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    沖擊波沐足盆制造技術

    技術編號:15232589 閱讀:132 留言:0更新日期:2017-04-27 23:59
    本發明專利技術公開了一種沖擊波沐足盆,旨在提供一種能進行足部和膝關節疼痛理療保健,且不產生任何副作用的裝置,它包括盆體、控制面板及兩側設置電氣控制部分,所述的盆體底部設置有沖擊波發生裝置,內部設置有水循環加熱部分,外掛設置有膝關節沖擊波理療頭。

    Shock wave footbath

    The invention discloses a shock wave footbath, aiming at providing a foot and knee pain physiotherapy health care device and does not produce any side effect, which comprises a pot body, a control panel and arranged on both sides of the electrical control part, the bottom of the pot body is arranged in the shock wave generator is arranged inside water circulation heating part provided with knee external shock wave therapy head.

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及一種利用微量沖擊波進行足部理療保健和膝關節疼痛理療的裝置,更具體地說,它涉及一種沖擊波沐足盆。
    技術介紹
    中國是足部療法起源最早的國家之一。早在幾千年前,我國就有了關于足部按摩的記載。據考證,足療與針灸被稱為“同根生”之療法,人有“四根”,即鼻根、乳根、耳根、足根。俗語說:“鼻為苗竅之根,乳為宗氣之根,耳為神機之根,腳為精氣之根”,可見鼻、耳、乳僅是精氣的凝聚點,而腳才是精氣總的集合點。觀之臨床:人如頭腦清靈,步履輕健為健康特征;而人如頭重腳輕,腳腫履艱,則為病體之軀。因此,古今中外的養生健身方法,都極為重視對足部的鍛煉。人有腳,猶如樹有根。樹枯根先竭,人老腳先衰。腳對人體起著重要的養生保健作用。專家認為,足部按摩的原理主要有以下四方面:一是血液循環理論:腳在人體最底部,血液中的尿酸晶等有害物質沉積在腳底,不利健康。通過足底按摩,分解沉積在腳底的有害物質,可使其通過汗液、尿液排出體外。二是反射原理:“腳是人的第二心臟”,人的臟腑器官與足底穴位是一一對應的,足部按摩通過反射區促使大腦傳導信號,改善人體內分泌和血液循環,調節生理環境。三是全息論原理:中醫以局部觀全體,把腳看作是人體的全息胚,上面充滿了五臟六腑的信息,對腳的按摩就是對全身的按摩。四是中醫經絡學原理:亦即中醫三陰、三陽學說。足部按摩通過對腳的按摩能刺激調理臟腑,疏通經絡,增強新陳代謝,從而達到強身健體祛除病邪的目的。從擁有兩千多年歷史的中醫經絡學說的角度,更能說明雙腳與全身的密切關系。經絡學說認為:雙足通過經絡系統與全身各臟腑之間密切相連,構成了足與全身的統一性。足療,是一種非藥物療法,通過對足部反射區的刺激,調整人體生理機能,提高免疫系統功能,達到防病、治病、保健、強身的目的。足療法分為以下三大類:1.熱水足浴法2.足部按摩法3.中藥足療法。到目前為止,在市場上尚未見到利用微量沖擊波進行足部理療保健和膝關節疼痛理療的沐足盆。
    技術實現思路
    本專利技術的目的在于提供一種能進行足部和膝關節疼痛理療保健,且不產生任何副作用的裝置。本專利技術的沖擊波沐足盆,包括盆體、控制面板及兩側設置電氣控制部分,所述的盆體設置有沖擊波發生裝置,內部設置有水循環加熱部分,外掛設置有膝關節沖擊波理療頭。所述的沖擊波發生裝置是由安裝在盆體內底部的電磁盤和設置在盆體兩側的并通過電纜連接的高頻高壓電源、大功率高壓觸發器和充電電容組成;所述的電磁盤由高壓線圈及覆蓋其上面的金屬膜構成,直徑為200mm,電磁盤產生的微量沖擊波能流密度設置在0.01~0.06mJ/mm2;所述的盆體內底部安裝了一個能調整高低的支架,并且盆體內水位高度不能超過200mm;所述的控制面板由觸摸屏控制面板、急停開關及電源開關組成,由它們調節控制沖擊波能量和頻率調節、整機啟動關閉、觸發、加熱和排水;所述的水循環加熱部分包括進水口、出水口、水循環加熱器、過濾器、水循環泵及水閥;所述的膝關節沖擊波理療頭的頭部固定套包上水囊,中端安裝的一組高壓線圈通過電纜依次連接設置在盆體兩側的的高頻高壓電源、大功率高壓觸發器和充電電容,高壓線圈上面設有一金屬鍋形振膜,振膜與線圈間裝有絕緣體,振膜以上水囊充滿水,設定該理療頭能流密度范圍在0.09~0.6mJ/mm2;所述的電氣控制部分由開關電源、中間繼電器、交流接觸器、固態繼電器及空氣開關等組成;所述的裝置底部安裝有四個腳輪,其中前兩個為定向轉動輪,后兩個為萬能轉向制動輪。有益效果:該裝置操作使用簡捷方便,在微量沖擊波的作用下對人體足部或膝關節進行刺激;其保健效果顯著,無任何副作用,不產生依賴性,只在沖擊部位產生輕微的疼痛,屬于科學可靠的高新技術物理療法。刺激足部反射區可調動人體內部潛能,增強機體的抗病能力,適宜治療人體各個臟腑器官的疾病,特別對某些慢性病有一定療效。刺激足部反射區的作用是直接的,它能明顯地起到雙向調節作用,虛者能補,實者能瀉,寒者能溫,熱者能清,積者能散,堅者能軟,損之有余,補之不足,扶正祛邪,增強體質。附圖說明圖1本專利技術正面結構示意圖圖2本專利技術背面結構示意圖圖3本專利技術沖擊波聚焦區示意圖具體實施方式下面結合附圖及實施例對本專利技術進行詳細描述。在圖中,本專利技術主要由盆體1、控制面板2、電氣控制部分3,沖擊波發生裝置4、水循環加熱部分5、膝關節沖擊波理療頭6、電磁盤7、高頻高壓電源8、大功率高壓觸發器9、電容10、支架11、觸摸屏控制面板12、急停開關13、電源開關14、進水口15、出水口16、水循環加熱器17、過濾器18、水循環泵19、水閥20、開關電源21、中間繼電器22、交流接觸器23和腳輪24組成。所述的盆體設置有沖擊波發生裝置4,它是由安裝在沐足盆體內底部的電磁盤7和設置在盆體兩側的并通過電纜與電磁盤連接的高頻高壓電源8、大功率高壓觸發器9和充電電容10連接組成,電磁盤7高壓線圈通電(40kHz高頻電源)7-13kV的電壓由低到高,線圈通電以后產生脈沖磁場,磁場推動金屬膜在水中震動,空化效座產生沖擊波。沖擊波射向都是直線的,但圓形平板震膜在脈沖磁場的推動下產生微量的弧形,然而沖擊波射向呈斜度,在250mm距離里形成焦斑,焦斑的中心能流密度在用13kV的時候,為0.13mJ/mm2;12kV時為0.11mJ/mm2;最低7kV時,為0.08mJ/mm2,所述的電磁盤7直徑為200mm,其結構主要是由高壓線圈及其上面覆蓋的金屬膜構成,電磁盤上面水的高度不能超過200mm,電磁盤7產生的微量沖擊波能流密度設置在0.01~0.06mJ/mm2(如圖3所示),這一設計能夠使干細胞分裂增殖,聚焦區沒有水,無法形成焦斑,對足部刺激是十分安全的,利用Φ200mm的焦區進行理療,另外盆體底部電磁盤上面安裝了一個能調整高低的支架11,以此通過調節腳的高低來調節沖擊波的感受度。所述的控制面板2由觸摸屏控制面板12、急停開關13及電源開關14組成,由它們調節控制沖擊波能量和頻率調節、整機啟動關閉、觸發、加熱和排水。所述的盆體1的內部設置水循環加熱部分5包括進水口15、出水口16、水循環加熱器17、過濾器18、水循環泵19和水閥20等,該部分完成對水的加溫、添加和排放;所述的外掛設置在盆體1的膝關節沖擊波理療頭6,它中端安裝一組高壓線圈并通過高壓接線柱與設置在盆體兩側的并通過電纜連接的高頻高壓電源、大功率高壓觸發器和充電電容組成的沖擊波發生裝置連接,高壓線圈上面設有一金屬鍋形振膜,振膜與線圈間裝有絕緣體,理療頭頭部固定套包上水囊,振膜以上水囊充滿水,設定該理療頭能流密度范圍在0.09-0.6mJ/mm2;所述的電氣控制部分3包括開關電源21、中間繼電器22、交流接觸器23等組成;為了便于操作,所述的裝置底部安裝有四個腳輪24,其中前兩個為定向轉動輪,后兩個為萬能轉向制動輪。沐足的保健原理:本裝置的高壓線圈通電后產生脈沖磁場,磁場推動金屬膜在水中震動,空化效應產生沖擊波,并在在250mm距離里形成焦斑,但由于聚焦區沒有水的存在,未能有效形成焦斑,因此線性沖擊波經過人體的足部,在0~200mm的距離范圍內可以覆蓋整個腳部,這樣微能量沖擊波(能流密度0.01~0.06mJ/mm2之間)對人體足部有刺激作用,通過對足部反射區的刺激作用,可以調整人體生理機能,本文檔來自技高網
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    沖擊波沐足盆

    【技術保護點】
    一種沖擊波沐足盆,包括盆體、控制面板及兩側設置電氣控制部分,其特征在于,所述的盆體設置有沖擊波發生裝置,內部設置有水循環加熱部分,外掛設置有膝關節沖擊波理療頭。

    【技術特征摘要】
    1.一種沖擊波沐足盆,包括盆體、控制面板及兩側設置電氣控制部分,其特征在于,所述的盆體設置有沖擊波發生裝置,內部設置有水循環加熱部分,外掛設置有膝關節沖擊波理療頭。2.根據權利要求1所述的沖擊波沐足盆,其特征在于,所述的沖擊波發生裝置是由安裝在盆體內底部的電磁盤和設置在盆體兩側的并通過電纜連接的高頻高壓電源、大功率高壓觸發器和充電電容組成。3.根據權利要求2所述的沖擊波沐足盆,其特征在于,所述的電磁盤由高壓線圈及覆蓋其上面的金屬膜構成,直徑為200mm。4.根據權利要求1所述的沖擊波沐足盆,其特征在于,所述的盆體內底部安裝了一個能調整高低的支架,盆體內水位高度不能超過200mm。5.根據權利要求1所述的沖擊波沐足盆,其特征在于,所述的沖擊波發生裝置產生微量沖擊波能流密度設置在0.01~0.06mJ/mm2。6.根據權利要求1所述的沖擊波沐足盆,其特征在于,所述的控制面板由觸摸屏控制面板、急停開關及電源開關組成,由它們調...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:陳忠興郭應祿
    申請(專利權)人:湛江經濟技術開發區海濱醫療器械有限公司
    類型:發明
    國別省市:廣東;44

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