The invention relates to a reconfigurable antenna in heterogeneous multilayer holographic Ge based PIN diode string preparation method, the preparation method comprises: selecting GeOI substrate of a crystal to the isolation zone and set in GeOI substrate; etching the GeOI substrate to form P type and N type groove groove, groove and the top Ge P N type groove depth is less than GeOI of the substrate thickness; filling type P and N type groove groove, and the ion implantation to form the active region and the active region of N type P type GeOI on top of the Ge substrate; forming a lead on the GeOI substrate, to complete the Ge based heterogeneous plasma PIN diode preparation. The embodiment of the invention can use the deep trench isolation technology and the ion implantation process to prepare and provide a high performance Ge based plasma PIN diode which is suitable for forming a solid state plasma antenna.
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體器件制造
，特別涉及一種可重構(gòu)多層全息天線中的異質(zhì)Ge基pin二極管串制備方法。
技術(shù)介紹
可動(dòng)態(tài)地適應(yīng)于不斷改變環(huán)境傳播特性的無(wú)線通信系統(tǒng)將會(huì)是下一代通信應(yīng)用的關(guān)鍵，天線在任何無(wú)線裝置中都是極其重要的部件，因?yàn)槠鋫魉秃徒邮諢o(wú)線電波。天線的性能代表大多數(shù)無(wú)線裝置的性能，因此天線的性能是系統(tǒng)的關(guān)鍵部分。可重構(gòu)天線是通過(guò)改變其物理結(jié)構(gòu)來(lái)改變其輻射、極化和頻率特性的天線。其中，頻率可重構(gòu)天線因?yàn)槠淠苓m用于多個(gè)頻率，極大地?cái)U(kuò)展了應(yīng)用范圍，受到眾多研究者的重視。為了提高通信質(zhì)量，減小環(huán)境對(duì)電磁信號(hào)的干擾，要求天線具有高增益、低副瓣和高定向性。為適應(yīng)實(shí)戰(zhàn)環(huán)境的需要，要求天線隱蔽性好、抗干擾能力強(qiáng)且具有較低輪廓。傳統(tǒng)的反射面天線和相控陣天線增益較高，但前者尺寸過(guò)大，較難隱蔽；后者損耗較高，成本較大，較難適應(yīng)實(shí)戰(zhàn)要求。全息天線能很好地滿足上述要求，除穩(wěn)定性好、抗干擾能力強(qiáng)外，更重要的是解決了在復(fù)雜形狀物體，如飛機(jī)、車輛等的表面集成天線，并得到特定的輻射特性。通常情況下，由于實(shí)體的遮擋，實(shí)體上的天線在某些區(qū)域是難以輻射能量的，全息天線可以解決這一問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)該區(qū)域任意方向的定向輻射，從而使天線具有這一特殊性質(zhì)。目前，國(guó)內(nèi)外應(yīng)用于可重構(gòu)天線的pin二極管采用的材料均為體硅材料，此材料存在本征區(qū)載流子遷移率較低問(wèn)題，影響pin二極管本征區(qū)載流子濃度，進(jìn)而影響其固態(tài)等離子體濃度；并且該結(jié)構(gòu)的P區(qū)與N區(qū)大多采用注入工藝形成，此方法要求注入劑量和能量較大，對(duì)設(shè)備要求高，且與現(xiàn)有工藝不兼容；而采用擴(kuò)散工藝，雖結(jié)深較深，但同時(shí)P區(qū)與N區(qū)的面積較大，集成度低，摻雜...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種可重構(gòu)多層全息天線中的異質(zhì)Ge基pin二極管串制備方法，其特征在于，所述異質(zhì)Ge基等離子pin二極管串用于制作可重構(gòu)多層全息天線(1)，所述全息天線(1)包括：半導(dǎo)體基片(11)、天線模塊(13)、第一全息圓環(huán)(15)及第二全息圓環(huán)(17)；所述天線模塊(13)、所述第一全息圓環(huán)(15)及所述第二全息圓環(huán)(17)均采用半導(dǎo)體工藝制作于所述半導(dǎo)體基片(11)上；其中，所述天線模塊(13)、所述第一全息圓環(huán)(15)及所述第二全息圓環(huán)(17)均包括依次串接的pin二極管串；所述制備方法包括步驟：(a)選取某一晶向的GeOI襯底，在所述GeOI襯底表面形成第一保護(hù)層；利用光刻工藝在所述第一保護(hù)層上形成第一隔離區(qū)圖形；(b)利用干法刻蝕工藝在所述第一隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護(hù)層及所述GeOI襯底以形成隔離槽，且所述隔離槽的深度大于等于所述GeOI襯底的頂層Ge的厚度；(c)填充所述隔離槽以形成所述Ge基等離子pin二極管的隔離區(qū)；(d)刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽，所述P型溝槽和所述N型溝槽的深度小于所述GeOI襯底的頂層Ge的厚度；(e)填充所述P型溝槽和所述N型...
【技術(shù)特征摘要】
1.一種可重構(gòu)多層全息天線中的異質(zhì)Ge基pin二極管串制備方法，其特征在于，所述異質(zhì)Ge基等離子pin二極管串用于制作可重構(gòu)多層全息天線(1)，所述全息天線(1)包括：半導(dǎo)體基片(11)、天線模塊(13)、第一全息圓環(huán)(15)及第二全息圓環(huán)(17)；所述天線模塊(13)、所述第一全息圓環(huán)(15)及所述第二全息圓環(huán)(17)均采用半導(dǎo)體工藝制作于所述半導(dǎo)體基片(11)上；其中，所述天線模塊(13)、所述第一全息圓環(huán)(15)及所述第二全息圓環(huán)(17)均包括依次串接的pin二極管串；所述制備方法包括步驟：(a)選取某一晶向的GeOI襯底，在所述GeOI襯底表面形成第一保護(hù)層；利用光刻工藝在所述第一保護(hù)層上形成第一隔離區(qū)圖形；(b)利用干法刻蝕工藝在所述第一隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護(hù)層及所述GeOI襯底以形成隔離槽，且所述隔離槽的深度大于等于所述GeOI襯底的頂層Ge的厚度；(c)填充所述隔離槽以形成所述Ge基等離子pin二極管的隔離區(qū)；(d)刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽，所述P型溝槽和所述N型溝槽的深度小于所述GeOI襯底的頂層Ge的厚度；(e)填充所述P型溝槽和所述N型溝槽，并采用離子注入在所述GeOI襯底的頂層Ge內(nèi)形成P型有源區(qū)和N型有源區(qū)；(f)在所述GeOI襯底上形成引線并進(jìn)行連接，以完成所述Ge基等離子pin二極管串的制備。2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一保護(hù)層包括第一二氧化硅層和第一氮化硅層；相應(yīng)地，在所述GeOI襯底表面形成第一保護(hù)層，包括：在所述GeOI襯底表面生成二氧化硅以形成第一二氧化硅層；在所述第一二氧化硅層表面生成氮化硅以形成第一氮化硅層。3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(d)包括：(d1)在所述GeOI襯底表面形成第二保護(hù)層；(d2)利用光刻工藝在所述第二保護(hù)層上形成第二隔離區(qū)圖形；(d3)利用干法刻蝕工藝在所述第二隔離區(qū)圖形的...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李妤晨，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：西安科技大學(xué)，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：陜西;61
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