The invention discloses a device for focusing and leveling and focusing and leveling method, the focusing and leveling device includes a lighting unit, according to the arrangement of the optical projection unit, detection unit and the relay unit, wherein the illumination unit and projection unit is arranged on the other side of the projection lens, one side detection unit and a relay unit arranged on the projection lens, projection unit including the projection marking plates, wherein the projection marking plate is also provided with a plurality of grating, grating lattice number and width of a plurality of gratings are different. By setting some parameters in the projection grating marker board different grating, the emitted light through the measuring beam projection marking plate can be generated with different shapes of the sub spot lighting unit for different Zi Guangban detected by the detection unit, and ultimately by the relay unit of different sub spot imaging, so as to get the height information of silicon wafer the surface of the silicon wafer is lost in the play spot to avoid factor groove when not or lead to the detection of error increases, greatly improves the stability and reliability of the system.
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及光刻機(jī)
,具體涉及一種調(diào)焦調(diào)平裝置及調(diào)焦調(diào)平方法。
技術(shù)介紹
投影光刻機(jī)是一種把掩模上的圖案通過投影物鏡投影到硅片表面的設(shè)備。在光刻機(jī)的曝光過程中,如果硅片相對于物鏡焦平面的離焦或傾斜使曝光視場內(nèi)某些區(qū)域處于有效焦深之外,將嚴(yán)重影響光刻質(zhì)量,因此必須采用調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)進(jìn)行精確控制。現(xiàn)有的調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的一般工作原理是:首先獲得整個曝光場內(nèi)硅片表面高度與傾斜信息,以此來判斷自動調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)是否正確調(diào)焦調(diào)平,并根據(jù)這些信息作相應(yīng)調(diào)節(jié),以精確控制硅片位置。然而光刻機(jī)中使用的硅片通常需要經(jīng)過多道硅通孔(throughsiliconvia,TSV)技術(shù)處理,TSV技術(shù)是指通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通,實現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù),具有封裝尺寸小、信號傳輸快、功耗低等優(yōu)點。標(biāo)準(zhǔn)硅片在經(jīng)過各道TSV工藝后,硅片邊緣會出現(xiàn)諸多問題,主要體現(xiàn)在:鍵合不一致/不同心,邊緣有磨損,有溝槽,硅片表面有濺射金屬或者絕緣膠,硅片有翹曲,特別是當(dāng)硅片表面存在溝槽時,將會對其表面高度與傾斜信息的測量帶來很大影響。目前,最常見的調(diào)焦調(diào)平檢測裝置及其調(diào)焦調(diào)平方法,如圖1所示,包括分布于投影物鏡光軸兩側(cè)的測量光路,包括依光路依次連接的照明單元1’、投影單元2’、探測單元3’及中繼單元4’。照明單元1’提供的光源出射光經(jīng)透鏡組聚光之后,由光纖傳送至投影單元2’,為整個測量裝置提供照明光源,接著通過投影單元2’之后,在硅片表面當(dāng)前曝光區(qū)域內(nèi)形成測量光斑,接著,探測單元3’探測硅片上的測量光斑,最終通過中繼單元4’中的探測器接收,形成帶有被測物表面 ...
【技術(shù)保護(hù)點】
一種調(diào)焦調(diào)平裝置,包括依光路排列的照明單元、投影單元、探測單元及中繼單元,其中所述照明單元和所述投影單元設(shè)于投影物鏡一側(cè),所述探測單元和所述中繼單元設(shè)于所述投影物鏡另一側(cè),所述投影單元包括投影標(biāo)記板,其特征在于,所述投影標(biāo)記板上還設(shè)有若干光柵,若干所述光柵的光柵格數(shù)量和寬度均不同。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種調(diào)焦調(diào)平裝置,包括依光路排列的照明單元、投影單元、探測單元及中繼單元,其中所述照明單元和所述投影單元設(shè)于投影物鏡一側(cè),所述探測單元和所述中繼單元設(shè)于所述投影物鏡另一側(cè),所述投影單元包括投影標(biāo)記板,其特征在于,所述投影標(biāo)記板上還設(shè)有若干光柵,若干所述光柵的光柵格數(shù)量和寬度均不同。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)焦調(diào)平裝置,其特征在于,所述光柵的數(shù)量至少為3個。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)焦調(diào)平裝置,其特征在于,每個所述光柵的光柵格寬度和間距均大于所述中繼單元中CCD的分辨率。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)焦調(diào)平裝置,其特征在于,所述照明單元為寬波段光源。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)焦調(diào)平裝置,其特征在于,所述投影單元還包括依次排列的準(zhǔn)直擴(kuò)束鏡、投影前組透鏡組、第一反射鏡組及投影后組透鏡組,所述投影標(biāo)記板位于所述準(zhǔn)直擴(kuò)束鏡和所述投影前組透鏡組之間。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)焦調(diào)平裝置,其特征在于,所述探測單元包括依次排列的探測前組透鏡組、第二反射鏡組和探測后組透鏡組。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)焦調(diào)平裝置,其特征在于,所述中繼單元包括依次排列的中繼反射鏡...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:吳衛(wèi)軍,陳飛彪,李欣欣,
申請(專利權(quán))人:上海微電子裝備有限公司,
類型:發(fā)明
國別省市:上海;31
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