支承玻璃基板及使用其的層疊體制造技術

本發明專利技術的技術課題在于，通過創制不易發生加工基板的尺寸變化的支承基板、及使用其的層疊體，從而有助于半導體封裝體的高密度安裝。本發明專利技術的支承玻璃基板，其特征在于，在20～200℃的溫度范圍內的平均線性熱膨脹系數超過81×10

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】支承玻璃基板及使用其的層疊體
本專利技術涉及支承玻璃基板及使用其的層疊體，具體而言，涉及在半導體封裝體的制造工序中用于加工基板的支承的支承玻璃基板及使用其的層疊體。
技術介紹
對于手機、筆記本型個人電腦、PDA(PersonalDataAssistance，個人數字化處理器)等便攜型電子設備，要求小型化及輕量化。與此相伴的是，這些電子設備中使用的半導體芯片的安裝空間也受到嚴格限制，半導體芯片的高密度安裝成為課題。因此，近年來，通過三維安裝技術、即將半導體芯片彼此層疊并對各半導體芯片間進行布線連接而尋求半導體封裝體的高密度安裝。此外，目前的晶片級封裝(WLP)是以晶片的狀態形成凸塊后通過切割單片化而制作的。但是，目前的WLP存在難以增加針數、以及在半導體芯片的背面露出的狀態進行安裝，因此半導體芯片容易產生缺口等問題。因此，作為新型的WLP，提出了散出(fanout)型的WLP。散出型的WLP能夠使針數增加，此外，能夠通過保護半導體芯片的端部而防止半導體芯片的缺口等。
技術實現思路
專利技術要解決的課題就散出型的WLP而言，具有：將多個半導體芯片用樹脂密封材料密封而形成加工基板后，在加工基板的一個表面進行布線的工序；和形成焊料凸塊的工序；等。這些工序由于伴隨有約200℃的熱處理，因此有密封材料變形、發生加工基板的尺寸變化之虞。發生加工基板的尺寸變化時，對加工基板的一個表面進行高密度布線變得困難，此外也難以正確地形成焊料凸塊。為了抑制加工基板的尺寸變化，使用用于支承加工基板的支承基板是有效的。但是，即使是使用支承基板的情況下，也存在發生加工基板的尺寸變化的情況。本專利技術是鑒于上述情況而作出的，其技術課題在于，通過創制出不易發生加工基板的尺寸變化的支承基板及使用其的層疊體，從而有助于半導體封裝體的高密度安裝。用于解決課題的手段本專利技術人反復進行了各種實驗，結果發現，通過在選擇玻璃基板作為支承基板時嚴密地規定該玻璃基板的熱膨脹系數，從而能夠解決上述技術課題，由此提出了本專利技術。即，本專利技術的支承玻璃基板，其特征在于，在20～200℃的溫度范圍內的平均線性熱膨脹系數超過81×10－7/℃且為110×10－7/℃以下。其中，“20～200℃的溫度范圍內的平均線性熱膨脹系數”可以通過膨脹計來測定。玻璃基板容易對表面進行平滑化、且具有剛性。因此，使用玻璃基板作為支承基板時，可以使加工基板堅固、且準確地進行。此外，玻璃基板容易透過紫外光、紅外光等光。因此，使用玻璃基板作為支承基板時，通過用紫外線固化型粘合劑等設置粘接層等，可以容易地將加工基板和支承玻璃基板固定。此外，通過設置吸收紅外線的剝離層等，還可以容易地將加工基板和支承玻璃基板分離。作為另一方式，通過用紫外線固化型膠帶等設置粘接層等，可以容易將地將加工基板和支承玻璃基板分離。此外規定，本專利技術的支承玻璃基板在20～200℃的溫度范圍內的平均線性熱膨脹系數超過81×10－7/℃且為110×10－7/℃以下。由此，在加工基板內半導體芯片的比例少、密封材料的比例多時，加工基板和支承玻璃基板的熱膨脹系數變得容易匹配。并且，在兩者的熱膨脹系數匹配時，在加工處理時，加工基板的尺寸變化(特別是翹曲變形)變得容易控制。結果是，可以對加工基板的一個表面進行高密度布線，此外還可以準確地形成焊料凸塊。第二，本專利技術的支承玻璃基板，其特征在于，在30～380℃的溫度范圍內的平均線性熱膨脹系數超過85×10－7/℃且為115×10－7/℃以下。其中，“30～380℃的溫度范圍內的平均線性熱膨脹系數”可以通過膨脹計來測定。第三，本專利技術的支承玻璃基板優選在半導體封裝體的制造工序中用于加工基板的支承。第四，本專利技術的支承玻璃基板優選是通過溢流下拉法成型而成的。第五，本專利技術的支承玻璃基板優選楊氏模量為65GPa以上。其中，“楊氏模量”是指通過彎曲共振法測定的值。需要說明的是，1GPa相當于約101.9Kgf/mm2。第六，本專利技術的支承玻璃基板優選以質量％計含有SiO250～80％、Al2O31～20％、B2O30～20％、MgO0～10％、CaO0～10％、SrO0～7％、BaO0～7％、ZnO0～7％、Na2O0～25％、K2O0～25％作為玻璃組成。第七，本專利技術的支承玻璃基板優選以質量％計含有SiO255～70％、Al2O33～18％、B2O30～8％、MgO0～5％、CaO0～10％、SrO0～5％、BaO0～5％、ZnO0～5％、Na2O2～23％、K2O0～20％作為玻璃組成。第八，本專利技術的支承玻璃基板優選：板厚小于2.0mm，板厚偏差為30μm以下且翹曲量為60μm以下。其中，“翹曲量”是指支承玻璃基板總體中的最高位點和最小二乘焦點面之間的最大距離的絕對值與最低位點和最小二乘焦點面的絕對值之和，例如可以通過KOBELCOresearchinstitute公司制的Bow/Warp測定裝置SBW－331ML/d來測定。第九，本專利技術的層疊體，其特征在于，其為至少具備加工基板、和用于支承加工基板的支承玻璃基板的層疊體，支承玻璃基板上述的支承玻璃基板。第十，本專利技術的層疊體優選：加工基板至少具備用密封材料進行了密封的半導體芯片。第十一，本專利技術的半導體封裝體的制造方法，其特征在于，具有如下工序：準備至少具備加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板的層疊體的工序、輸送層疊體的工序、和對加工基板進行加工處理的工序，并且支承玻璃基板為上述的支承玻璃基板。需要說明的是，“輸送層疊體的工序”和“對加工基板進行加工處理的工序”不必分別進行，是可以同時進行的。第十二，本專利技術的半導體封裝體的制造方法優選：加工處理包括在加工基板的一個表面進行布線的工序。第十三，本專利技術的半導體封裝體的制造方法優選：加工處理包括在加工基板的一個表面形成焊料凸塊的工序。第十四，本專利技術的半導體封裝體，其特征在于，其是利用上述的半導體封裝體的制造方法制作的。第十五，本專利技術的電子設備，其特征在于，其為具備半導體封裝體的電子設備，半導體封裝體為上述的半導體封裝體。附圖說明圖1為示出本專利技術的層疊體的一例的透視概況圖。圖2為示出散出型的WLP的制造工序的剖面概況圖。具體實施方式本專利技術的支承玻璃基板中，在20～200℃的溫度范圍內的平均線性熱膨脹系數超過81×10－7/℃且為110×10－7/℃以下，優選為82×10－7/℃以上且95×10－7/℃以下、特別是83×10－7/℃以上且91×10－7/℃以下。在20～200℃的溫度范圍內的平均線性熱膨脹系數在上述范圍外時，加工基板和支承玻璃基板的熱膨脹系數變得難以匹配。并且，兩者的熱膨脹系數變得不匹配時，加工處理時容易產生加工基板的尺寸變化(特別是翹曲變形)。在30～380℃的溫度范圍內的平均線性熱膨脹系數超過85×10－7/℃且115×10－7/℃以下，優選為86×10－7/℃以上且100×10－7/℃以下、特別是87×10－7/℃以上且95×10－7/℃以下。在30～380℃的溫度范圍內的平均線性熱膨脹系數在上述范圍外時，加工基板和支承玻璃基板的熱膨脹系數變得難以匹配。并且，兩者的熱膨脹系數變得不匹配時，加工處理時容易產生加工基板的尺寸變化(特別是翹曲變形)。本專利技術的支承玻璃基板優選以質量％計含有SiO250～80本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種支承玻璃基板，其特征在于，在20℃～200℃的溫度范圍內的平均線性熱膨脹系數超過81×10

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2014.09.03 JP 2014-178807;2014.10.15 JP 2014-210431.一種支承玻璃基板，其特征在于，在20℃～200℃的溫度范圍內的平均線性熱膨脹系數超過81×10－7/℃且為110×10－7/℃以下。2.一種支承玻璃基板，其特征在于，在30～380℃的溫度范圍內的平均線性熱膨脹系數超過85×10－7/℃且為115×10－7/℃以下。3.根據權利要求1或2所述的支承玻璃基板，其特征在于，其在半導體封裝體的制造工序中用于加工基板的支承。4.根據權利要求1～3中任一項所述的支承玻璃基板，其特征在于，其是通過溢流下拉法成型而成的。5.根據權利要求1～4中任一項所述的支承玻璃基板，其特征在于，楊氏模量為65GPa以上。6.根據權利要求1～5中任一項所述的支承玻璃基板，其特征在于，以質量％計含有SiO250％～80％、Al2O31％～20％、B2O30％～20％、MgO0％～10％、CaO0％～10％、SrO0％～7％、BaO0％～7％、ZnO0％～7％、Na2O0％～25％、K2O0％～25％作為玻璃組成。7.根據權利要求6所述的支承玻璃基板，其特征在于，以質量％計含有SiO255％～70％、Al2O33％～18％、B2O30％～8％、MgO0％～5...

【專利技術屬性】
技術研發人員：鈴木良太，
申請(專利權)人：日本電氣硝子株式會社，
類型：發明
國別省市：日本,JP