儲存器件、具有儲存器件的存儲系統及其操作方法技術方案

提供了一種儲存器件、具有該儲存器件的存儲系統及其操作方法。一種儲存器件包括：多個存儲塊，用于儲存數據；外圍電路，用于從所述多個存儲塊之中選擇數個存儲塊，并對所述數個存儲塊同時執行擦除操作；以及控制電路，用于控制外圍電路，使得：同時擦除所述數個存儲塊，以及對從所述數個存儲塊之中選擇的存儲塊執行擦除操作和擦除驗證操作。

Storage device, storage system having the same, and method of operating the same

A storage device, a storage system having the same, and a method of operating the same. A storage device includes a plurality of memory blocks for storing data; peripheral circuit for selecting a plurality of memory blocks from the plurality of memory blocks, and the number of memory blocks while executing the erase operation; and a control circuit for controlling the peripheral circuit, which at the same time: erase the number the storage block, and the block is erased from the memory and erase verify operation of the number of memory blocks are chosen.

【技術實現步驟摘要】
相關申請的交叉引用本申請要求于2015年10月30日提交的第10-2015-0152357號韓國專利申請的優先權，該申請以全文引用的方式并入本文。
本專利技術總體上涉及一種儲存器件、具有該儲存器件的存儲系統及其操作方法。
技術介紹
諸如NAND閃速存儲器件的儲存器件的特征在于：即使在給器件的電源被切斷時數據仍被保存。因此，NAND閃速存儲器件頻繁用于便攜式電子設備，諸如筆記本電腦、蜂窩電話和智能手機。對便攜式電子設備的需求持續增加，然而，需要更新型的便攜式電子設備來處理大量數據。因此，需要具有更快的數據處理速度的數據儲存器件。
技術實現思路
實施例提供了一種能夠執行多擦除操作的儲存器件、具有該儲存器件的存儲系統及其操作方法。根據本專利技術的一個方面，提供了一種儲存器件，該儲存器件包括：多個存儲塊，適用于儲存數據；外圍電路，適用于從所述多個存儲塊之中選擇數個存儲塊，以及適用于對選中的數個存儲塊同時執行擦除操作；以及控制電路，適用于控制外圍電路，使得同時擦除所述數個存儲塊，以及對從所述數個存儲塊之中選擇的存儲塊執行擦除操作和擦除驗證操作。根據本專利技術的一個方面，提供了一種存儲系統，該存儲系統包括：存儲器件，適用于包括用于執行多擦除操作的儲存器件；以及存儲器控制器，適用于響應于從主機接收到的命令而控制存儲器件。根據本專利技術的一個方面，提供了一種操作儲存器件的方法，所述方法包括：執行多擦除區段，使得同時擦除從多個存儲塊之中選擇的數個存儲塊，在所述多擦除區段中，重復擦除循環；以及如果擦除循環的頻次達到最大多循環頻次，則執行單擦除區段，使得對所述數個存儲塊逐個進行擦除操作和擦除驗證操作。附圖說明圖1是圖示根據本專利技術的實施例的存儲系統的示圖。圖2是圖示根據本專利技術的實施例的儲存器件的示圖。圖3是圖示根據本專利技術的實施例的存儲塊的示圖。圖4是圖示根據本專利技術的實施例的行解碼器與存儲塊之間的連接關系的示圖。圖5是圖示根據本專利技術的實施例的高電壓發生電路的示圖。圖6是圖示根據本專利技術的實施例的選擇信號輸出單元的示圖。圖7是圖示根據本專利技術的實施例的擦除操作的示圖。圖8是圖示根據本專利技術的另一實施例的擦除操作的示圖。圖9是圖示根據本專利技術的實施例的多擦除操作的流程圖。圖10是圖示根據本專利技術的另一實施例的多擦除操作的流程圖。圖11是圖示根據本專利技術的實施例的存儲系統的示圖。圖12是圖示根據本專利技術的實施例的包括存儲系統的計算系統的示圖。具體實施方式現在將在后文中參照附圖更充分地描述示例性實施例；然而，應注意本專利技術可以以不同的形式來實施，并且不應當被解釋為局限于本文所闡述的實施例。更確切地說，這些實施例被提供使得本專利技術將是徹底的和完整的，并且將會將本專利技術充分地傳達給本專利技術所屬領域的技術人員。在附圖中，為了清楚說明的目的，尺寸可以被放大。此外，應理解的是，當元件被稱為位于兩個元件“之間”時，其可以是所述兩個元件之間的唯一元件，或者也可以存在一個或多個中間元件。此外，相同的附圖標記始終表示相同的元件。參照圖1，根據本專利技術的實施例，提供了一種存儲系統。參照圖1，存儲系統1000可以包括用于儲存數據的存儲器件1100和用于控制存儲器件1100的存儲器控制器1200。存儲器件1100可以包括多個儲存器件1110。儲存器件1110可以包括雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲器(DDRSDRAM)、低功耗雙倍數據速率4(LPDDR4)SDRAM、圖形雙倍數據速率(GDDR)SRAM、低功耗DDR(LPDDR)、rambus動態隨機存取存儲器(RDRAM)和/或閃速存儲器等。儲存器件1110中的每個能夠執行多擦除操作(multi-eraseoperation)。在實施例中，儲存器件1110中的每個可以是或者包括NAND閃速存儲器。被實施為NAND閃速存儲器件的每個儲存器件1110可以適用于執行多擦除操作。存儲器控制器1200可以控制存儲器件1100的總體操作。例如，存儲器控制器1200可以響應于從主機2000接收到的命令而向存儲器件1100輸出用于控制存儲器件1100的命令、地址和/或數據。并且，存儲器控制器1200可以響應于從主機2000接收到的命令而從存儲器件1100接收數據。主機2000可以通過使用諸如外圍部件互聯-高速(PCI-E)、高級技術附件(ATA)、串行ATA(SATA)、并行ATA(PATA)或串行連接SCSI(SAS)的接口協議來與存儲系統1000通信。現在參照圖2，提供了根據本專利技術的實施例的儲存器件。例如，圖2的儲存器件可以被采用作為圖1的儲存器件1110中的一種。因此，儲存器件1110可以包括配置為儲存數據的存儲單元陣列110、配置為執行存儲單元陣列110的諸如編程操作、讀取操作和/或擦除操作的操作的外圍電路120以及配置為控制外圍電路120的控制電路130。存儲單元陣列110可以包括多個存儲塊，所述多個存儲塊包括彼此相同地配置的第一存儲塊至第K存儲塊(K是正整數)。第一存儲塊至第K存儲塊可以共享一個阱(well)。更具體地，可以在襯底中形成阱，并且可以在阱之上形成第一存儲塊至第K存儲塊。外圍電路120可以包括電壓發生電路121、行解碼器122、頁緩沖器123、列解碼器124和輸入/輸出電路125。電壓發生電路121可以響應于操作信號OPSIG而產生具有各種電壓電平的一個或更多個操作電壓。例如，在擦除操作中，電壓發生電路121可以響應于擦除操作信號OPSIG而產生具有各種電平的操作電壓，諸如擦除電壓Vera和通過電壓。擦除電壓Vera可以被施加至存儲單元陣列110中的阱，而其它操作電壓可以被施加至全局線GL。行解碼器122可以經由一個或更多個全局線GL連接至電壓發生電路121。行解碼器122可以經由第一局部線LL1至第K局部線LLK連接到第一存儲塊至第K存儲塊。行解碼器122可以響應于從控制電路130接收到的行地址RADD而選擇至少一個存儲塊。行解碼器122還可以給所選中的至少一個存儲塊提供從電壓發生電路121供應的至少一個操作電壓。在針對多擦除操作的實施例中，行解碼器122可以響應于行地址RADD而同時選擇多個存儲塊。可選地，行解碼器122可以響應于行地址RADD而選擇一個存儲塊。在施加擦除電壓Vera給阱的同時，行解碼器122可以將從電壓發生電路121供應的一個或更多個操作電壓提供給連接至所選中的至少一個存儲塊的局部線，并浮置連接至其它未選中存儲塊的局部線。頁緩沖器123可以經由位線BL連接至存儲單元陣列110。頁緩沖器123可以用正電壓對位線BL預充電，在編程操作和讀取操作中將數據傳輸至所選中的存儲塊和/或從所選中的存儲塊接收數據。響應于來自控制電路130的頁緩沖器控制信號PBSIGNALS，頁緩沖器123可以臨時地儲存所傳輸的數據。列解碼器124可以傳輸數據給頁緩沖器123和/或從頁緩沖器123接收數據DATA。列解碼器124可以傳輸數據給輸入/輸出電路125和/或從輸入/輸出電路125接收數據DATA。輸入/輸出電路125可以配置為將從外部設備(例如，存儲器控制器)傳輸來的命令CMD和地址ADD傳輸給控制電路130。輸入/輸出電路125可以配置為將從外部設備傳輸來的數據DATA傳輸給列解碼器124，或者將從列解碼本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種儲存器件，包括：多個存儲塊，適用于儲存數據；外圍電路，適用于從所述多個存儲塊之中選擇數個存儲塊，以及適用于對選中的數個存儲塊同時執行擦除操作；以及控制電路，適用于控制外圍電路，使得：同時擦除所述數個存儲塊，以及對從所述數個存儲塊之中選擇的存儲塊執行擦除操作和擦除驗證操作。

【技術特征摘要】
2015.10.30 KR 10-2015-01523571.一種儲存器件，包括：多個存儲塊，適用于儲存數據；外圍電路，適用于從所述多個存儲塊之中選擇數個存儲塊，以及適用于對選中的數個存儲塊同時執行擦除操作；以及控制電路，適用于控制外圍電路，使得：同時擦除所述數個存儲塊，以及對從所述數個存儲塊之中選擇的存儲塊執行擦除操作和擦除驗證操作。2.如權利要求1所述的儲存器件，其中，外圍電路包括：電壓發生電路，適用于響應于操作信號而產生具有各種電平的操作電壓；行解碼器，適用于響應于行地址而從所述多個存儲塊之中同時選擇一個或更多個存儲塊，以及適用于給選中的一個或更多個存儲塊提供操作電壓；頁緩沖器，適用于響應于頁緩沖器控制信號而將數據傳輸給存儲塊和/或從存儲塊接收數據；列解碼器，適用于響應于列地址而將數據傳輸給頁緩沖器和/或從頁緩沖器接收數據；以及輸入/輸出電路，適用于將從外部設備接收到的命令和地址傳輸給控制電路，和/或適用于將從外部設備接收到的數據傳輸給列解碼器。3.如權利要求2所述的儲存器件，其中，行解碼器包括：解碼器，適用于響應于行地址而輸出預選擇信號；選擇信號輸出單元，適用于響應于預選擇信號和塊使能信號而輸出選擇信號；高電壓輸出單元，適用于響應于選擇信號而輸出高電壓；以及通過電路，適用于響應于所述高電壓而給選中的存儲塊或所述數個存儲塊提供操作電壓。4.如權利要求3所述的儲存器件，其中，選擇信號輸出單元包括SR觸發器，所述SR觸發器適用于響應于預選擇信號和塊使能信號而操作，其中，SR觸發器包括：第一NAND門，適用于響應于預選擇信號和第一信號而輸出預選擇信號；以及第二NAND門，適用于響應于預選擇信號和塊使能信號而輸出第一信號。5.如權利要求1所述的儲存器件，其中，在擦除操作中，控制電路控制外圍電路來執行同時擦除所述數個存儲塊的多擦除區段，然后執行單擦除區段，在所述單擦除區段中，順序地對所述數個存儲塊逐個進行擦除操作和擦除驗證操作，或者其中，在擦除操作中，控制電路控制外圍電路來：執行同時擦除所述數個存儲塊的多擦除區段，以及以單個存儲塊為單位執行擦除驗證操作。6.如權利要求5所述的儲存器件，其中，控制電路包括寄存器，所述寄存器適用于儲存關于所述數個存儲塊的擦除驗證操作結果的信息。7.如權利要求6所述的儲存器件，其中，控制電路控制外圍電路，使得根據關于擦除驗證操作結果的信息而通過改變行地址來選擇要被執行擦除操作的存儲塊。8.一種存儲系統，包括：存儲器件，適用于包括用于執行多擦除操作的儲存器件；以及存儲器控制器，適用于響應于從主機接收到的命令而控制存儲器件。9.如權利要求8所述的存儲系統，其中，在多擦除...

【專利技術屬性】
技術研發人員：洪龍煥，金炳烈，
申請(專利權)人：愛思開海力士有限公司，
類型：發明
國別省市：韓國;KR