雙面ITO薄膜的光刻方法技術

本發明專利技術公開了一種雙面ITO薄膜的光刻方法，通過將曝光機上的F面掩膜版和B面掩膜版的對位Mark分別轉化為第一ITO玻璃基板的F面ITO玻璃圖的對位Mark和第二ITO玻璃基板的B面ITO玻璃圖的對位Mark，并利用第一ITO玻璃基板的F面ITO玻璃圖的對位Mark和第二ITO玻璃基板的B面ITO玻璃圖的對位Mark來解決實現形成雙面ITO薄膜片材上F面ITO圖形和B面ITO圖形的對位問題，從而在ITO?FILM的B面涂布了感光膠導致CCD無法精確捕捉不到ITO?FILM的F面的對位Mark的情況下，能夠保證ITO?FILM的F面、B面這兩面的ITO?FILM光刻圖形mark的位置偏差小于0.2mm，提高曝光精度。

Photoetching method for two-sided ITO film

The invention discloses a double-sided ITO thin film lithography method, by exposure Mark F on the surface of the mask and B mask were transformed into the first ITO glass substrate surface F ITO glass figure para Mark and second ITO glass substrate surface ITO B para Mark glass figure. Based on the first Mark and ITO glass substrate surface F ITO glass figure para Mark and second ITO glass substrate B ITO glass surface map to realize the problem of F surface forming para ITO graphics and B graphics ITO double-sided ITO thin film material, resulting in the ITO FILM B surface coated photographic guide CCD cannot accurately capture ITO FILM F the para Mark, can guarantee the position deviation of the ITO FILM F plane and B plane are both sides of the ITO FILM lithography mark less than 0.2mm, to improve the accuracy of exposure.

【技術實現步驟摘要】
雙面ITO薄膜的光刻方法
本專利技術涉及液晶面板的生產
，尤其涉及一種雙面ITO薄膜的光刻方法。
技術介紹
摻錫的氧化錮(IndiumTinOxide，ITO)薄膜作為一種用半導體材料制備而成的透明導電薄膜，具有高電導率、高可見光透過率(大于90％)、抗擦傷等眾多優良的物理性能，以及良好的化學穩定性和一些其他的半導體特性，容易制備成電極圖形，己經被廣泛地應用于太陽能電池、固態平板顯示器件(包括LCD,OLED,FED,PDP)等許多方面。在這些應用中，需要將ITO制成特定的圖形來充當觸摸屏透明電極。本專利技術人在實施本專利技術時發現，在傳統的觸摸屏的雙面ITO薄膜(ITOFILM)的光刻工藝中，在將ITOFILM的第一面(F面)朝上貼附于玻璃基板上通過預定圖形工藝蝕刻成圖形產品后，在進行第二面(B面)ITOFILM光刻圖形時需要將其從玻璃基板上取下，再次將ITOFILM的B面朝上貼附于玻璃基板上，這時需要考慮ITOFILM的F面的對位Mark如何和曝光機上的B面掩膜版(MASK)的對位Mark保持一致，由于ITOFILM的B面涂布了感光膠，無論是低端無CCD對位功能的曝光機還是高端全自動對位的曝光機均無法正常對位生產，CCD無法精確捕捉不到ITOFILM的F面的對位Mark，從而導致ITOFILM的F面、B面這兩面的ITOFILM光刻圖形mark的位置偏差較大，因此曝光精度不高，從而影響產品品質及降低生產效率。
技術實現思路
本專利技術實施例的目的是提供一種雙面ITO薄膜的光刻方法，能有效解決現有技術中存在的ITOFILM的F面、B面這兩面的ITOFILM光刻圖形mark的位置偏差較大的問題，既可以保證產品品質，又可以提高生產效率。為實現上述目的，本專利技術實施例提供了一種雙面ITO薄膜的光刻方法，包括步驟：提供第一ITO玻璃基板和第二ITO玻璃基板，利用裝有F面掩膜版和B面掩膜版的的曝光機分別對所述第一ITO玻璃基板和第二ITO玻璃基板進行曝光，從而在所述第一ITO玻璃基板上形成F面ITO玻璃圖形以及在所述第二ITO玻璃基板形成B面ITO玻璃圖形；提供一雙面ITO薄膜片材，通過若干粘貼層將所述雙面ITO薄膜片材以第一面朝外的方式固定在所述第一ITO玻璃基板上，并使所述雙面ITO薄膜片材的第一面的中心與所述F面ITO玻璃圖形的中心對齊；在所述雙面ITO薄膜片材的第一面涂上感光膠，采用裝有F面掩膜版的曝光機對所述雙面ITO薄膜片材的第一面進行曝光，并對曝光完成后的所述雙面ITO薄膜片材的第一面進行顯影、蝕刻后，得到F面ITO圖形；將得到F面ITO圖形的所述雙面ITO薄膜片材從所述玻璃基板上取下，通過若干粘貼層將所述雙面ITO薄膜片材以第二面朝外的方式固定在所述第二ITO玻璃基板上，并使所述雙面ITO薄膜片材的F面ITO圖形的對位Mark與所述B面ITO玻璃圖形的對位Mark對齊；在所述雙面ITO薄膜片材的第二面涂上感光膠，采用裝有B面掩膜版的曝光機對所述雙面ITO薄膜片材的第二面進行曝光，并對曝光完成后的所述雙面ITO薄膜片材的第二面進行顯影、蝕刻后，得到B面ITO圖形。作為上述方案的改進，所述粘貼層為雙面膠、水溶性膠黏層或紫外線膠水層。作為上述方案的改進，所述粘貼層為四個，且均勻分布。作為上述方案的改進，在還包括步驟：在將所述雙面ITO薄膜片材以第一面朝外的方式固定在所述第一ITO玻璃基板上前，在所述雙面ITO薄膜片材的第二面上涂布感光膠；或/和得到F面ITO圖形后，在所述雙面ITO薄膜片材的F面ITO圖形上涂布感光膠。作為上述方案的改進，還包括步驟：在所述雙面ITO薄膜片材的第一面涂上感光膠前，先將固定在所述第一ITO玻璃基板上的所述雙面ITO薄膜片材進行電阻結晶處理后進行前清洗；或/和在所述雙面ITO薄膜片材的第二面涂上感光膠前，先將固定在所述第二ITO玻璃基板上的所述雙面ITO薄膜片材進行電阻結晶處理后進行前清洗。作為上述方案的改進，所述粘貼層采用耐150度高溫、耐酸、耐堿的材料構成；所述電阻結晶處理的條件為150度恒溫90分鐘。作為上述方案的改進，還包括步驟：在所述雙面ITO薄膜片材的第一面涂上感光膠后，采用裝有F面掩膜版的曝光機對所述雙面ITO薄膜片材的第一面進行曝光前，將所述第一ITO玻璃基板上的所述雙面ITO薄膜片材送入箱式焗爐對感光膠進行固化；或/和在所述雙面ITO薄膜片材的第二面涂上感光膠后，采用裝有B面掩膜版的曝光機對所述雙面ITO薄膜片材的第二面進行曝光前，將所述第二ITO玻璃基板上的所述雙面ITO薄膜片材送入箱式焗爐對感光膠進行固化。作為上述方案的改進，還包括步驟：將所述第一ITO玻璃基板上的所述雙面ITO薄膜片材送入箱式焗爐對感光膠進行固化前，利用風槍將所述第一ITO玻璃基板和雙面ITO薄膜片材之間的水汽吹干；或/和將所述第二ITO玻璃基板上的所述雙面ITO薄膜片材送入箱式焗爐對感光膠進行固化前，利用風槍將所述第二ITO玻璃基板和雙面ITO薄膜片材之間的水汽吹干。作為上述方案的改進，所述前清洗采用中性AJC類清洗劑。作為上述方案的改進，在CCD下通過人工對位貼合將所述雙面ITO薄膜片材的F面ITO圖形的對位Mark與所述B面ITO玻璃圖形的對位Mark對齊。與現有技術相比，本專利技術公開的雙面ITO薄膜的光刻方法通過預先利用裝有F面掩膜版和B面掩膜版的的曝光機分別對第一ITO玻璃基板和第二ITO玻璃基板進行曝光，從而在所述第一ITO玻璃基板上形成F面ITO玻璃圖形以及在所述第二ITO玻璃基板形成B面ITO玻璃圖形，先利用所述第一ITO玻璃基板上形成的F面ITO玻璃圖對待光刻的雙面ITO薄膜片材進行第一面(F面)的光刻，即：通過若干粘貼層將所述雙面ITO薄膜片材以第一面朝外的方式固定在所述第一ITO玻璃基板上，并使所述雙面ITO薄膜片材的第一面的中心與所述F面ITO玻璃圖形的中心對齊；在所述雙面ITO薄膜片材的第一面涂上感光膠，采用裝有F面掩膜版的曝光機對所述雙面ITO薄膜片材的第一面進行曝光，并對曝光完成后的所述雙面ITO薄膜片材的第一面進行顯影、蝕刻后，得到F面ITO圖形；然后將得到F面ITO圖形的所述雙面ITO薄膜片材從所述玻璃基板上取下，通過若干粘貼層將所述雙面ITO薄膜片材以第二面朝外的方式固定在所述第二ITO玻璃基板上，并使所述雙面ITO薄膜片材的F面ITO圖形的對位Mark與所述B面ITO玻璃圖形的對位Mark對齊；在所述雙面ITO薄膜片材的第二面涂上感光膠，采用裝有B面掩膜版的曝光機對所述雙面ITO薄膜片材的第二面進行曝光，并對曝光完成后的所述雙面ITO薄膜片材的第二面進行顯影、蝕刻后，得到B面ITO圖形。因此，本專利技術通過將曝光機上的F面掩膜版和B面掩膜版的對位Mark分別轉化為第一ITO玻璃基板的F面ITO玻璃圖的對位Mark和第二ITO玻璃基板的B面ITO玻璃圖的對位Mark，并利用第一ITO玻璃基板的F面ITO玻璃圖的對位Mark和第二ITO玻璃基板的B面ITO玻璃圖的對位Mark來解決實現形成雙面ITO薄膜片材上F面ITO圖形和B面ITO圖形的對位問題，從而在ITOFILM的B面涂布了感光膠導致CCD無法精確捕捉不到ITOFILM的F面的對位Mark的情況下，依本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種雙面ITO薄膜的光刻方法，其特征在于，包括步驟：提供第一ITO玻璃基板和第二ITO玻璃基板，利用裝有F面掩膜版和B面掩膜版的的曝光機分別對所述第一ITO玻璃基板和第二ITO玻璃基板進行曝光，從而在所述第一ITO玻璃基板上形成F面ITO玻璃圖形以及在所述第二ITO玻璃基板形成B面ITO玻璃圖形；提供一雙面ITO薄膜片材，通過若干粘貼層將所述雙面ITO薄膜片材以第一面朝外的方式固定在所述第一ITO玻璃基板上，并使所述雙面ITO薄膜片材的第一面的中心與所述F面ITO玻璃圖形的中心對齊；在所述雙面ITO薄膜片材的第一面涂上感光膠，采用裝有F面掩膜版的曝光機對所述雙面ITO薄膜片材的第一面進行曝光，并對曝光完成后的所述雙面ITO薄膜片材的第一面進行顯影、蝕刻后，得到F面ITO圖形；將得到F面ITO圖形的所述雙面ITO薄膜片材從所述玻璃基板上取下，通過若干粘貼層將所述雙面ITO薄膜片材以第二面朝外的方式固定在所述第二ITO玻璃基板上，并使所述雙面ITO薄膜片材的F面ITO圖形的對位Mark與所述B面ITO玻璃圖形的對位Mark對齊；在所述雙面ITO薄膜片材的第二面涂上感光膠，采用裝有B面掩膜版的曝光機對所述雙面ITO薄膜片材的第二面進行曝光，并對曝光完成后的所述雙面ITO薄膜片材的第二面進行顯影、蝕刻后，得到B面ITO圖形。...

【技術特征摘要】
1.一種雙面ITO薄膜的光刻方法，其特征在于，包括步驟：提供第一ITO玻璃基板和第二ITO玻璃基板，利用裝有F面掩膜版和B面掩膜版的的曝光機分別對所述第一ITO玻璃基板和第二ITO玻璃基板進行曝光，從而在所述第一ITO玻璃基板上形成F面ITO玻璃圖形以及在所述第二ITO玻璃基板形成B面ITO玻璃圖形；提供一雙面ITO薄膜片材，通過若干粘貼層將所述雙面ITO薄膜片材以第一面朝外的方式固定在所述第一ITO玻璃基板上，并使所述雙面ITO薄膜片材的第一面的中心與所述F面ITO玻璃圖形的中心對齊；在所述雙面ITO薄膜片材的第一面涂上感光膠，采用裝有F面掩膜版的曝光機對所述雙面ITO薄膜片材的第一面進行曝光，并對曝光完成后的所述雙面ITO薄膜片材的第一面進行顯影、蝕刻后，得到F面ITO圖形；將得到F面ITO圖形的所述雙面ITO薄膜片材從所述玻璃基板上取下，通過若干粘貼層將所述雙面ITO薄膜片材以第二面朝外的方式固定在所述第二ITO玻璃基板上，并使所述雙面ITO薄膜片材的F面ITO圖形的對位Mark與所述B面ITO玻璃圖形的對位Mark對齊；在所述雙面ITO薄膜片材的第二面涂上感光膠，采用裝有B面掩膜版的曝光機對所述雙面ITO薄膜片材的第二面進行曝光，并對曝光完成后的所述雙面ITO薄膜片材的第二面進行顯影、蝕刻后，得到B面ITO圖形。2.如權利要求1所述的雙面ITO薄膜的光刻方法，其特征在于：所述粘貼層為雙面膠、水溶性膠黏層或紫外線膠水層。3.如權利要求1所述的雙面ITO薄膜的光刻方法，其特征在于：所述粘貼層為四個，且均勻分布。4.如權利要求1所述的雙面ITO薄膜的光刻方法，其特征在于，在還包括步驟：在將所述雙面ITO薄膜片材以第一面朝外的方式固定在所述第一ITO玻璃基板上前，在所述雙面ITO薄膜片材的第二面上涂布感光膠；或/和得到F面ITO圖形后，在所述雙面ITO薄膜片材的F面ITO圖形上涂布感光膠。5.如權...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王浩，崔旭光，趙漢華，王艷卿，
申請(專利權)人：精電河源顯示技術有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東,44