Method for preparing composite electroless nickel layer on substrate. The method comprises the steps of contacting the substrate with a composite electroless nickel plating bath and generating an electrostatic field in the electroless nickel plating bath. The electric field is generated in the following way: the anode is placed in the electroless nickel plating bath and the anode is connected to the positive terminal of DC rectifier, and the substrate is connected to the negative terminal of DC rectifier, and preferably the capacitor will be inserted into the circuit to prevent the current through the. The attractive force generated by the electrostatic field increases the attractive force of the positively charged PTFE particles to the negatively charged substrate and drives the positively charged PTFE particles to the negatively charged substrate.
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術一般概括而言涉及復合無電鎳鍍液及使用它的方法。
技術介紹
無電鍍是指鍍在基底上的含水金屬離子的自催化或化學還原。在無電鍍中,使用化學還原劑,從而避免需要采用電解鍍敷操作中所需的電流。通過無電鍍制備的沉積物具有獨特的冶金特性。例如,涂層可以表現出良好的均勻性,優異的耐腐蝕性、耐磨耗性和耐沖蝕性,非磁性和磁性,可焊性,高硬度,優異的粘附性和低摩擦系數。沉積物可以在寬范圍的基底上制造,包括金屬表面如鋼、黃銅、鋁、鋁合金、銅、鈦、鈦合金、鐵、鎂、鎂合金、鎳、鎳合金、青銅或不銹鋼,以及非金屬表面如塑料,包括聚丙烯酸酯、聚酰亞胺、尼龍、聚酰胺、聚乙烯和聚丙烯等。另外,由于無電鍍沉積物是自催化的,因此可以均勻地鍍敷具有復雜形狀的基底。無電鍍浴組合物通常包含水溶液,其含有待沉積的金屬離子、催化劑、一種或多種還原劑、一種或多種絡合劑、浴穩定劑和其他鍍敷添加劑,所有這些都經定制以適合于特定的金屬離子濃度、溫度和pH范圍。最常見的無電鍍體系之一涉及將鎳或鎳合金無電沉積到基底上。這種類型的鍍浴通常包含鎳離子源和還原劑。鍍浴還可以包括一種或多種絡合劑、緩沖劑、需要時使用的光亮劑和各種穩定劑以調節金屬沉積的速度并避免溶液的分解。在復合無電鍍中,有意地將不溶性或微溶性顆粒物引入到無電鍍浴組合物中,用于隨后共沉積到基底上。這種微米或亞微米顆粒在無電金屬沉積物中的均勻分散可以增強(超過基底和常規無電沉積物的)沉積物的耐磨耗性、耐沖蝕性和/或潤滑性。已經成功地共沉積了含有氟聚合物、天然和合成金剛石、陶瓷、碳化鉻、碳化硅和氧化鋁等的復合材料。使用復合鍍敷,特別是金屬化鍍敷,更特別地 ...
【技術保護點】
一種在基底上制造復合無電鎳層的方法,該方法包括以下步驟:a)使該基底與無電鎳鍍浴接觸,該無電鎳鍍浴包含:i)鎳離子源;ii)還原劑;和iii)PTFE分散體,該PTFE分散體包含:1)PTFE顆粒;2)非離子表面活性劑與陽離子表面活性劑的共混物;和3)水b)通過以下步驟在該無電鎳鍍浴中產生靜電場:(i)將陽極放置在該無電鎳鍍浴中并將該陽極連接到DC整流器的正端子;和(ii)將該基底連接到該DC整流器的負端子,其中由該靜電場產生的吸引力增加了帶正電荷的PTFE顆粒對帶負電荷的基板的吸引力,并將帶正電荷的PTFE顆粒驅使到帶負電荷的基板。
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2014.07.10 US 14/327,9951.一種在基底上制造復合無電鎳層的方法,該方法包括以下步驟:a)使該基底與無電鎳鍍浴接觸,該無電鎳鍍浴包含:i)鎳離子源;ii)還原劑;和iii)PTFE分散體,該PTFE分散體包含:1)PTFE顆粒;2)非離子表面活性劑與陽離子表面活性劑的共混物;和3)水b)通過以下步驟在該無電鎳鍍浴中產生靜電場:(i)將陽極放置在該無電鎳鍍浴中并將該陽極連接到DC整流器的正端子;和(ii)將該基底連接到該DC整流器的負端子,其中由該靜電場產生的吸引力增加了帶正電荷的PTFE顆粒對帶負電荷的基板的吸引力,并將帶正電荷的PTFE顆粒驅使到帶負電荷的基板。2.根據權利要求1所述的方法,其中所產生的靜電場具有約0.5至約2.0伏特的強度。3.根據權利要求2所述的方法,其中所產生的靜電場具有約0.8至約1.5伏特的強度。4.根據權利要求1所述的方法,其中將電容器放置在該陽極與該陰極之間的電路中。5.根據權利要求2所述的方法,其中將電容器放置在該陽...
【專利技術屬性】
技術研發人員:B·H·摩爾克斯,N·J·麥克于斯,J·帕夫洛夫斯基,
申請(專利權)人:麥克德米德尖端有限公司,
類型:發明
國別省市:美國;US
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