The invention discloses a multi chamber high temperature storage devices can be controlled independently, including the first vacuum chamber, second chamber, third chamber, a first sealing door, second door, third door seal seal, vacuum system, display system and control cabinet, the first vacuum chamber, second chamber and third the vacuum cavity composed of the same, each of which comprises a vacuum chamber between the left and right ventricular heat radiation heat radiation chamber and is located on the left and right heat radiation room studio. The vacuum system consists of molecular pump, pump, pump and pre vacuum electromagnetic valve, a vacuum pumping system of multiple cavity vacuum pre pumping; for the first level of vacuum vacuum chamber, before the pump used for molecular pump maintenance, when necessary can be used as the pre pump the whole system, vacuum time is short; the invention realizes a plurality of vacuum chamber independent control, that alone can stop and restart the operation, realize the true sense of mutual interference.
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及整機(jī)或零部件出氣處理后真空、高溫環(huán)境封裝或儲存領(lǐng)域，具體為一種可獨(dú)立控制的多真空腔體高溫存儲設(shè)備。
技術(shù)介紹
真空高溫存儲設(shè)備在電子產(chǎn)品、光學(xué)零件、食品衛(wèi)生、醫(yī)療、科研教學(xué)、工業(yè)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，其可提供一個真空、高溫條件對設(shè)備進(jìn)行干燥、加熱和真空存儲處理。尤其是在電子儀器、部件產(chǎn)品的生產(chǎn)、試驗中，真空高溫存儲設(shè)備發(fā)揮著重要的作用。現(xiàn)在真空高溫存儲設(shè)備多設(shè)計成單個真空腔體，這樣一批整機(jī)或零部件在試驗存儲過程中，必須一批全部放進(jìn)或全部取出，這些就會給試驗或生產(chǎn)帶來很大的不便；為確保試驗或生產(chǎn)的節(jié)點(diǎn)，有些真空高溫儲存設(shè)備設(shè)計成多個真空腔體，但但是每個腔體對應(yīng)一套抽真空系統(tǒng)以確保各個真空腔體互不干擾，由此會造成設(shè)備成本和使用能耗增加。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)提供一種可獨(dú)立控制的多真空腔體高溫存儲設(shè)備，本設(shè)備具有多個腔體，每個腔體可實現(xiàn)獨(dú)立真空度控制，相互之間互不影響，僅需要一套抽真空系統(tǒng)，克服了上述問題。為了達(dá)到上述目的，本專利技術(shù)所采用的技術(shù)方案為：一種可獨(dú)立控制的多真空腔體高溫存儲設(shè)備，其特征在于：包括有第一真空腔體、第二真空腔體、第三真空腔體、第一密封門、第二密封門、第三密封門、抽真空系統(tǒng)、顯示控制系統(tǒng)和柜體，所述第一真空腔體、第二真空腔體和第三真空腔體組成相同，所述每個真空腔體均包括有左側(cè)熱輻射室、右側(cè)熱輻射室和位于左、右熱輻射室之間的工作室。所述的一種可獨(dú)立控制的多真空腔體高溫存儲設(shè)備，其特征在于：所述左側(cè)熱輻射室包括有真空腔不銹鋼壁、左側(cè)加熱管、左側(cè)熱輻射孔板，所述左側(cè)加熱管固定在左側(cè)前加熱管固定架、左側(cè)后加熱管固定架上；所述右側(cè)熱...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種可獨(dú)立控制的多真空腔體高溫存儲設(shè)備，其特征在于：包括第一真空腔體、第二真空腔體、第三真空腔體、第一密封門、第二密封門、第三密封門、抽真空系統(tǒng)、顯示控制系統(tǒng)和柜體，所述第一真空腔體、第二真空腔體和第三真空腔體組成相同，所述每個真空腔體均包括有左側(cè)熱輻射室、右側(cè)熱輻射室和位于左、右熱輻射室之間的工作室。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種可獨(dú)立控制的多真空腔體高溫存儲設(shè)備，其特征在于：包括第一真空腔體、第二真空腔體、第三真空腔體、第一密封門、第二密封門、第三密封門、抽真空系統(tǒng)、顯示控制系統(tǒng)和柜體，所述第一真空腔體、第二真空腔體和第三真空腔體組成相同，所述每個真空腔體均包括有左側(cè)熱輻射室、右側(cè)熱輻射室和位于左、右熱輻射室之間的工作室。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可獨(dú)立控制的多真空腔體高溫存儲設(shè)備，其特征在于：所述左側(cè)熱輻射室包括有真空腔不銹鋼壁、左側(cè)加熱管、左側(cè)熱輻射孔板，所述左側(cè)加熱管固定在左側(cè)前加熱管固定架、左側(cè)后加熱管固定架上；所述右側(cè)熱輻射室包括有真空腔不銹鋼壁、右側(cè)加熱管、右側(cè)熱輻射孔板，所述右側(cè)加熱管固定在右側(cè)前加熱管固定架、右側(cè)后加熱管固定架上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種可獨(dú)立控制的多真空腔體高溫存儲設(shè)備，其特征在于：所述工作室中設(shè)置樣品擱板，所述樣品擱板支撐在左側(cè)前樣品擱板支架、左側(cè)后樣品擱板支架、右側(cè)前樣品擱板支架和右側(cè)后樣品擱板支架上。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可獨(dú)立...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：邱彪，馬學(xué)煥，王昆，
申請(專利權(quán))人：安徽億瑞深冷能源科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：安徽;34
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