加熱控制方法及電加熱設(shè)備技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種加熱控制方法及電加熱設(shè)備，加熱控制方法包括步驟一：設(shè)定加熱預(yù)設(shè)時(shí)間、目標(biāo)溫度以及允許溫度偏差值，并使可控硅器件控制電熱元件開始加熱和對(duì)加熱時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)；步驟二利用溫度傳感器檢測(cè)腔室的實(shí)際溫度并判斷腔室內(nèi)的實(shí)際溫度與目標(biāo)溫度之間的差值的絕對(duì)值是否小于或等于允許溫度偏差值，若是轉(zhuǎn)至步驟三，若否轉(zhuǎn)至步驟四；判斷加熱時(shí)間是否等于加熱預(yù)設(shè)時(shí)間，若是轉(zhuǎn)至步驟五，若否轉(zhuǎn)至步驟六；使可控硅器件控制電熱元件繼續(xù)加熱，并轉(zhuǎn)至步驟二；使可控硅器件控制電熱元件停止加熱；使可控硅器件控制電熱元件繼續(xù)加熱以保持差值的絕對(duì)值小于或等于允許溫度偏差值，并轉(zhuǎn)至步驟三。實(shí)現(xiàn)了腔室的實(shí)際溫度的無(wú)級(jí)可調(diào)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
加熱控制方法及電加熱設(shè)備
本專利技術(shù)涉及電加熱
，尤其是涉及一種加熱控制方法及電加熱設(shè)備。
技術(shù)介紹
在相關(guān)技術(shù)的電加熱設(shè)備中，普遍使用電熱絲作為電熱元件對(duì)水進(jìn)行加熱。而電加熱設(shè)備的溫度控制是通過(guò)電熱絲電路的通斷進(jìn)行控制，這樣的控制方式存在溫度控制精度差。此外，電熱絲的頻繁啟動(dòng)總是伴隨著電加熱設(shè)備的水泵的啟動(dòng)、停止，影響電熱絲的使用壽命。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)旨在至少解決相關(guān)技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本專利技術(shù)需要提供一種加熱控制方法及電加熱設(shè)備。本專利技術(shù)實(shí)施方式的加熱控制方法用于電加熱設(shè)備，所述電加熱設(shè)備包括內(nèi)膽、電熱元件及可控硅器件，所述內(nèi)膽形成有腔室，所述電熱元件設(shè)置在所述內(nèi)膽的底部，所述電熱元件電連接所述可控硅器件，所述加熱控制方法包括：步驟一：設(shè)定加熱預(yù)設(shè)時(shí)間、目標(biāo)溫度以及允許溫度偏差值，并使所述可控硅器件控制所述電熱元件開始加熱和對(duì)加熱時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)；步驟二：利用溫度傳感器檢測(cè)所述腔室的實(shí)際溫度并判斷所述腔室內(nèi)的實(shí)際溫度與所述目標(biāo)溫度之間的差值的絕對(duì)值是否小于或等于所述允許溫度偏差值，若是轉(zhuǎn)至步驟三，若否轉(zhuǎn)至步驟四；步驟三：判斷所述加熱時(shí)間是否等于所述加熱預(yù)設(shè)時(shí)間，若是轉(zhuǎn)至步驟五，若否轉(zhuǎn)至步驟六；步驟四：使所述可控硅器件控制所述電熱元件繼續(xù)加熱，并轉(zhuǎn)至步驟二；步驟五：使所述可控硅器件控制所述電熱元件停止加熱；步驟六：使所述可控硅器件控制所述電熱元件繼續(xù)加熱以保持所述差值的絕對(duì)值小于或等于所述允許溫度偏差值，并轉(zhuǎn)至步驟三。本專利技術(shù)實(shí)施方式的加熱控制方法，可利用可控硅器件對(duì)電熱元件的加熱功率進(jìn)行調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)了腔室的實(shí)際溫度的無(wú)級(jí)可調(diào)，進(jìn)而可避免頻繁啟閉電熱元件而帶來(lái)的控制精度較差和電熱元件壽命低的問(wèn)題。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述步驟一還包括接收用戶指令并根據(jù)用戶指令設(shè)定所述加熱預(yù)設(shè)時(shí)間和所述目標(biāo)溫度，并使所述可控硅器件控制所述電熱元件開始加熱和對(duì)所述加熱時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述加熱控制方法包括：以所述差值作為第一輸入量及以所述差值的變化率作為第二輸入量，并基于模糊PID算法控制所述可控硅器件的導(dǎo)通角，以使所述可控硅器件控制所述電熱元件的加熱功率及使所述可控硅器件控制所述電熱元件停止加熱。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述電加熱設(shè)備包括與所述可控硅器件連接的光電耦合器，所述加熱控制方法包括：通過(guò)所述光電耦合器控制所述可控硅器件的導(dǎo)通角。在一個(gè)實(shí)施方式中，在所述步驟四中所述可控硅器件控制所述電熱元件的加熱功率大于在步驟一中所述可控硅器件控制電熱元件的加熱功率。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述電熱元件為稀土厚膜元件。在一個(gè)實(shí)施方式中，在所述步驟二中，將所述溫度傳感器輸出的溫度電信號(hào)進(jìn)行放大、濾波和數(shù)字化后得到所述腔室的實(shí)際溫度。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述電加熱設(shè)備包括顯示屏，所述加熱控制方法包括：使所述顯示屏顯示所述目標(biāo)溫度和所述腔室的實(shí)際溫度。本專利技術(shù)實(shí)施方式中的電加熱設(shè)備包括內(nèi)膽、電熱元件、可控硅器件和控制電路，所述內(nèi)膽形成有腔室，所述電熱元件設(shè)置在所述內(nèi)膽的底部，所述電熱元件電連接所述可控硅器件，所述控制電路連接所述電熱元件和所述可控硅器件，所述控制電路用于在控制所述電加熱設(shè)備工作時(shí)，實(shí)施以下步驟：步驟一：設(shè)定加熱預(yù)設(shè)時(shí)間、目標(biāo)溫度以及允許溫度偏差值，并使所述可控硅器件控制所述電熱元件開始加熱和對(duì)加熱時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)；步驟二：利用溫度傳感器檢測(cè)所述腔室的實(shí)際溫度并判斷所述腔室內(nèi)的實(shí)際溫度與所述目標(biāo)溫度之間的差值的絕對(duì)值是否小于或等于所述允許溫度偏差值，若是轉(zhuǎn)至步驟三，若否轉(zhuǎn)至步驟四；步驟三：判斷所述加熱時(shí)間是否等于所述加熱預(yù)設(shè)時(shí)間，若是轉(zhuǎn)至步驟五，若否轉(zhuǎn)至步驟六；步驟四：使所述可控硅器件控制所述電熱元件繼續(xù)加熱，并轉(zhuǎn)至步驟二；步驟五：使所述可控硅器件控制所述電熱元件停止加熱；步驟六：使所述可控硅器件控制所述電熱元件繼續(xù)加熱以保持差值的絕對(duì)值小于或等于所述允許溫度偏差值，并轉(zhuǎn)至步驟三。本專利技術(shù)實(shí)施方式的電加熱設(shè)備，可利用可控硅器件對(duì)電熱元件的加熱功率進(jìn)行調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)了腔室的實(shí)際溫度的無(wú)級(jí)可調(diào)，進(jìn)而可避免頻繁啟閉電熱元件而帶來(lái)的控制精度較差和電熱元件壽命低的問(wèn)題。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述電加熱設(shè)備包括與所述控制電路連接的按鍵，所述按鍵用于接收用戶指令，所述控制電路用于根據(jù)所述用戶指令設(shè)定所述加熱預(yù)設(shè)時(shí)間和所述目標(biāo)溫度，并使所述可控硅器件控制所述電熱元件開始加熱和對(duì)所述加熱時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述控制電路包括控制模塊，所述控制模塊以所述差值作為第一輸入量及以所述差值的變化率作為第二輸入量，并基于模糊PID算法控制所述可控硅器件的導(dǎo)通角，以使所述可控硅器件控制所述電熱元件的加熱功率及使所述可控硅器件控制所述電熱元件停止加熱。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述控制電路包括與所述可控硅器件連接的光電耦合器，所述控制模塊連接所述光耦合器，所述控制模塊用于通過(guò)所述光電耦合器控制所述可控硅器件的導(dǎo)通角。在一個(gè)實(shí)施方式中，在所述步驟四中所述控制電路使所述可控硅器件控制所述電熱元件的加熱功率大于在步驟一中所述控制電路使所述可控硅器件控制電熱元件的加熱功率。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述控制電路包括放大/濾波電路和模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，所述放大/濾波電路用于將所述溫度傳感器輸出的溫度電信號(hào)進(jìn)行放大和濾波，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換電路用于數(shù)字化放大和濾波后的所述溫度電信號(hào)并得到所述腔室的實(shí)際溫度。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述電加熱設(shè)備包括蒸汽發(fā)生系統(tǒng)，所述蒸汽發(fā)生系統(tǒng)包括蒸發(fā)盤，所述蒸發(fā)盤設(shè)置在所述腔室的底部，所述電熱元件設(shè)置在所述蒸發(fā)盤的外底面上。本專利技術(shù)實(shí)施方式的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本專利技術(shù)的實(shí)踐了解到。附圖說(shuō)明本專利技術(shù)的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施方式的描述中將變得明顯和容易理解，其中：圖1是本專利技術(shù)實(shí)施方式的加熱控制方法的流程示意圖。圖2是本專利技術(shù)實(shí)施方式的電加熱設(shè)備的立體示意圖。圖3是本專利技術(shù)實(shí)施方式的電加熱設(shè)備的另一立體示意圖。圖4是本專利技術(shù)實(shí)施方式的電加熱設(shè)備的模塊示意圖。圖5是本專利技術(shù)實(shí)施方式的電加熱設(shè)備的控制電路的部分電路示意圖。圖6是本專利技術(shù)實(shí)施方式的電加熱設(shè)備的控制模塊的模塊示意圖。圖7是本專利技術(shù)實(shí)施方式的電加熱設(shè)備的電熱元件的結(jié)構(gòu)示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明：電加熱設(shè)備100；內(nèi)膽10、腔室11、電熱元件20、基板21、導(dǎo)熱層22、發(fā)熱電路層23、可控硅器件30、溫度傳感器31、光電耦合器32、顯示屏40、控制電路50、電阻50a、按鍵51、控制模塊52、模糊推理模塊521、PID控制器522、放大/濾波電路53、模數(shù)轉(zhuǎn)換電路54、電源55、蒸汽發(fā)生系統(tǒng)60、蒸發(fā)盤61、水泵62、水箱63。具體實(shí)施方式下面詳細(xì)描述本專利技術(shù)的實(shí)施方式，所述實(shí)施方式的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施方式是示例性的，僅用于解釋本專利技術(shù)，而不能理解為對(duì)本專利技術(shù)的限制。在本專利技術(shù)的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“縱向”、“橫向”、“長(zhǎng)度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種加熱控制方法，用于電加熱設(shè)備，所述電加熱設(shè)備包括內(nèi)膽、電熱元件及可控硅器件，所述內(nèi)膽形成有腔室，所述電熱元件設(shè)置在所述內(nèi)膽的底部，所述電熱元件電連接所述可控硅器件，其特征在于，所述加熱控制方法包括：步驟一：設(shè)定加熱預(yù)設(shè)時(shí)間、目標(biāo)溫度以及允許溫度偏差值，并使所述可控硅器件控制所述電熱元件開始加熱和對(duì)加熱時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)；步驟二：利用溫度傳感器檢測(cè)所述腔室的實(shí)際溫度并判斷所述腔室內(nèi)的實(shí)際溫度與所述目標(biāo)溫度之間的差值的絕對(duì)值是否小于或等于所述允許溫度偏差值，若是轉(zhuǎn)至步驟三，若否轉(zhuǎn)至步驟四；步驟三：判斷所述加熱時(shí)間是否等于所述加熱預(yù)設(shè)時(shí)間，若是轉(zhuǎn)至步驟五，若否轉(zhuǎn)至步驟六；步驟四：使所述可控硅器件控制所述電熱元件繼續(xù)加熱，并轉(zhuǎn)至步驟二；步驟五：使所述可控硅器件控制所述電熱元件停止加熱；步驟六：使所述可控硅器件控制所述電熱元件繼續(xù)加熱以保持所述差值的絕對(duì)值小于或等于所述允許溫度偏差值，并轉(zhuǎn)至步驟三。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種加熱控制方法，用于電加熱設(shè)備，所述電加熱設(shè)備包括內(nèi)膽、電熱元件及可控硅器件，所述內(nèi)膽形成有腔室，所述電熱元件設(shè)置在所述內(nèi)膽的底部，所述電熱元件電連接所述可控硅器件，其特征在于，所述加熱控制方法包括：步驟一：設(shè)定加熱預(yù)設(shè)時(shí)間、目標(biāo)溫度以及允許溫度偏差值，并使所述可控硅器件控制所述電熱元件開始加熱和對(duì)加熱時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)；步驟二：利用溫度傳感器檢測(cè)所述腔室的實(shí)際溫度并判斷所述腔室內(nèi)的實(shí)際溫度與所述目標(biāo)溫度之間的差值的絕對(duì)值是否小于或等于所述允許溫度偏差值，若是轉(zhuǎn)至步驟三，若否轉(zhuǎn)至步驟四；步驟三：判斷所述加熱時(shí)間是否等于所述加熱預(yù)設(shè)時(shí)間，若是轉(zhuǎn)至步驟五，若否轉(zhuǎn)至步驟六；步驟四：使所述可控硅器件控制所述電熱元件繼續(xù)加熱，并轉(zhuǎn)至步驟二；步驟五：使所述可控硅器件控制所述電熱元件停止加熱；步驟六：使所述可控硅器件控制所述電熱元件繼續(xù)加熱以保持所述差值的絕對(duì)值小于或等于所述允許溫度偏差值，并轉(zhuǎn)至步驟三。2.如權(quán)利要求1所述的加熱控制方法，其特征在于，所述步驟一還包括：接收用戶指令并根據(jù)用戶指令設(shè)定所述加熱預(yù)設(shè)時(shí)間和所述目標(biāo)溫度，并使所述可控硅器件控制所述電熱元件開始加熱和對(duì)所述加熱時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)。3.如權(quán)利要求1所述的加熱控制方法，其特征在于，所述加熱控制方法包括：以所述差值作為第一輸入量及以所述差值的變化率作為第二輸入量，并基于模糊PID算法控制所述可控硅器件的導(dǎo)通角，以使所述可控硅器件控制所述電熱元件的加熱功率及使所述可控硅器件控制所述電熱元件停止加熱。4.如權(quán)利要求3所述的加熱控制方法，其特征在于，所述電加熱設(shè)備包括與所述可控硅器件連接的光電耦合器，所述加熱控制方法包括：通過(guò)所述光電耦合器控制所述可控硅器件的導(dǎo)通角。5.如權(quán)利要求1所述的加熱控制方法，其特征在于，在所述步驟四中所述可控硅器件控制所述電熱元件的加熱功率大于在步驟一中所述可控硅器件控制電熱元件的加熱功率。6.如權(quán)利要求1所述的加熱控制方法，其特征在于，所述電熱元件為稀土厚膜元件。7.如權(quán)利要求1所述的加熱控制方法，其特征在于，在所述步驟二中，將所述溫度傳感器輸出的溫度電信號(hào)進(jìn)行放大、濾波和數(shù)字化后得到所述腔室的實(shí)際溫度。8.如權(quán)利要求1所述的加熱控制方法，其特征在于，所述電加熱設(shè)備包括顯示屏，所述加熱控制方法包括：使所述顯示屏顯示所述目標(biāo)溫度和所述腔室的實(shí)際溫度。9.一種電加熱設(shè)備，其特征在于，包括內(nèi)膽、電熱元件、可控硅器件和控制電路，所述內(nèi)膽形成有腔室，所述電熱元件設(shè)置在所述內(nèi)膽...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：孫炎軍，司鵬，陳茂順，黃志飛，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：廣東美的廚房電器制造有限公司，美的集團(tuán)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：廣東,44