一種硅塊清洗裝置制造方法及圖紙

本實(shí)用新型專利技術(shù)提供了一種硅塊清洗裝置，包括外框，所述外框包括底板以及由所述底板向上延伸的邊框，所述底板與所述邊框圍合成一容置腔；所述底板上設(shè)有若干第一通孔，所述邊框上設(shè)有若干第二通孔，所述第一通孔以及所述第二通孔用于注入清洗液；其特征在于，所述裝置還包括多個(gè)相互堆疊設(shè)置在所述容置腔內(nèi)的內(nèi)框，所述內(nèi)框的底部為包括若干承載條排列而成的鏤空結(jié)構(gòu)，所述內(nèi)框用于裝載硅塊。本實(shí)用新型專利技術(shù)提供的硅塊清洗裝置，通過將原來的清洗裝置進(jìn)行分層設(shè)置，使得原來硅塊與清洗裝置的面接觸變?yōu)榫€接觸，優(yōu)化多晶硅表面清洗工藝，提高多晶硅料酸洗效率和產(chǎn)品質(zhì)量，解決了硅塊堆積造成酸洗不均勻，出現(xiàn)酸斑和色差的問題。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及半導(dǎo)體加工設(shè)備
，尤其涉及一種硅塊清洗裝置。
技術(shù)介紹
作為多晶硅生產(chǎn)最后工藝中的一部分，酸洗硅對(duì)產(chǎn)品純度的保持、表面雜質(zhì)的處理有著至關(guān)重要的意義。酸洗工藝是將破碎好的硅塊盛入硅塊清洗裝置中、放在酸洗設(shè)備進(jìn)行酸洗，酸腐蝕表面的雜質(zhì)，清除硅料表面污染，使硅表面金屬雜質(zhì)達(dá)到電子級(jí)表金屬質(zhì)量要求。目前，現(xiàn)有的硅塊清洗裝置為底部和側(cè)面有方孔的長(zhǎng)方形籃子，硅塊堆積在一起，在酸洗硅塊的過程中，硅塊與硅塊接觸面以及硅塊與清洗籃之間的接觸面不能充分酸洗，從而導(dǎo)致硅塊上出現(xiàn)酸斑和色差，使產(chǎn)品反洗量增大。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)提供一種硅塊清洗裝置，將原來硅塊與清洗裝置之間的面接觸變?yōu)榫€接觸，優(yōu)化了多晶硅表面清洗工藝，提高了多晶硅料酸洗效率和產(chǎn)品質(zhì)量。本技術(shù)解決上述問題提出的技術(shù)方案為：提供一種硅塊清洗裝置，包括外框，所述外框包括底板以及由所述底板向上延伸的邊框，所述底板與所述邊框圍合成一容置腔；所述底板上設(shè)有若干第一通孔，所述邊框上設(shè)有若干第二通孔，所述第一通孔以及所述第二通孔用于注入清洗液；其特征在于，所述裝置還包括多個(gè)相互堆疊設(shè)置在所述容置腔內(nèi)的內(nèi)框，所述內(nèi)框的底部為包括若干承載條排列而成的鏤空結(jié)構(gòu)，所述內(nèi)框用于裝載硅塊。優(yōu)選地，所述內(nèi)框中還設(shè)置有至少一個(gè)擋板，所述擋板將所述內(nèi)框分隔成多個(gè)格子。優(yōu)選地，所述格子的數(shù)量為2～5個(gè)。優(yōu)選地，所述底板上還設(shè)置有多個(gè)從所述底板上凸起的螺紋連接件。優(yōu)選地，所述螺紋連接件的頂端為球形或半球形。優(yōu)選地，所述螺紋連接件的頂端與所述底板之間的距離為4～6mm。優(yōu)選地，所述螺紋連接件和所述第一通孔分別呈陣列分布在所述底板上，并且，所述螺紋連接件和所述第一通孔呈相互交錯(cuò)陣列排布。優(yōu)選地，所述若干承載條呈等間距排列。優(yōu)選地，所述承載條的寬度為3～5mm，厚度為3～5mm。優(yōu)選地，所述第一通孔以及所述第二通孔為圓形孔或方形孔。本技術(shù)提供的硅塊清洗裝置，通過將原來的清洗裝置進(jìn)行分層設(shè)置，使得原來硅塊與清洗裝置之間的面接觸變?yōu)榫€接觸，優(yōu)化多晶硅表面清洗工藝，提高多晶硅料酸洗效率和產(chǎn)品質(zhì)量，解決了硅塊堆積造成酸洗不均勻，出現(xiàn)酸斑和色差的問題。附圖說明通過結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述，本技術(shù)的實(shí)施例的上述和其它方面、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，附圖中：圖1為本技術(shù)硅塊清洗裝置結(jié)構(gòu)示意圖；圖2a為硅塊清洗裝置內(nèi)框結(jié)構(gòu)示意圖；圖2b為硅塊清洗裝置內(nèi)框另一結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為硅塊清洗裝置第一底板結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為硅塊清洗裝置外框剖視圖。具體實(shí)施方式以下，將參照附圖來詳細(xì)描述本專利技術(shù)的實(shí)施例。然而，可以以許多不同的形式來實(shí)施本專利技術(shù)，并且本專利技術(shù)不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的具體實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了解釋本專利技術(shù)的原理及其實(shí)際應(yīng)用，從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本專利技術(shù)的各種實(shí)施例和適合于特定預(yù)期應(yīng)用的各種修改。參照?qǐng)D1，本技術(shù)提供的硅塊清洗裝置，包括外框1以及內(nèi)框2，所述外框包括底板11、邊框12。所述底板11與所述邊框12圍合成一容置腔，多個(gè)內(nèi)框2相互堆疊設(shè)置在所述容置腔內(nèi)。具體的，所述邊框12由所述底板11向上延伸得到，所述底板上設(shè)有若干第一通孔11a，所述邊框上設(shè)有若干第二通孔12a，所述第一通孔11a以及所述第二通孔12a用于注入清洗液，對(duì)承載于所述內(nèi)框2上的硅塊進(jìn)行清洗。這里，所述的清洗液為硝酸、氫氟酸混合液，所以，為了防止所述硅塊清洗裝置在清洗過程中被腐蝕，所述硅塊清洗裝置的材料必須要耐腐蝕、耐磨損，優(yōu)選的，所述底板11、所述邊框12的材料為PP材料。其中，所述第一通孔11a以所述第二通孔12a的形狀可以為圓形孔或方形孔，這里不做限定。結(jié)合圖2a、圖2b，為了解決硅塊堆積造成清洗不均勻的問題，本實(shí)施例中硅塊清洗裝置包括多個(gè)相互堆疊設(shè)置在所述容置腔內(nèi)的內(nèi)框2，所述內(nèi)框2用于承載需要進(jìn)行清洗的硅塊，其中，所述內(nèi)框2的數(shù)量可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，這里不做限定，通常設(shè)定為2～4個(gè)。所述內(nèi)框2的材料為耐酸堿材料，例如，所述內(nèi)框2的材料為PE材料。為了實(shí)現(xiàn)硅塊與硅塊清洗裝置之間的接觸方式為線接觸，所述內(nèi)框的底部21為包括若干承載條21a排列而成的鏤空結(jié)構(gòu)，所述承載條21a用于承載需要清洗的硅塊；所述內(nèi)框2可以由所述承載條21a沿水平方向等間距排列而成，也可以由所述承載條21a沿垂直方向等間距排列而成，還可以由所述承載條21a分別沿水平方向以及垂直方向等間距排列而成。其中，所述承載條21a的寬度為3～5mm，厚度為3～5mm，所述承載條的形狀可以根據(jù)需要進(jìn)行選定，為了減少所述承載條與硅塊之間的接觸面積，使得硅塊清洗更徹底，優(yōu)選的，所述承載條21a的形狀為柱形，其直徑為3～5mm。為了便于對(duì)硅塊進(jìn)行限位，本實(shí)施例中所述內(nèi)框2還包括與所述邊框12對(duì)應(yīng)設(shè)置的側(cè)壁22，所述承載條21a兩端分別與所述側(cè)壁22靠近所述底板11一端連接。其中，所述側(cè)壁22主要是起到支撐的作用。將需要清洗的硅塊鋪設(shè)于所述承載條21a上，然后將承載有硅塊的內(nèi)框2依次堆疊放入所述底板11與所述邊框12圍合成的容置腔內(nèi)，這樣上下內(nèi)框2中位于所述承載條21a上的硅塊不會(huì)接觸，避免了硅塊堆積造成清洗不均勻。其中，為了使得從第二通孔12a注入的清洗液順利注入，上下堆疊的內(nèi)框2的結(jié)構(gòu)可以不相同(如圖2a、圖2b所示)，例如，位于上層的內(nèi)框2的側(cè)壁22可以只包括平行的兩面，另兩面形成為一開口，從第二通孔12a注入的清洗液就可以很容易從開口處流入。進(jìn)一步地，參閱圖2a和圖2b為了減少在清洗過程中硅塊與硅塊之間的接觸，所述內(nèi)框2中還設(shè)置有至少一個(gè)擋板23，所述擋板23將所述內(nèi)框2分隔成多個(gè)格子，優(yōu)選的，所述格子的數(shù)量為2～5個(gè)。在清洗的時(shí)候，將硅塊鋪設(shè)在這些格子中可以減少硅塊與硅塊之間的接觸。結(jié)合圖3、圖4，當(dāng)所述內(nèi)框2接近所述底板11時(shí)，為了增加硅塊與所述第一通孔11a注入的清洗液之間的接觸面積，所述底板11上還設(shè)置有多個(gè)從所述底板11上凸起的螺紋連接件11b，所述螺紋連接件11b的頂端為球形或半球形。所述螺紋連接件11b和所述第一通孔11a分別呈陣列分布在所述底板11上，并且，所述螺紋連接件11b和所述第一通孔11a呈相互交錯(cuò)陣列排布。所述螺紋連接件11b的頂端與所述底板11之間的距離為4～6mm，優(yōu)選的，所述螺紋連接件11b為M10的螺栓，螺柱的長(zhǎng)度為20mm(一部分旋轉(zhuǎn)進(jìn)入底板本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種硅塊清洗裝置，包括外框，所述外框包括底板以及由所述底板向上延伸的邊框，所述底板與所述邊框圍合成一容置腔；所述底板上設(shè)有若干第一通孔，所述邊框上設(shè)有若干第二通孔，所述第一通孔以及所述第二通孔用于注入清洗液；其特征在于，所述裝置還包括多個(gè)相互堆疊設(shè)置在所述容置腔內(nèi)的內(nèi)框，所述內(nèi)框的底部為包括若干承載條排列而成的鏤空結(jié)構(gòu)，所述內(nèi)框用于裝載硅塊。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種硅塊清洗裝置，包括外框，所述外框包括底板以及由所述底板向上
延伸的邊框，所述底板與所述邊框圍合成一容置腔；所述底板上設(shè)有若干第一
通孔，所述邊框上設(shè)有若干第二通孔，所述第一通孔以及所述第二通孔用于注
入清洗液；其特征在于，所述裝置還包括多個(gè)相互堆疊設(shè)置在所述容置腔內(nèi)的
內(nèi)框，所述內(nèi)框的底部為包括若干承載條排列而成的鏤空結(jié)構(gòu)，所述內(nèi)框用于
裝載硅塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅塊清洗裝置，其特征在于，所述內(nèi)框中還設(shè)置
有至少一個(gè)擋板，所述擋板將所述內(nèi)框分隔成多個(gè)格子。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅塊清洗裝置，其特征在于，所述格子的數(shù)量為
2～5個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅塊清洗裝置，其特征在于，所述底板上還設(shè)置
有多個(gè)從所述底板上凸...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉剛，秦榕，曹文海，高亞麗，李永紅，李文強(qiáng)，何銀鳳，薛心祿，王素賢，吳良，劉言博，楊紫琪，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：青海黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司新能源分公司，黃河水電光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：青海;63