瓶內塑型快速培育難扦插繁殖的擬石蓮屬商品小盆栽方法技術

本發明專利技術公開一種瓶內塑型快速培育難扦插繁殖的擬石蓮屬商品小盆栽方法。通過兩步獲得商品小盆栽，第一步：優質塑型生根叢苗的誘導和培育。包括外植體選擇與消毒、再生芽苗誘導、再生芽苗塑型及增殖培育、第二次塑型和壯苗生根。第二步：塑型生根叢苗移栽入盆馴化和后期標準化培育商品小盆栽。本發明專利技術解決了難葉插擬石蓮屬小盆栽的種苗繁殖困難、有效進種率低、單芽上盆后還需重組或整形、投產周期長等技術問題。組培有效進種率達89％以上，比常規方法縮短90～100天，成本降低，出圃盆栽整齊度高，特別對于擬石蓮屬一些利用田間葉插難以獲得種苗的高端名品產品開發具有較高的經濟效益和實際利用價值。

The rapid development of hard cutting propagation of quasi stone lotus commodity small pot plastic bottle method

The rapid development of hard cutting propagation of quasi stone lotus commodity small pot the invention discloses a method for plastic bottle. Through the two step to obtain commercial small potted plants, the first step: high quality plastic rooting seedling induction and cultivation. Including explant selection and disinfection, Regeneration Shoots Induction, Regeneration Shoots shape and proliferation cultivation, second seedling rooting and shaping. The second step: shaping roots, planting seedlings, transplanting into the basin, domestication and Standardization Cultivation of small commodities. The invention solves the difficult quasi Graptopetalum paraguayense leaf cuttings belong to small potted seedling propagation difficulties, effective rate is low, a single bud after the basin needs restructuring or shaping, long cycle of production technology. In a tissue culture effective rate reached more than 89%, compared to the conventional method to shorten 90 ~ 100 days, cost reduction, Chupu pot high uniformity, especially for quasi Graptopetalum paraguayense belongs to some leaf cuttings are difficult to obtain by field seedling high-end famous product development has high economic benefit and practical value.

【技術實現步驟摘要】
瓶內塑型快速培育難扦插繁殖的擬石蓮屬商品小盆栽方法
本專利技術公開了一種瓶內塑型快速培育難扦插繁殖的擬石蓮屬商品小盆栽的方法，屬于組培快繁及栽培

技術介紹
景天科擬石蓮屬(Echeveria)為多年生肉質觀賞草本植物，原產于巴基斯坦，現世界多地可栽培，其外形優美，色彩豐富，近2年來規模化種植迅速發展，全國種植區域和數量快速增加，商品盆栽供銷兩旺。特別自2015年以來，對特色(Echeveria‘ColorateSpecial’)、紅緣東云(Echeveria‘AgavoidesRed’)和優雅(Echeveria‘Elegance’)等進口高端品種的商品盆栽需求量迅猛增加，價格居高走上，市場前景及經濟價值廣闊。目前，商品盆栽的培育主要采用葉片扦插等傳統方法育苗，常規葉片扦插繁殖為掰取植株基部下葉片，于遮光率為85％的溫室中晾2～4天，傷口愈合后平放于苗床上常規管理形成完整單株苗，后每株完整單株苗移栽入穴盤或育苗杯或花盆，養護管理3～4月后獲得可銷售產品，但該傳統方法從扦插育苗到商品盆栽需8～9月，周期長，速度慢，且此法培育的商品盆栽形態單一欠豐滿，整齊度和標準化程度不高，商品性狀不佳，商品化效率低下，特別對于難扦插高端品種采用該常規方法時，其掰取的葉片20天左右傷口才能愈合，且耗時長，扦插期間葉片易干縮或黃化甚至腐爛死亡，扦插成功率不到10％，種苗繁殖困難、有效成苗率低，還存在植株退化快等問題。因此，本專利技術通過組培快繁技術結合再生芽叢早期商品化塑型以及塑型生根叢苗標準化快速培育兩大步驟，建立起瓶內塑型快速培育難扦插繁殖的擬石蓮屬商品小盆栽的方法。
技術實現思路
為解決上述擬石蓮屬名貴品種的種苗繁育困難，有效成苗率低，育苗周期長，以及常規繁育種苗出圃后還需進行重組或整形、出圃種苗及盆栽質量參差不齊，生產成本高等缺陷，本專利技術提供一種瓶內塑型快速培育難扦插繁殖的擬石蓮屬商品小盆栽方法。本專利技術的技術方案如下：1.瓶內塑型快速培育難扦插繁殖的擬石蓮屬商品小盆栽方法，包括以下步驟：(1)優質塑型生根叢苗的誘導和培育①外植體的選擇與消毒選擇無病蟲害、無損傷擬石蓮屬植物離體葉片為外植體，于室溫陰涼干燥處晾過夜，第二天用濃度為1％v/v洗潔精水溶液洗1次后，置于自來水下沖洗0.5～1.0h，瀝干表面水分，置于超凈工作臺，先用75％v/v酒精浸泡10s～15s，再用添加有Tween-20的0.05％w/w氯化汞溶液浸泡5～6min，無菌水洗2～3min，最后用添加有Tween-20的2.5％w/w次氯酸鈉溶液浸泡3～5min，無菌水洗3次～5次，每次洗2～3min，獲得無菌離體葉片，于無菌條件下，切除葉片中上部組織，保留從葉片基部至上、長度為1.5cm～2.5cm、含葉基部腋芽分生組織的葉片組織為無菌誘導外植體，備用；所述添加有Tween-20的0.05％w/w氯化汞溶液為在100～120毫升的0.05％w/w氯化汞溶液添加2～3滴Tween-20，所述添加有Tween-20的2.5％w/w次氯酸鈉溶液為在100～120毫升的2.5％w/w次氯酸鈉溶液中添加2～3滴Tween-20；②再生芽苗誘導將無菌誘導外植體斜插于盛有誘導培養基的組培瓶內，于23℃～25℃、空氣相對濕度30％～50％的條件下暗培養10d～15d，后轉為光培養，光培養條件為：溫度23℃～25℃，空氣相對濕度30％～50％，光照強度1000～1200lx，光照時間12～16h/d，培養10d～25d，所述誘導培養基為MS+ZT1.0～2.0mg/L+NAA0.1～0.2mg/L+硫酸腺嘌呤30～50mg/L+蔗糖25～30g/L+瓊脂6.0～7.0g/L,pH值為5.5～6.0；③再生芽苗塑型增殖培育將通過步驟(1)②誘導出的叢生不定芽從葉基部以2～4個芽為一個芽叢切下，且留0.3～0.5cm的葉原基，進行第一次塑型，第一次塑型后的每一個芽叢轉接于一個盛有增殖培養基的組培瓶內，在培養條件為：溫度23～25℃，空氣相對濕度30％～50％，光照強度1500～2000lx，光照時間12～16h/d的條件下培養20～30天；所述第一次塑型為：根據目的商品性狀，在每一個分切好的芽叢基部四周用滅菌接種刀尖等距或非等距縱向輕劃3～5刀微傷口，微傷口大小長為0.1～0.2cm、深為0.02～0.05cm，促進優質苗團增殖再生和造型豐滿；所述增殖培養基為：MS+ZT0.2～0.3mg/L+NAA0.1～0.2mg/L+硫酸腺嘌呤30～50mg/L+蔗糖25～30g/L+活性碳300～500mg/L+瓊脂6.0～7.0g/L,pH值為5.5～6.0；④壯苗生根和第二次塑型無菌條件下，取步驟(1)③所培養的苗團，根據目的商品性狀要求，以3～5個單株苗為一叢切分為一個苗叢，具體用無菌接種刀插入苗團的縫隙豎直向下切分為第二次塑型；后再將切分好的苗叢放入盛有壯苗生根培養基的組培瓶內，在與步驟(1)③相同的培養條件下培養25d～30d，所述壯苗生根培養基為：1/2MS+NAA0.3～0.5mg/L+蔗糖25～30g/L+活性碳300～500mg/L+瓊脂6.0～7.0g/L，pH值為5.5～6.0；(2)塑型生根叢苗移栽入盆馴化和后期標準化培育商品小盆栽①塑型生根叢苗移栽將步驟(1)④培養獲得的生根瓶苗置于過渡溫室內，在自然溫度和自然光照條件下放置5～7d后，取出植株，洗除培養基，放于陰涼處晾去表面水分，移栽到裝有無土栽培基質的花盆，澆透水；所述無土栽培基質用草炭土∶珍珠巖∶鹿沼土按2:1:1體積比的比例混合而成；移栽后放入溫室，花盆上方搭建遮光率為70％的遮陽網，此后每天早晚各噴霧1次水，保持溫室內溫度為18～25℃，溫室內空氣相對濕度為85％以上；②標準化培育商品小盆栽步驟(2)①移栽成活后，撤去遮陽網，保持溫室內溫度為18～28℃，空氣相對濕度保持為60～65％，每3～4天澆一次透水，每15天澆施一次2000倍液復合肥，所述復合肥中N﹕P2O5﹕K2O的質量比為17﹕17﹕17；每周噴施一次70％甲基托布津可濕性粉劑1500倍液；發現蚜蟲時，噴施10％吡蟲啉可濕性粉劑1000倍液。2.根據技術方案1所述的瓶內塑型快速培育難扦插繁殖的擬石蓮屬商品小盆栽方法，步驟(2)①移栽所用的花盆為高15cm、盆底內徑8cm、盆口內徑10cm。3.根據技術方案1所述的瓶內塑型快速培育難扦插繁殖的擬石蓮屬商品小盆栽方法，步驟(1)②所述的將無菌誘導外植體斜插于盛有誘導培養基的組培瓶內，所述斜插的斜度為30°～45°。4.根據技術方案1或2或3所述的瓶內塑型快速培育難扦插繁殖的擬石蓮屬商品小盆栽方法，還包括如果還需增殖苗，則每20～30d重復步驟(1)③。本專利技術的創新點及有益效果：本專利技術利用組織培養技術和標準化栽培技術，在誘導擬石蓮屬植物離體腋芽植株再生和快速增殖的同時，有目的地進行商品化塑型，并通過后期標準化馴化和栽培管理，快速培育出優質的擬石蓮屬商品小盆栽，為擬石蓮屬難扦插繁殖的名貴品種的種苗工廠化和小盆栽快速商品化提供了技術支持。本專利技術一是解決了難扦插繁殖的擬石蓮屬植物田間葉片扦插繁殖系數低，繁殖困難、有效進種率低、單芽上盆后還需重組或整形、投產周期長的技術問題。二是通過離體本文檔來自技高網...

【技術保護點】
瓶內塑型快速培育難扦插繁殖的擬石蓮屬商品小盆栽方法，其特征在于包括以下步驟：(1)優質塑型生根叢苗的誘導和培育①外植體的選擇與消毒選擇無病蟲害、無損傷的擬石蓮屬植物離體葉片為外植體，于室溫陰涼干燥處晾過夜，第二天用濃度為1％v/v洗潔精水溶液洗1次后，置于自來水下沖洗0.5～1.0h，瀝干表面水分，置于超凈工作臺，先用75％v/v酒精浸泡10s～15s，再用添加有Tween?20的0.05％w/w氯化汞溶液浸泡5～6min，無菌水洗2～3min，最后用添加有Tween?20的2.5％w/w次氯酸鈉溶液浸泡3～5min，無菌水洗3次～5次，每次洗2～3min，獲得無菌離體葉片，于無菌條件下，切除葉片中上部組織，保留從葉片基部至上、長度為1.5cm～2.5cm、含葉基部腋芽分生組織的葉片組織為無菌誘導外植體，備用；所述添加有Tween?20的0.05％w/w氯化汞溶液為在100～120毫升的0.05％w/w氯化汞溶液添加2～3滴Tween?20，所述添加有Tween?20的2.5％w/w次氯酸鈉溶液為在100～120毫升的2.5％w/w次氯酸鈉溶液中添加2～3滴Tween?20；②再生芽苗誘導將無菌誘導外植體斜插于盛有誘導培養基的組培瓶內，于23℃～25℃、空氣相對濕度30％～50％的條件下暗培養10d～15d，后轉為光培養，光培養條件為：溫度23℃～25℃，空氣相對濕度30％～50％，光照強度1000～1200lx，光照時間12～16h/d，培養10d～25d，所述誘導培養基為MS+ZT?1.0～2.0mg/L+NAA?0.1～0.2mg/L+硫酸腺嘌呤30～50mg/L+蔗糖25～30g/L+瓊脂6.0～7.0g/L,pH值為5.5～6.0；③再生芽苗塑型增殖培育將通過步驟(1)②誘導出的叢生不定芽從葉基部以2～4個芽為一個芽叢切下，且留0.3～0.5cm的葉原基，進行第一次塑型，第一次塑型后的每一個芽叢轉接于一個盛有增殖培養基的組培瓶內，在培養條件為：溫度23～25℃，空氣相對濕度30％～50％，光照強度1500～2000lx，光照時間12～16h/d的條件下培養20～30天；所述第一次塑型為：在每一個分切好的芽叢基部四周用滅菌接種刀尖等距或非等距縱向輕劃3～5刀微傷口，微傷口大小長為0.1～0.2cm、深為0.02～0.05cm；所述增殖培養基為：MS+ZT?0.2～0.3mg/L+NAA0.1～0.2mg/L+硫酸腺嘌呤30～50mg/L+蔗糖25～30g/L+活性碳300～500mg/L+瓊脂6.0～7.0g/L,pH值為5.5～6.0；④壯苗生根和第二次塑型無菌條件下，取步驟(1)③所培養的苗團，以3～5個單株苗為一叢切分為一個苗叢，具體用無菌接種刀插入苗團的縫隙豎直向下切分為第二次塑型；后再將切分好的苗叢放入盛有壯苗生根培養基的組培瓶內，在與步驟(1)③相同的培養條件下培養25d～30d，所述壯苗生根培養基為：1/2MS+NAA?0.3～0.5mg/L+蔗糖25～30g/L+活性碳300～500mg/L+瓊脂6.0～7.0g/L，pH值為5.5～6.0；(2)塑型生根叢苗移栽入盆馴化和后期標準化培育商品小盆栽①塑型生根叢苗移栽將步驟(1)④培養獲得的生根瓶苗置于過渡溫室內，在自然溫度和自然光照條件下放置5～7d后，取出植株，洗除培養基，放于陰涼處晾去表面水分，移栽到裝有無土栽培基質的花盆，澆透水；所述無土栽培基質用草炭土∶珍珠巖∶鹿沼土按2:1:1體積比的比例混合而成；移栽后放入溫室，花盆上方搭建遮光率為70％的遮陽網，此后每天早晚各噴霧1次水，保持溫室內溫度為18～25℃，溫室內空氣相對濕度為85％以上；②標準化培育商品小盆栽步驟(2)①移栽成活后，撤去遮陽網，保持溫室內溫度為18～28℃，空氣相對濕度保持為60～65％，每3～4天澆一次透水，每15天澆施一次2000倍液復合肥，所述復合肥中N﹕P...

【技術特征摘要】
2016.06.30 CN 20161049695301.瓶內塑型快速培育難扦插繁殖的擬石蓮屬商品小盆栽方法，其特征在于包括以下步驟：(1)優質塑型生根叢苗的誘導和培育①外植體的選擇與消毒選擇無病蟲害、無損傷的擬石蓮屬植物離體葉片為外植體，于室溫陰涼干燥處晾過夜，第二天用濃度為1％v/v洗潔精水溶液洗1次后，置于自來水下沖洗0.5～1.0h，瀝干表面水分，置于超凈工作臺，先用75％v/v酒精浸泡10s～15s，再用添加有Tween-20的0.05％w/w氯化汞溶液浸泡5～6min，無菌水洗2～3min，最后用添加有Tween-20的2.5％w/w次氯酸鈉溶液浸泡3～5min，無菌水洗3次～5次，每次洗2～3min，獲得無菌離體葉片，于無菌條件下，切除葉片中上部組織，保留從葉片基部至上、長度為1.5cm～2.5cm、含葉基部腋芽分生組織的葉片組織為無菌誘導外植體，備用；所述添加有Tween-20的0.05％w/w氯化汞溶液為在100～120毫升的0.05％w/w氯化汞溶液添加2～3滴Tween-20，所述添加有Tween-20的2.5％w/w次氯酸鈉溶液為在100～120毫升的2.5％w/w次氯酸鈉溶液中添加2～3滴Tween-20；②再生芽苗誘導將無菌誘導外植體斜插于盛有誘導培養基的組培瓶內，于23℃～25℃、空氣相對濕度30％～50％的條件下暗培養10d～15d，后轉為光培養，光培養條件為：溫度23℃～25℃，空氣相對濕度30％～50％，光照強度1000～1200lx，光照時間12～16h/d，培養10d～25d，所述誘導培養基為MS+ZT1.0～2.0mg/L+NAA0.1～0.2mg/L+硫酸腺嘌呤30～50mg/L+蔗糖25～30g/L+瓊脂6.0～7.0g/L,pH值為5.5～6.0；③再生芽苗塑型增殖培育將通過步驟(1)②誘導出的叢生不定芽從葉基部以2～4個芽為一個芽叢切下，且留0.3～0.5cm的葉原基，進行第一次塑型，第一次塑型后的每一個芽叢轉接于一個盛有增殖培養基的組培瓶內，在培養條件為：溫度23～25℃，空氣相對濕度30％～50％，光照強度1500～2000lx，光照時間12～16h/d的條件下培養20～30天；所述第一次塑型為：在每一個分切好的芽叢基部四周用滅菌接種刀尖等距或非等距縱...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王麗花，瞿素萍，吳學尉，王繼華，張藝萍，楊秀梅，張麗芳，蘇艷，許鳳，
申請(專利權)人：云南省農業科學院花卉研究所，
類型：發明
國別省市：云南,53