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    壓力感測輸入裝置制造方法及圖紙

    技術編號:15143752 閱讀:64 留言:0更新日期:2017-04-11 03:31
    本實用新型專利技術涉及壓力感測技術領域,特別涉及一種壓力感測輸入裝置。該壓力感測輸入裝置中包括一第一基板及一第一導電層,該第一導電層具有第一壓力感測電極,該第一壓力感測電極用于偵測施加導電層上壓力的大小,所述第一壓力感測電極由納米銀線薄膜形成。

    【技術實現步驟摘要】

    本技術涉及壓力感測
    ,特別涉及一種壓力輸入裝置。
    技術介紹
    消費者產品,例如,移動電話、移動導航系統、移動游戲設備以及移動媒體播放器等,正在尋找新的輸入方法。現今通常使用的觸控裝置是一種通過觸摸方式接收輸入信號的感應裝置。理想的觸控裝置不僅能夠感應觸摸位置,而且還能感應觸摸壓力,這種壓力感測為觸摸輸入提供了一個額外的自由度,并能適應不同的輸入方法,如手寫筆,手指,以及戴著手套的手指等。因此,同時實現壓力和位置的觸摸感應技術應運而生,并得到了業界的廣泛關注。該技術是利用氧化銦錫(簡稱為ITO)材料通過黃光工藝制程進行制備的。然而,由于黃光工藝制程復雜、設備成本高,同時,ITO材料脆性大,且銦是一種昂貴的稀有金屬,在大自然的存儲量比較小,其價格比較昂貴,氧化銦錫作為觸控裝置的檢測電極在很大程度上提升了制造成本,致使該種觸控裝置的整體制造成本高,其在一定程度上抑制了產業的發展。此外,采用ITO薄膜作為觸控的導電膜也存在如下的問題:(1)隨著電阻及應用尺寸變大,電極間的電流傳輸速度變慢,從而導致相應速度(指接觸指尖到檢測出該位置的時間)變慢;(2)由ITO形成的導電膜在被施加壓力時,僅發生單層形變,電阻變化率較小,壓力感測的精度較差。綜上所述,尋找一種新的方案能夠解決ITO所存在的價格昂貴,工藝復雜,抗損性能差等缺點成為業界的努力方向。
    技術實現思路
    為克服現有輸入裝置中存在的ITO脆性大,價格昂貴,工藝復雜,抗損性能差等的缺點,本技術提供了一種壓力感測輸入裝置。本技術解決技術問題的技術方案是提供一種壓力感測輸入裝置,包括:第一基板;第一導電層,設置于該第一基板,所述第一導電層包括復數個第一壓力感測電極,所述第一壓力感測電極由納米銀線薄膜形成,該第一壓力感測電極用于偵測施加第一導電層上壓力的大小;壓力感測芯片,與所述第一壓力感測電極電連接,所述壓力感測芯片通過檢測所述第一壓力感測電極在受到壓力后產生的電阻變化量實現對所述壓力大小的檢測。優選地,所述納米銀線薄膜包括納米銀線和基質,當納米銀線薄膜受到觸壓時,該納米銀線薄膜發生形變,且所述納米銀線搭接點增多,電阻變化率增大。優選地,所述納米銀線薄膜包括暗色添加劑顆粒,該暗色添加劑顆粒的粒徑為20nm-800nm。優選地,所述第一導電層的厚度為10nm-5μm,其透光率至少為90%,其霧度小于3%,其方阻小于150ohm/sq,其折射率為1.3-2.5。優選地,所述第一壓力感測電極為曲線狀、折線狀、繞線式放射狀、繞線式螺旋狀中的任一種或多種。優選地,所述第一壓力感測電極的應變計因子大于0.5。優選地,所述第一壓力感測電極能實現多點壓力偵測。優選地,所述壓力輸入裝置進一步包括復數個第一觸控感應電極,所述第一導電層包括第一壓力感測配置區和第一觸控感應配置區,所述第一觸控感應電極位于所述第一觸控感應配置區,所述第一壓力感測電極位于所述第一壓力感測配置區,其中所述第一壓力感測配置區與第一觸控感應配置區面積互補。優選地,所述第一壓力感測電極與至少部分所述第一觸控感應電極在同一制程中形成,該第一壓力感測電極與該第一觸控感應電極于基板的同一平面上。優選地,所述第一壓力感測電極的線寬為所述第一觸控感應電極的線寬的0.5-0.8倍。優選地,所述第一壓力感測配置區設于所述第一觸控感測配置區的第一觸控感測電極之間或設于所述第一觸控感測配置區的周圍。優選地,所述第一觸控感測電極進一步包括間隔設置的第一方向觸控感測電極及第二方向觸控感測電極,所述第一壓力感測電極設置于第一方向觸控感測電極及第二方向觸控感測電極之間。優選地,所述壓力輸入裝置進一步包括第二基板及第二導電層,所述第二導電層設于所述第二基板表面,該第二導電層包括復數個第二觸控感應電極和/或第二壓力感測電極;所述第一觸控感測電極與第二觸控感應電極用于檢測多點觸控。優選地,所述壓力輸入裝置還包括至少一光學匹配層,該光學匹配層的折射率為1.1-1.6,所述光學匹配層位于所述第一導電層和第一基板之間。優選地,所述第一基板為一保護蓋板,用以作為第一導電層的保護外蓋,所述保護蓋板具有第一表面及相對設置的第二表面,所述第一表面供使用者施加一觸壓動作。與現有技術相比,本技術中的壓力感測輸入裝置的第一導電層由納米銀線薄膜形成,其具有價格低,當受到壓力作用時電阻變化大,且撓性好等優點。另外,當壓力感測輸入裝置的第一導電層由納米銀線薄膜形成時,其可以采用簡單的涂布工藝來代替傳統ITO黃光工藝,其簡化了觸控面板的制作工藝的同時,設備成本降低,大大降低了成本和提高了效率。【附圖說明】圖1是本技術納米銀線薄膜的截面結構示意圖。圖2是本技術納米銀線薄膜的平面示意圖。圖3是本技術納米銀線薄膜的觸控原理內部結構示意圖。圖4A是本技術壓力感測輸入裝置第一實施例的結構示意圖。圖4B是圖4A中導電層的正視示意圖。圖5是本技術壓力感測輸入裝置第二實施例的導電圖案平面示意圖。圖6是本技術壓力感測輸入裝置第三實施例的剖面結構示意圖。圖7是本技術壓力感測輸入裝置第四實施例的剖面結構示意圖。圖8A是本技術壓力感測輸入裝置第五實施例的結構示意圖。圖8B是圖8A的沿B-B方向的剖面結構示意圖。圖9是本技術壓力感測輸入裝置第六實施例的立體爆炸結構示意圖。圖10A是本技術壓力感測輸入裝置第七實施例的立體爆炸結構示意圖。圖10B是圖10A中第一導電層局部的平面結構示意圖。圖11A是本技術壓力感測輸入裝置第八實施例的結構示意圖。圖11B是圖11A中Ⅰ處放大示意圖。圖12A是本技術壓力感測輸入裝置第九實施例的結構示意圖。圖12B是圖12A的又一變形實施例的結構示意圖。圖13A是本技術第十實施例壓力感測輸入裝置制造方法流程圖。圖13B是本技術第十實施例中蝕刻程度示意圖。【具體實施方式】為了使本技術的目的,技術方案及優點更加清楚明白,以下結合附圖及實施實例,對本技術進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本技術,并不用于限定本技術。<本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    一種壓力感測輸入裝置,包括:第一基板;第一導電層,設置于該第一基板,所述第一導電層包括復數個第一壓力感測電極,所述第一壓力感測電極由納米銀線薄膜形成,該第一壓力感測電極用于偵測施加第一導電層上壓力的大小;壓力感測芯片,與所述第一壓力感測電極電連接,所述壓力感測芯片通過檢測所述第一壓力感測電極在受到壓力后產生的電阻變化量實現對所述壓力大小的檢測。

    【技術特征摘要】
    1.一種壓力感測輸入裝置,包括:
    第一基板;
    第一導電層,設置于該第一基板,所述第一導電層
    包括復數個第一壓力感測電極,所述第一壓力感測電極
    由納米銀線薄膜形成,該第一壓力感測電極用于偵測施
    加第一導電層上壓力的大小;
    壓力感測芯片,與所述第一壓力感測電極電連接,
    所述壓力感測芯片通過檢測所述第一壓力感測電極在
    受到壓力后產生的電阻變化量實現對所述壓力大小的
    檢測。
    2.如權利要求1所述的壓力感測輸入裝置,其特征
    在于:所述納米銀線薄膜包括納米銀線和基質,當納米
    銀線薄膜受到觸壓時,該納米銀線薄膜發生形變,且所
    述納米銀線搭接點增多,電阻變化率增大。
    3.如權利要求2所述的壓力感測輸入裝置,其特征
    在于:所述納米銀線薄膜包括暗色添加劑顆粒,該暗色
    添加劑顆粒的粒徑為20nm-800nm。
    4.如權利要求1所述的壓力感測輸入裝置,其特征
    在于:所述第一導電層的厚度為10nm-5μm,其透光率至
    少為90%,其霧度小于3%,其方阻小于150ohm/sq,其
    折射率為1.3-2.5。
    5.如權利要求1所述的壓力感測輸入裝置,其特征
    在于:所述第一壓力感測電極為曲線狀、折線狀、繞線
    式放射狀、繞線式螺旋狀中的任一種或多種。
    6.如權利要求1所述的壓力感測輸入裝置,其特征
    在于:所述第一壓力感測電極的應變計因子大于0.5。
    7.如權利要求1所述的壓力感測輸入裝置,其特征
    在于:所述第一壓力感測電極能實現多點壓力偵測。
    8.如權利要求1所述的壓力感測輸入裝置,其特征
    在于:進一步包括復數個第一觸控感應電極,所述第一
    導電層包括第一壓力感測配置區和第一觸控感應配置
    區,所述第一觸控感應電極位于所述第一觸控感應配置
    區,所述第一壓力感測電極位于所述第...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:陳風陳藝琴何加友
    申請(專利權)人:宸鴻科技廈門有限公司
    類型:新型
    國別省市:福建;35

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