用于均勻等離子體處理的噴嘴制造技術

一種用于均勻等離子體處理的噴嘴包括入口部及出口部。該入口部具有基本上平行于垂直軸的側表面。該入口部包括多個氣體通道。該出口部被耦接到該入口部。該出口部包括多個出口。所述出口中的至少一個相對于該垂直軸成非直角的角度。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】本申請主張于2014年8月15日提出的、標題為“NOZZLEFORUNIFORMPLASMAPROCESSING(用于均勻等離子體處理的噴嘴)”的在先美國非臨時專利申請No.14/461,318的權益，該申請以引用方式全部并入本文中。
本專利技術的實施例涉及電子器件制造的領域，特別是涉及制造用于均勻等離子體處理的噴嘴。
技術介紹
目前，許多的電子系統，例如高壓集成電路(IC)、微機電系統(MEMS)、光電器件及其他電子系統，都需要高深寬比的通孔和溝槽。一般來說，電子部件(例如通孔、溝槽、柱狀物)的制造涉及蝕刻半導體基板。通常，高深寬比的硅通孔(TSV)和溝槽是使用波希(Bosch)工藝制造的，波希工藝反復交替于等離子體蝕刻和沉積模式之間。通常，波希工藝使用交替的等離子體沉積和蝕刻模式的重復來形成聚合物側表面鈍化層，同時在垂直方向上蝕刻通孔。目前沉積的聚合物鈍化層具有不理想的非均勻輪廓。通孔制造目前受現有的標準噴嘴限制。一般來說，橫跨晶片的等離子體蝕刻和沉積的不均勻性導致電子部件(例如柱狀物、通孔及溝槽)的輪廓變化。也就是說，等離子體沉積和蝕刻操作中任一者的任何不均勻性不僅會明顯影響通孔深度的均勻性，而且還會影響橫跨晶片的輪廓均勻性。另外，橫跨晶片的等離子體蝕刻和沉積的不均勻性會引入電子器件缺陷(例如條紋、彎曲及錐形物)。如此一來，橫跨晶片的等離子體蝕刻和沉積的不均勻性會影響良率并增加電子器件制造的成本。
技術實現思路
描述了提供用于均勻等離子體處理的噴嘴的方法和設備。在一個實施例中，一種用于均勻等離子體處理的噴嘴包括入口部及出口部。該入口部具有大致平行于垂直軸延伸的側表面。該入口部包括多個氣體通道。該出口部被耦接到該入口部。該出口部包括多個出口。所述出口中的至少一個相對于該垂直軸成非直角的角度。在一個實施例中，一種用于均勻等離子體處理的噴嘴包括入口部及出口部。該入口部具有基本上平行于垂直軸的側表面。該入口部包括多個氣體通道。該出口部被耦接到該入口部。該出口部包括多個出口。所述出口中的至少一個相對于該垂直軸成非直角的角度。所述氣體通道中的至少一個相對于該垂直軸以一角度延伸。在一個實施例中，一種用于均勻等離子體處理的噴嘴包括入口部及出口部。該入口部具有基本上平行于垂直軸的側表面。該入口部包括多個氣體通道。該出口部被耦接到該入口部。該出口部包括多個出口。所述出口中的至少一個相對于該垂直軸成非直角的角度。空腔介于該入口部與該出口部之間。在一個實施例中，一種用于均勻等離子體處理的噴嘴包括入口部及出口部。該入口部具有基本上平行于垂直軸的側表面。該入口部包括多個氣體通道。該出口部被耦接到該入口部。該出口部包括多個出口。所述出口中的至少一個相對于該垂直軸成非直角的角度。該出口部具有凸形形狀。在一個實施例中，一種用于均勻等離子體處理的噴嘴包括入口部及出口部。該入口部具有基本上平行于垂直軸的側表面。該入口部包括多個氣體通道。該出口部被耦接到該入口部。該出口部包括多個出口。所述出口中的至少一個相對于該垂直軸成非直角的角度。該出口部具有凹形形狀。在一個實施例中，一種用于均勻等離子體處理的噴嘴包括入口部及出口部。該入口部具有基本上平行于垂直軸的側表面。該入口部包括多個氣體通道。該出口部被耦接到該入口部。該出口部包括多個出口。所述出口中的至少一個相對于該垂直軸成非直角的角度。該出口部包括至少一個階梯。在一個實施例中，一種用于均勻等離子體處理的噴嘴包括入口部及出口部。該入口部具有基本上平行于垂直軸的側表面。該入口部包括多個氣體通道。該出口部被耦接到該入口部。該出口部包括多個出口。所述出口中的至少一個相對于該垂直軸成非直角的角度。該出口部包括相對于該垂直軸以一角度延伸的側表面。在一個實施例中，一種用于均勻等離子體處理的噴嘴包括入口部及出口部。該入口部具有基本上平行于垂直軸的側表面。該入口部包括多個氣體通道。該出口部被耦接到該入口部。該出口部包括多個出口。所述出口中的至少一個相對于該垂直軸成非直角的角度。出口的數量大于氣體通道的數量。在實施例中，一種等離子體處理系統包括處理腔室、等離子體源、及被耦接至該等離子體源的噴嘴，該噴嘴用以接收氣體以在該處理腔室中產生等離子體。該處理腔室包括臺座，該臺座用以固持包括基板的工件。該噴嘴包括入口部及被耦接至該入口部的出口部。該入口部包括基本上平行于垂直軸的側表面。該入口部包括多個氣體通道。該出口部包括多個出口。所述出口中的至少一個相對于該垂直軸成非直角的角度。在實施例中，一種等離子體處理系統包括處理腔室、等離子體源、及被耦接至該等離子體源的噴嘴，該噴嘴用以接收氣體以在該處理腔室中產生等離子體。該處理腔室包括臺座，該臺座用以固持包括基板的工件。該噴嘴包括入口部及被耦接至該入口部的出口部。該入口部包括基本上平行于垂直軸的側表面。該入口部包括多個氣體通道。該出口部包括多個出口。所述出口中的至少一個相對于該垂直軸成非直角的角度。所述氣體通道中的至少一個相對于該垂直軸以一角度延伸。在實施例中，一種等離子體處理系統包括處理腔室、等離子體源、及被耦接至該等離子體源的噴嘴，該噴嘴用以接收氣體以在該處理腔室中產生等離子體。該處理腔室包括臺座，該臺座用以固持包括基板的工件。該噴嘴包括入口部及被耦接至該入口部的出口部。該入口部包括基本上平行于垂直軸的側表面。該入口部包括多個氣體通道。該出口部包括多個出口。所述出口中的至少一個相對于該垂直軸成非直角的角度。空腔介于該入口部與該出口部之間。在實施例中，一種等離子體處理系統包括處理腔室、等離子體源、及被耦接至該等離子體源的噴嘴，該噴嘴用以接收氣體以在該處理腔室中產生等離子體。該處理腔室包括臺座，該臺座用以固持包括基板的工件。該噴嘴包括入口部及被耦接至該入口部的出口部。該入口部包括基本上平行于垂直軸的側表面。該入口部包括多個氣體通道。該出口部包括多個出口。所述出口中的至少一個相對于該垂直軸成非直角的角度。該出口部具有凸形形狀。在實施例中，一種等離子體處理系統包括處理腔室、等離子體源、及被耦接至該等離子體源的噴嘴，該噴嘴用以接收氣體以在該處理腔室中產生等離子體。該處理腔室包括臺座，該臺座用以固持包括基板的工件。該噴嘴包括入口部及被耦接至該入口部的出口部。該入口部包括基本上平行于垂直軸的側表面。該入口部包括多個氣體通道。該出口部包括多個出口。所述出口中的至少一個相對于該垂直軸成非直角的角度。該出口部具有凹形形狀。在實施例中，一種等離子體處理系統包括處理腔室、等離子體源、及被耦接至該等離子體源的噴嘴，該噴嘴用以接收氣體以在該處理腔室中產生等離子體。該處理腔室包括臺座，該臺座用以固持包括基板的工件。該噴嘴包括入口部及被耦接至該入口部的出口部。該入口部包括基本上平行于垂直軸的側表面。該入口部包括多個氣體通道。該出口部包括多個出口。所述出口中的至少一個相對于該垂直軸成非直角的角度。該出口部包括至少一個階梯。在實施例中，一種等離子體處理系統包括處理腔室、等離子體源、及被耦接至該等離子體源的噴嘴，該噴嘴用以接收氣體以在該處理腔室中產生等離子體。該處理腔室包括臺座，該臺座用以固持包括基板的工件。該噴嘴包括入口部及被耦接至該入口部的出口部。該入口部包括基本上平行于垂直軸的側表面。該入口部包括本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于均勻等離子體處理的噴嘴，包括：包括多個氣體通道的入口部，所述入口部具有基本上平行于垂直軸的側表面；以及被耦接到所述入口部的出口部，其中所述出口部包括多個出口，其中所述出口中的至少一個相對于所述垂直軸成非直角的角度。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2014.08.15 US 14/461,3181.一種用于均勻等離子體處理的噴嘴，包括：包括多個氣體通道的入口部，所述入口部具有基本上平行于垂直軸的側表面；以及被耦接到所述入口部的出口部，其中所述出口部包括多個出口，其中所述出口中的至少一個相對于所述垂直軸成非直角的角度。2.如權利要求1所述的噴嘴，其中所述氣體通道中的至少一個相對于所述垂直軸以一角度延伸。3.如權利要求1所述的噴嘴，進一步包括介于所述入口部與所述出口部之間的空腔。4.如權利要求1所述的噴嘴，其中所述出口部具有凸形形狀、凹形形狀和階梯中的一者。5.如權利要求1所述的噴嘴，其中所述出口的數量大于所述氣體通道的數量。6.一種等離子體處理系統，包括：處理腔室，包括臺座，用以固持工件，所述工件包括基板；等離子體源；被耦接至所述等離子體源的噴嘴，用以接收氣體，以在所述處理腔室中產生等離子體，其中所述噴嘴包括入口部及出口部，所述入口部包括多個氣體通道，所述入口部包括基本上平行于垂直軸的側表面，所述出口部被耦接到所述入口部，所述出口部包括多個出口，其中所...

【專利技術屬性】
技術研發人員：R·米什拉，S·S·C·R·巴海瑟帝，E·S·白，S·斯如納烏卡拉蘇，S·瓦亞布朗，C·孫，
申請(專利權)人：應用材料公司，
類型：發明
國別省市：美國;US