半導體輸送部件和半導體載置部件制造技術

本發明專利技術提供一種具有能夠表現出強的抓持力并且污染物難以附著殘留于半導體側的半導體載置部件的半導體輸送部件。另外，本發明專利技術提供一種能夠表現出強的抓持力并且污染物難以附著殘留于半導體側的半導體載置部件。本發明專利技術的半導體輸送部件具有輸送基材和半導體載置部件，其特征在于：該半導體載置部件包含纖維狀柱狀結構體，該纖維狀柱狀結構體為具備多個纖維狀柱狀物的纖維狀柱狀結構體，該纖維狀柱狀物沿相對于該輸送基材大致垂直的方向取向，該纖維狀柱狀結構體的與該輸送基材相反的一側的表面相對于玻璃表面的靜摩擦系數為2.0以上。

Semiconductor conveying member and semiconductor mounting part

The present invention provides a semiconductor delivery part having a semiconductor holding member capable of exhibiting a strong gripping force and a contaminant difficult to adhere to the semiconductor side. In addition, the present invention provides a semiconductor mounting component capable of exhibiting a strong gripping force and the contaminant is difficult to adhere to the semiconductor side. The invention of semiconductor conveying part has a conveying substrate and semiconductor mounting parts, which is characterized in that the semiconductor mounting member includes fibrous columnar structure, the fibrous columnar structure to fibrous columnar structure with a plurality of fibrous columns, the fibrous columns along with respect to the substrate conveying direction generally perpendicular to the surface of the fiber orientation, columnar structure and the opposite side of the conveying substrate relative to the static friction coefficient of the surface of the glass is more than 2.

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及半導體輸送部件和半導體載置部件。
技術介紹
在輸送硅晶片等半導體時，使用移動臂或移動臺等輸送基材對該半導體進行輸送(例如參照專利文獻1、2)。在進行這樣的輸送時，對載置半導體的部件(半導體載置部件)要求使得半導體在輸送中在該輸送基材上不偏移的強的抓持力。然而，以往的具有強的抓持力的半導體載置部件存在如下問題：在輸送后將半導體從該半導體載置部件剝離時，污染物容易附著殘留于半導體側。另一方面，若將污染物難以附著殘留于半導體側的陶瓷等材料用作半導體載置部件，則存在抓持力變弱，在輸送中在該半導體載置部件上半導體偏移的問題。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2001-351961號公報專利文獻2：日本特開2013-138152號公報
技術實現思路
專利技術要解決的技術問題本專利技術要解決的技術問題在于提供一種具有能夠表現出強的抓持力并且污染物難以附著殘留于半導體側的半導體載置部件的半導體輸送部件。另外，本專利技術要解決的技術問題在于提供一種能夠表現出強的抓持力并且污染物難以附著殘留于半導體側的半導體載置部件。用于解決技術問題的手段本專利技術的半導體輸送部件具有輸送基材和半導體載置部件，其特征在于：該半導體載置部件包含纖維狀柱狀結構體，該纖維狀柱狀結構體為具備多個纖維狀柱狀物的纖維狀柱狀結構體，該纖維狀柱狀物沿相對于該輸送基材大致垂直的方向取向，該纖維狀柱狀結構體的與該輸送基材相反的一側的表面相對于玻璃表面的靜摩擦系數為2.0以上。在優選實施方式中，在上述輸送基材與上述半導體載置部件之間具有粘合劑。在優選實施方式中，上述纖維狀柱狀結構體為具備多個碳納米管的碳納米管集合體。在優選實施方式中，上述碳納米管具有多層，該碳納米管的層數分布的分布幅度為10層以上，該層數分布的最頻值的相對頻度為25％以下。在優選實施方式中，上述碳納米管的長度為300μm以上。在優選實施方式中，上述碳納米管具有多層，該碳納米管的層數分布的最頻值存在于層數10層以下，該最頻值的相對頻度為30％以上。在優選實施方式中，上述碳納米管的長度為500μm以上。本專利技術的半導體載置部件用于載置半導體，其特征在于：包含具備多個纖維狀柱狀物的纖維狀柱狀結構體，該纖維狀柱狀結構體的表面相對于玻璃表面的靜摩擦系數為2.0以上。在優選實施方式中，上述纖維狀柱狀結構體為具備多個碳納米管的碳納米管集合體。在優選實施方式中，上述碳納米管具有多層，該碳納米管的層數分布的分布幅度為10層以上，該層數分布的最頻值的相對頻度為25％以下。在優選實施方式中，上述碳納米管的長度為300μm以上。在優選實施方式中，上述碳納米管具有多層，該碳納米管的層數分布的最頻值存在于層數10層以下，該最頻值的相對頻度為30％以上。在優選實施方式中，上述碳納米管的長度為500μm以上。專利技術效果根據本專利技術，能夠提供一種具有能夠表現出強的抓持力并且污染物難以附著殘留于半導體側的半導體載置部件的半導體輸送部件。另外，能夠提供一種能夠表現出強的抓持力并且污染物難以附著殘留于半導體側的半導體載置部件。附圖說明圖1為本專利技術的優選實施方式中的半導體輸送部件的一個例子的概略剖視圖。圖2為本專利技術的優選實施方式中的半導體載置部件的一個例子的概略剖視圖。圖3為本專利技術的優選實施方式中的碳納米管集合體的制造裝置的概略剖視圖。具體實施方式本專利技術的半導體輸送部件具有輸送基材和半導體載置部件。作為本專利技術的半導體輸送部件所具有的輸送基材，可采用半導體輸送部件中所用的任意適當的輸送基材。作為這樣的輸送基材，例如可列舉：輸送臂、輸送臺、輸送環、輸送導軌、收納盒、鉤、輸送框架等。這樣的輸送基材的大小和形狀可根據目的而適當選擇。本專利技術的半導體輸送部件所具有的半導體載置部件為載置半導體的部件。本專利技術的半導體輸送部件所具有的半導體載置部件包含纖維狀柱狀結構體。本專利技術的半導體輸送部件所具有的半導體載置部件只要包含纖維狀柱狀結構體，則也可以在不損害本專利技術的效果的范圍內具有任意適當的其他部件。為了充分地表現出本專利技術的效果，本專利技術的半導體輸送部件所具有的半導體載置部件優選由纖維狀柱狀結構體構成。纖維狀柱狀結構體為具備多個纖維狀柱狀物的纖維狀柱狀結構體。纖維狀柱狀物的長度優選為100μm～3000μm，更優選為200μm～2000μm，進一步優選為300μm～1500μm，特別優選為400μm～1000μm，最優選為500μm～1000μm。通過將纖維狀柱狀物的長度控制在上述范圍內，能夠提供一種具有能夠表現出更強的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導體側的半導體載置部件的半導體輸送部件。在本專利技術的半導體輸送部件中，可以在輸送基材與半導體載置部件之間具有粘合劑。作為這樣的粘合劑，只要為具有能夠將輸送基材與半導體載置部件接合的效果的物質，則可采用任意適當的粘合劑。作為這樣的粘合劑，例如可列舉：碳漿、氧化鋁漿、銀漿、鎳漿、金漿、鋁漿、氧化鈦漿、氧化鐵漿、鉻漿等。通過具有這樣的粘合劑，輸送基材與半導體載置部件被充分地接合，能夠提供一種具有能夠表現出更強的抓持力并且污染物更難以附著殘留于半導體側的半導體載置部件的半導體輸送部件。在圖1中示出本專利技術的優選實施方式中的半導體輸送部件的一個例子的概略剖視圖。在圖1中，半導體輸送部件1000具有：輸送基材100；粘合劑200；和作為半導體載置部件的纖維狀柱狀結構體10。在圖1中，纖維狀柱狀結構體10具備多個纖維狀柱狀物2。纖維狀柱狀物2的一端被固定于粘合劑200。纖維狀柱狀物2沿長度L的方向取向。纖維狀柱狀物2沿相對于輸送基材100大致垂直的方向取向。此處，所謂“大致垂直的方向”，是指相對于輸送基材100的表面的角度優選為90°±20°，更優選為90°±15°，進一步優選為90°±10°，特別優選為90°±5°。如上所述的用于載置半導體、且包含具備多個纖維狀柱狀物的纖維狀柱狀結構體的半導體載置部件，也是本專利技術的半導體載置部件。即，本專利技術的半導體載置部件為用于載置半導體的半導體載置部件，其包含具備多個纖維狀柱狀物的纖維狀柱狀結構體。在圖2中示出本專利技術的優選實施方式中的半導體載置部件的一個例子的概略剖視圖。在圖2中，半導體載置部件由纖維狀柱狀結構體10構成，纖維狀柱狀結構體10具備多個纖維狀柱狀物2。纖維狀柱狀物2沿長度L的方向取向。在本專利技術的半導體輸送部件中，纖維狀柱狀結構體的與輸送基材相反的一側的表面相對于玻璃表面的靜摩擦系數為2.0以上。所謂“纖維狀柱狀結構體的與輸送基材相反的一側的表面”，在圖1中是指纖維狀柱狀結構體10的與輸送基材100相反的一側的表面10a。在本專利技術的半導體載置部件中，纖維狀柱狀結構體的表面相對于玻璃表面的靜摩擦系數為2.0以上。所謂“纖維狀柱狀結構體的表面”，在圖2中是指纖維狀柱狀結構體10的表面10a。在本專利技術的半導體輸送部件中，纖維狀柱狀結構體的與輸送基材相反的一側的表面相對于玻璃表面的靜摩擦系數為2.0以上，優選為2.4以上，更優選為3.0以上，進一步優選為3.4以上，進一步優選為3.5以上，特別優選為3.6以上，最優選為3.7以上。在本專利技術的半導體輸送部件中，纖維狀柱狀結構體的與輸送基材相反的一側的表面相對于玻璃表面的靜摩擦系數的上限值優選為10。在本專利技術的半導體輸送部件中，通過本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種半導體輸送部件，其具有輸送基材和半導體載置部件，其特征在于：該半導體載置部件包含纖維狀柱狀結構體，該纖維狀柱狀結構體為具備多個纖維狀柱狀物的纖維狀柱狀結構體，該纖維狀柱狀物沿相對于該輸送基材大致垂直的方向取向，該纖維狀柱狀結構體的與該輸送基材相反的一側的表面相對于玻璃表面的靜摩擦系數為2.0以上。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2014.08.21 JP 2014-168243;2015.08.07 JP 2015-156711.一種半導體輸送部件，其具有輸送基材和半導體載置部件，其特征在于：該半導體載置部件包含纖維狀柱狀結構體，該纖維狀柱狀結構體為具備多個纖維狀柱狀物的纖維狀柱狀結構體，該纖維狀柱狀物沿相對于該輸送基材大致垂直的方向取向，該纖維狀柱狀結構體的與該輸送基材相反的一側的表面相對于玻璃表面的靜摩擦系數為2.0以上。2.如權利要求1所述的半導體輸送部件，其特征在于：在所述輸送基材與所述半導體載置部件之間具有粘合劑。3.如權利要求1或2所述的半導體輸送部件，其特征在于：所述纖維狀柱狀結構體為具備多個碳納米管的碳納米管集合體。4.如權利要求3所述的半導體輸送部件，其特征在于：所述碳納米管具有多層，該碳納米管的層數分布的分布幅度為10層以上，該層數分布的最頻值的相對頻度為25％以下。5.如權利要求4所述的半導體輸送部件，其特征在于：所述碳納米管的長度為300μm以上。6.如權利要求3所述的...

【專利技術屬性】
技術研發人員：前野洋平，
申請(專利權)人：日東電工株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP