聚合性化合物、聚合物、聚合性組合物及薄膜制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種式(I)所表示的聚合性化合物；通過上述聚合性化合物的聚合而得到的聚合物；含有上述聚合性化合物的聚合性組合物；及由上述聚合性組合物形成的薄膜。本發(fā)明專利技術(shù)的聚合性化合物能夠用作低雙折射性液晶。式中，R1、R2表示?C(＝O)?X?Sp3?Q3等，n1、n2表示0～4的整數(shù)，X表示?O?等，Z1表示亞芳基等，Z2表示反式?1,4?亞環(huán)己基或亞芳基等，m1表示1或2的整數(shù)，m2表示0～2的整數(shù)，L1、L2表示?C(＝O)O?或?OC(＝O)?等，Sp1、Sp2、Sp3表示亞烷基或在亞烷基中1個或2個以上的?CH2?被?O?取代而得到的基團等，Q1及Q2表示聚合性基團，Q3表示氫原子或聚合性基團。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及一種新型聚合性化合物。本專利技術(shù)還涉及一種由新型聚合性化合物制造的聚合物、含有新型聚合性化合物的聚合性組合物及由含有新型聚合性化合物的聚合性組合物形成的薄膜。
技術(shù)介紹
使用具有液晶性的聚合性化合物，能夠制作相位差膜及反射膜等各種光學(xué)膜。聚合性化合物的雙折射性是與所得到的光學(xué)膜的光學(xué)性質(zhì)的相關(guān)性很大的性質(zhì)之一。例如，通過使用顯示較高的雙折射性的液晶，能夠得到較薄的膜厚且具有所希望的相位差的相位差膜(專利文獻1)。另一方面，通過設(shè)為使用雙折射性較低的聚合性化合物形成的膽甾醇型液晶相固定而成的薄膜，能夠得到反射波長區(qū)域的選擇性較高的反射膜。專利文獻2中記載有如下：通過將特定結(jié)構(gòu)的非液晶性(甲基)丙烯酸酯化合物與聚合性液晶化合物一同使用，可以得到低雙折射性的相位差膜或反射波長區(qū)域的選擇性較高的反射膜。以往技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1：WO2011/162291專利文獻2：日本特開2004-262884號公報專利文獻3：日本特開2003-315553號公報
技術(shù)實現(xiàn)思路
專利技術(shù)要解決的技術(shù)課題本專利技術(shù)的課題在于提供一種能夠用作低雙折射性液晶的新型聚合性化合物。本專利技術(shù)的課題在于還提供一種使用新型聚合性化合物制作的低雙折射性相位差膜等薄膜。用于解決技術(shù)課題的手段本專利技術(shù)人等為了解決上述課題而對各種結(jié)構(gòu)的化合物進行了研究的結(jié)果，通過專利文獻3發(fā)現(xiàn)具有與公知的聚合性化合物類似的結(jié)構(gòu)的新型化合物顯示低雙折射性并且具有對薄膜的形成有利的性質(zhì)，根據(jù)該見解進一步重復(fù)進行了研究，并完成了本專利技術(shù)。即，本專利技術(shù)提供以下＜1＞至＜17＞。＜1＞一種式(I)所表示的聚合性化合物；[化學(xué)式1]式中，R1、R2分別獨立地為選自由烷基、烷氧基及-C(＝O)-X-Sp3-Q3組成的組中的基團，n1、n2分別獨立地表示0～4的整數(shù)，X表示單鍵、-O-、-S-或-N(Sp4-Q4)-、或者表示與Q3及Sp3一同形成環(huán)結(jié)構(gòu)的氮原子，Z1表示可以具有取代基的亞芳基或可以具有取代基的雜亞芳基，Z2表示可以具有取代基的反式-1,4-亞環(huán)己基、可以具有取代基的亞芳基或可以具有取代基的雜亞芳基，上述取代基均分別獨立地為選自由烷基、烷氧基及-C(＝O)-X-Sp3-Q3組成的組中的1至4個取代基，m1表示1或2的整數(shù)，m2表示0～2的整數(shù)，m1、m2表示2時2個Z1、Z2可以相同也可以不同，L1、L2分別獨立地表示單鍵、選自由-O-、-CH2O-、-OCH2-、-(CH2)2OC(＝O)-、-C(＝O)O(CH2)2-、-NH-、N(CH3)-、-S-、-C(＝O)O-、-OC(＝O)-、-OC(＝O)O-、-C(＝O)N(T3)-、-N(T3)C(＝O)-、-C(＝O)S-、-SC(＝O)-、-CH2C(＝O)O-、-OC(＝O)CH2-、-CH＝CH-C(＝O)O-、-OC(＝O)-CH＝CH-、-CH＝N-、-N＝CH-及-N＝N-組成的組中的連接基團，T3表示-Sp5-Q5,Sp1、Sp2、Sp3、Sp4、Sp5分別獨立地表示單鍵、選自由碳原子數(shù)1至20的直鏈或分支亞烷基、在碳原子數(shù)1至20的直鏈或分支亞烷基中1個或2個以上的-CH2-被-O-、-S-、-NH-、-N(CH3)-、-C(＝O)-、-OC(＝O)-、或-C(＝O)O-取代而得到的基團組成的組中的連接基團，Q1及Q2分別獨立地表示選自由以下的式(Q-1)～式(Q-5)所表示的基團組成的組中的任一聚合性基團，Q3、Q4、Q5分別獨立地表示氫原子、環(huán)烷基、在環(huán)烷基中1個或2個以上的-CH2-被-O-、-S-、-NH-、-N(CH3)-、-C(＝O)-、-OC(＝O)-、或-C(＝O)O-取代而得到的基團、或選自由以下的式(Q-1)～式(Q-5)所表示的基團組成的組中的任一聚合性基團，Q3在與X及Sp3一同形成環(huán)結(jié)構(gòu)時可以表示單鍵，Sp4為單鍵時Q4并非為氫原子。[化學(xué)式2]＜2＞根據(jù)＜1＞所述的聚合性化合物，其中R1、R2分別為-C(＝O)-X-Sp3-Q3。＜3＞根據(jù)＜2＞所述的聚合性化合物，其中X為-O-。＜4＞根據(jù)＜2＞或＜3＞所述的聚合性化合物，其中Sp3為選自由碳原子數(shù)1至5的直鏈或分支亞烷基、-(CH2)2-O-(CH2)2-、-CH2-O-(CH2)2-及-(CH2)2-O-CH2-組成的組中的任一基團。＜5＞根據(jù)＜1＞至＜4＞中任一項所述的聚合性化合物，其中m1為1，且Z1為可以具有取代基的亞芳基。＜6＞根據(jù)＜1＞至＜5＞中任一項所述的聚合性化合物，其中Q1及Q2分別獨立地為式(Q-1)所表示的基團或式(Q-2)所表示的基團。＜7＞根據(jù)＜1＞至＜6＞中任一項所述的聚合性化合物，其中m2為0或1，且Z2為可以具有取代基的亞芳基。＜8＞根據(jù)＜1＞至＜7＞中任一項所述的聚合性化合物，其中L1、L2均為-C(＝O)O-或-OC(＝O)-。＜9＞根據(jù)<1>所述的聚合性化合物，其中，R1、R2分別為-C(＝O)-O-Sp3-Q3，Sp3為選自由碳原子數(shù)1至5的直鏈或分支亞烷基、-(CH2)2-O-(CH2)2-、-CH2-O-(CH2)2-及-(CH2)2-O-CH2-組成的組中的任一基團，m1為1，Z1為可以具有取代基的亞苯基,Q1及Q2分別獨立地為式(Q-1)所表示的基團或式(Q-2)所表示的基團，L1、L2均為-C(＝O)O-或-OC(＝O)-。＜10＞根據(jù)＜9＞所述的聚合性化合物，其中m2為0或1，且Z2為可以具有取代基的亞苯基。＜11＞一種聚合物，其通過＜1＞至＜10＞中任一項所述的聚合性化合物的聚合反應(yīng)而得到。＜12＞一種聚合性組合物，其含有＜1＞至＜10＞中任一項所述的聚合性化合物。＜13＞根據(jù)＜10＞所述的聚合性組合物，其含有式(I)所表示的聚合性化合物以及其他液晶化合物。＜14＞根據(jù)＜12＞或＜13＞所述的聚合性組合物，其含有交聯(lián)劑。＜15＞根據(jù)＜12＞至＜14＞中任一項所述的聚合性組合物，其含有聚合引發(fā)劑。＜16＞根據(jù)＜12＞至＜15＞中任一項所述的聚合性組合物，其含有手性化合物。＜17＞一種薄膜，其包含＜12＞至＜16＞中任1項所述的聚合性組合物的固化膜。專利技術(shù)效果通過本專利技術(shù)，可提供一種能夠用作低雙折射性液晶的新型聚合性化合物。使用上述聚合性化合物能夠制造新規(guī)聚合物，使用含有上述聚合性化合物的聚合性組合物能夠提供低雙折射性相位差膜等新型薄膜。具體實施方式以下，對本專利技術(shù)進行詳細(xì)說明。另外，本說明書中，用“～”表示的數(shù)值范圍將“～”前后所記載的數(shù)值作為下限值及上限值。本說明書中，“(甲基)丙烯酸酯”的記載表示“丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯中的任意一方或雙方”的含義。“(甲基)丙烯酸基”等也相同，“(甲基)丙烯酰基”表示“丙烯酰基及甲基丙烯酰基中的任意一方或雙方”的含義。本說明書中，當(dāng)稱為相位差時，表示面內(nèi)延遲，當(dāng)沒有提及波長時，表示波長550nm下的面內(nèi)延遲。本說明書中，面內(nèi)延遲是使用AXOMETRICS,INC.制的偏振光相位差分析裝置AxoScan來測定的。波長λnm下的面內(nèi)延遲也能夠通過在KOBRA21ADH或WR(OjiScientificInstrumentsCo.,Ltd.制)中使波長λnm的光沿薄膜法線方向入射來測定。＜式(I)所表示的聚合性化本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種式(I)所表示的聚合性化合物；[化學(xué)式1]式中，R1、R2分別獨立地為選自由烷基、烷氧基及?C(＝O)?X?Sp3?Q3組成的組中的基團，n1、n2分別獨立地表示0～4的整數(shù)，X表示單鍵、?O?、?S?或?N(Sp4?Q4)?、或者表示與Q3及Sp3一同形成環(huán)結(jié)構(gòu)的氮原子，Z1表示可以具有取代基的亞芳基或可以具有取代基的雜亞芳基，Z2表示可以具有取代基的反式?1,4?亞環(huán)己基、可以具有取代基的亞芳基或可以具有取代基的雜亞芳基，所述取代基均分別獨立地為選自由烷基、烷氧基及?C(＝O)?X?Sp3?Q3組成的組中的1至4個取代基，m1表示1或2的整數(shù)，m2表示0～2的整數(shù)，m1、m2表示2時的2個Z1、Z2可以相同也可以不同，L1、L2分別獨立地表示單鍵、選自由?O?、?CH2O?、?OCH2?、?(CH2)2OC(＝O)?、?C(＝O)O(CH2)2?、?NH?、N(CH3)?、?S?、?C(＝O)O?、?OC(＝O)?、?OC(＝O)O?、?C(＝O)N(T3)?、?N(T3)C(＝O)?、?C(＝O)S?、?SC(＝O)?、?CH2C(＝O)O?、?OC(＝O)CH2?、?CH＝CH?C(＝O)O?、?OC(＝O)?CH＝CH?、?CH＝N?、?N＝CH?及?N＝N?組成的組中的連接基團，T3表示?Sp5?Q5，Sp1、Sp2、Sp3、Sp4、Sp5分別獨立地表示單鍵、選自由碳原子數(shù)1至20的直鏈或分支亞烷基、在碳原子數(shù)1至20的直鏈或分支亞烷基中1個或2個以上的?CH2?被?O?、?S?、?NH?、?N(CH3)?、?C(＝O)?、?OC(＝O)?或?C(＝O)O?取代而得到的基團組成的組中的連接基團，Q1及Q2分別獨立地表示選自由以下的式(Q?1)～式(Q?5)所表示的基團組成的組中的任一聚合性基團，Q3、Q4、Q5分別獨立地表示氫原子、環(huán)烷基、在環(huán)烷基中1個或2個以上的?CH2?被?O?、?S?、?NH?、?N(CH3)?、?C(＝O)?、?OC(＝O)?或?C(＝O)O?取代而得到的基團、或選自由以下的式(Q?1)～式(Q?5)所表示的基團組成的組中的任一聚合性基團，Q3在與X及Sp3一同形成環(huán)結(jié)構(gòu)時可以表示單鍵，Sp4為單鍵時Q4并非為氫原子；[化學(xué)式2]...

【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】2014.09.05 JP 2014-1811371.一種式(I)所表示的聚合性化合物；[化學(xué)式1]式中，R1、R2分別獨立地為選自由烷基、烷氧基及-C(＝O)-X-Sp3-Q3組成的組中的基團，n1、n2分別獨立地表示0～4的整數(shù)，X表示單鍵、-O-、-S-或-N(Sp4-Q4)-、或者表示與Q3及Sp3一同形成環(huán)結(jié)構(gòu)的氮原子，Z1表示可以具有取代基的亞芳基或可以具有取代基的雜亞芳基，Z2表示可以具有取代基的反式-1,4-亞環(huán)己基、可以具有取代基的亞芳基或可以具有取代基的雜亞芳基，所述取代基均分別獨立地為選自由烷基、烷氧基及-C(＝O)-X-Sp3-Q3組成的組中的1至4個取代基，m1表示1或2的整數(shù)，m2表示0～2的整數(shù)，m1、m2表示2時的2個Z1、Z2可以相同也可以不同，L1、L2分別獨立地表示單鍵、選自由-O-、-CH2O-、-OCH2-、-(CH2)2OC(＝O)-、-C(＝O)O(CH2)2-、-NH-、N(CH3)-、-S-、-C(＝O)O-、-OC(＝O)-、-OC(＝O)O-、-C(＝O)N(T3)-、-N(T3)C(＝O)-、-C(＝O)S-、-SC(＝O)-、-CH2C(＝O)O-、-OC(＝O)CH2-、-CH＝CH-C(＝O)O-、-OC(＝O)-CH＝CH-、-CH＝N-、-N＝CH-及-N＝N-組成的組中的連接基團，T3表示-Sp5-Q5，Sp1、Sp2、Sp3、Sp4、Sp5分別獨立地表示單鍵、選自由碳原子數(shù)1至20的直鏈或分支亞烷基、在碳原子數(shù)1至20的直鏈或分支亞烷基中1個或2個以上的-CH2-被-O-、-S-、-NH-、-N(CH3)-、-C(＝O)-、-OC(＝O)-或-C(＝O)O-取代而得到的基團組成的組中的連接基團，Q1及Q2分別獨立地表示選自由以下的式(Q-1)～式(Q-5)所表示的基團組成的組中的任一聚合性基團，Q3、Q4、Q5分別獨立地表示氫原子、環(huán)烷基、在環(huán)烷基中1個或2個以上的-CH2-被-O-、-S-、-NH-、-N(CH3)-、-C(＝O)-、-OC(＝O)-或-C(＝O)O-取代而得到的基團、或選自由以下的式(Q-1)～式(Q-5)所表示的基團組成的組中的任一聚合性基團，Q3在與X及...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：加藤峻也，林大介，
申請(專利權(quán))人：富士膠片株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：日本;JP