金線與負極區連接。在實際應用中，設置好導電區和芯片安裝區的基底作為半成品提供給后端產品的生產者，由于上述基底結構在芯片安裝之前已經決定了正極區和負極區的位置（靠近絕緣帶的導電區為負極區），圖1為左正右負型（激光芯片的出光方向左邊導電區為正極），圖2為左負右正型（激光芯片的出光方向右邊導電區為正極），所以對于后端光纖耦合器件的設計提出了限制，對于多個客戶的提出的不同光纖耦合器件需求，這種基底半成品往往不具有兼容性，在生產中會造成庫存分配不合理及積壓。
技術實現思路
為克服現有技術不足，提供一種單發射腔半導體激光器，可以實現基底半成品的兼容，適應多種后端光纖耦合器件的應用。具體的技術方案為：一種單發射腔半導體激光器，包括絕緣基底，激光芯片和導電金線；所述的絕緣基底上設置導電區，芯片安裝區和絕緣帶，所述的導電區包括導電區A和導電區B，芯片安裝區設置于絕緣基底的中部，芯片安裝區兩側分別依次設置導電區A，絕緣帶，導電區B（芯片安裝區兩側為對稱結構）；所述的導電區A與芯片安裝區可實現電連通，導電區B與芯片安裝區絕緣。所述的激光芯片正極鍵合于芯片安裝區，所述的導電金線用于激光芯片負極與導電區B的電連接，或者導電區A與導電區B的電連接。根據后端光纖耦合器件的封裝需求，本技術的單發射腔半導體激光器可以有以下2種封裝形式：1）所述的激光芯片正極鍵合于芯片安裝區，激光芯片出光方向左邊的導電區A通過導電金線與激光芯片出光方向左邊的導電區B連接，激光芯片的負極通過導電金線與激光芯片出光方向右邊的導電區B連接。此種封裝結構的電極連接方向為激光芯片出光方向的左邊為正極區，激光芯片出光方向的右邊為負極區。2）所述的激光芯片正極鍵合于芯片安裝區，激光芯片出光方向右邊的導電區A通過導電金線與激光芯片出光方向右邊的導電區B連接，激光芯片的負極通過導電金線與激光芯片出光方向左邊的導電區B連接。此種封裝結構的電極連接方向為激光芯片出光方向的右邊為正極區，激光芯片出光方向的左邊為負極區。所述的絕緣基底為陶瓷材料，具體為氮化鋁，或者氧化鋁，或者氧化鈹。所述的絕緣基底的導電區為在絕緣基底上表面鍍金屬層，比如鍍金層。所述的芯片安裝區為在絕緣基底表面上設置焊料層，用于將激光芯片鍵合在芯片安裝區。焊料層材料為金錫，金鍺，銀銅。所述的激光芯片為單發光點激光芯片。本技術具有以下優點：本技術所提出的絕緣基底，采用2條絕緣帶結構，作為生產單發射腔半導體激光器的半成品具有通用和兼容性，可以根據后端光纖耦合器件的封裝需求選擇單發射腔半導體激光器的電極連接方向，適應多種后端光纖耦合器件需求，提高了生產效率，降低了生產成本。附圖說明圖1為現有的單發射腔半導體激光器的封裝結構一。圖2為現有的單發射腔半導體激光器的封裝結構二。圖3為本技術的絕緣基底的結構。圖4為本技術的單發射腔半導體激光器的實施例一。圖5為本技術的單發射腔半導體激光器的實施例二附圖標號說明：1為絕緣基底，2為激光芯片，3為導電金線，4為導電區，5為導電區A，6為導電區B，7為芯片安裝區，8為絕緣帶。具體實施方式本技術提出的單發射腔半導體激光器，包括絕緣基底1，激光芯片2和導電金線3。圖3為絕緣基底1結構示意圖，包括導電區，芯片安裝區和絕緣帶，所述的導電區包括導電區A5和導電區B6，芯片安裝區7設置于絕緣基底1的中部，芯片安裝區7兩側分別依次設置導電區A5，絕緣帶8，導電區B6（芯片安裝區兩側為對稱結構）；所述的導電區A5與芯片安裝區7可實現電連通，導電區B6與芯片安裝區7絕緣。所述的激光芯片2正極鍵合于芯片安裝區7，所述的導電金線3用于激光芯片2負極與導電區B6的電連接，或者導電區A5與導電區B6的電連接。上述激光芯片2為單發光點激光芯片。根據后端光纖耦合器件的封裝需求，本技術的單發射腔半導體激光器可以有以下2種封裝形式：1）如圖4所示，所述的激光芯片2正極鍵合于芯片安裝區7，激光芯片2出光方向為圖4中箭頭方向，激光芯片2出光方向右邊的導電區A5通過導電金線與激光芯片2出光方向右邊的導電區B6連接，激光芯片2的負極通過導電金線3與激光芯片出光方向左邊的導電區B6連接。此種封裝結構的電極連接方向為激光芯片出光方向的右邊為正極區，激光芯片出光方向的左邊為負極區。2）如圖5所示，所述的激光芯片2正極鍵合于芯片安裝區7，激光芯片2出光方向為圖5中箭頭方向，激光芯片2出光方向左邊的導電區A5通過導電金線3與激光芯片出光方向左邊的導電區B6連接，激光芯片2的負極通過導電金線與激光芯片出光方向右邊的導電區B6連接。此種封裝結構的電極連接方向為激光芯片出光方向的左邊為正極區，激光芯片出光方向的右邊為負極區。芯片安裝區7為在絕緣基底表面上設置焊料層，用于將激光芯片2鍵合在芯片安裝區7。焊料層材料為金錫，金鍺，銀銅。本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種單發射腔半導體激光器，其特征在于：包括絕緣基底，激光芯片和導電金線；所述的絕緣基底上設置導電區，芯片安裝區和絕緣帶；所述的導電區包括導電區A和導電區B，芯片安裝區設置于絕緣基底的中部，芯片安裝區兩側分別依次設置導電區A，絕緣帶，導電區B；所述的導電區A與芯片安裝區電連通，導電區B與芯片安裝區絕緣；所述的激光芯片正極鍵合于芯片安裝區，所述的導電金線用于激光芯片負極與導電區B的電連接，或者導電區A與導電區B的電連接。
【技術特征摘要】
1.一種單發射腔半導體激光器，其特征在于：包括絕緣基底，激光芯片和導電金線；所
述的絕緣基底上設置導電區，芯片安裝區和絕緣帶；所述的導電區包括導電區A和導電區B，
芯片安裝區設置于絕緣基底的中部，芯片安裝區兩側分別依次設置導電區A，絕緣帶，導電
區B；所述的導電區A與芯片安裝區電連通，導電區B與芯片安裝區絕緣；所述的激光芯片正
極鍵合于芯片安裝區，所述的導電金線用于激光芯片負極與導電區B的電連接，或者導電區
A與導電區B的電連接。
2.根據權利要求1所述的單發射腔半導體激光器，其特征在于：所述的激光芯片出光方
向左邊的導電區A通過導電金線與激光芯片出光方向左邊的導電區B連接，激光芯片的負極<...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉亞龍，梁雪杰，賀永貴，劉興勝，
申請(專利權)人：西安炬光科技股份有限公司，
類型：新型
國別省市：陜西;61
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