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    具有發光二極管的光電子電路制造技術

    技術編號:15345264 閱讀:242 留言:0更新日期:2017-05-17 00:59
    本發明專利技術涉及一種接收包含交替上升和下降階段的可變電壓(V

    【技術實現步驟摘要】
    【國外來華專利技術】具有發光二極管的光電子電路本專利申請要求法國專利申請FR14/56180的優先權權益,其將通過引用并入本文。
    技術介紹
    本專利技術涉及光電子電路(optoelectroniccircuit),特別是涉及包括發光二極管的光電子電路。相關技術的討論期望能夠以AC電壓特別是正弦電壓(例如,電源電壓)給包括發光二極管的光電子電路供電。圖1示出了包括輸入端IN1和IN2的光電子電路10的示例,輸入端IN1和IN2之間施加有AC電壓VIN。光電子電路10還包括整流電路12,整流電路12包括二極管橋14,接收電壓VIN,并且提供對發光二極管16供電的整流電壓VALIM,該發光二極管16例如與電阻器15串聯組裝。流過發光二極管16的電流叫作IALIM。圖2是對于其中AC電壓VIN對應于正弦電壓的示例的電源電壓VALIM和電源電流IALIM的時序圖。當電壓VALIM大于發光二極管16的閾值電壓之和時,發光二極管16變為導通。電源電流IALIM然后遵循電源電壓VALIM。因此,存在其中沒有發光的關斷(OFF)階段和發光的開通(ON)階段的交替。缺點是,只要電壓VALIM小于發光二極管16的閾值電壓的和,光電子電路10就不發光。當沒有發光的每個關斷階段的持續時間在兩個發光的開通階段之間太長時,觀察者可能察覺到這種缺乏發光。增加每個開通階段的持續時間的可能性是減少發光二極管16的數量。因此,缺點是在電阻器中損失的電功率是顯著的。公開US2012/0056559描述了一種光電子電路,其中接收電源電壓VALIM的發光二極管的數量在電源電壓的上升階段期間逐漸增加,并且在電源電壓的下降階段期間逐漸減小。這通過能夠根據電壓VALIM的變化使可變數量的發光二極管短路的開關電路來實現。這使得能夠減少沒有發光的每個階段的持續時間。在公開US2012/0056559中描述的光電子電路的缺點是發光二極管電源電流不是連續變化的,即在電壓變化期間存在電流流動的突然中斷。這導致由發光二極管提供的光強度的時間變化,其可以被觀察者感知。這進一步導致為光電子電路的發光二極管供電的電流的諧波因數的降低??梢栽谡麟娐泛桶l光二極管之間插入限流電路,以將電源電流保持在基本恒定的電平。則光電子電路的結構可能相對復雜,并且光電子電路的體積可能是顯著的。此外,可能難以至少部分地以與發光二極管集成的方式形成整流電路和限流電路來進一步減小光電子電路的體積。
    技術實現思路
    實施例的目的是克服前述光電子電路的全部或部分缺點。實施例的另一個目的是減少光電子電路沒有發光的階段的持續時間。實施例的另一個目的是用于為發光二極管供電的電流基本上連續變化。實施例的另一個目的是減小光電子電路的體積。因此,實施例提供了一種光電子電路,旨在接收包含上升和下降階段的交替的可變電壓,所述光電子電路包括:多個發光二極管組件,所述組件被串聯組裝;對于每個組件,能夠所述組件的一個端子處的電壓和/或取決于所述組件的一個端子處的所述電壓的電壓與至少第一閾值以及可能第二閾值進行比較的比較單元;和控制單元,其連接到所述比較單元,并且能夠在每個上升階段期間當所述組件的所述電壓上升到所述第二閾值之上時或者當與所述組件鄰近并且傳導電流的組件的所述電壓上升到所述第一閾值以上時中斷來自所述多個組件的某些組件中的每個組件中的電流的流動,并且能夠在每個下降階段期間,當鄰近所述組件并且傳導電流的組件的所述電壓下降到第一閾值以下時控制來自所述多個組件的某些組件中的每個組件中的電流的流動。根據實施例,光電子電路包括:電流源;對于每個組件,將電流源連接到所述組件的所述端子的開關,并且對于來自所述多個組件中的某些組件中的每個組件,所述控制單元能夠在與所述組件鄰近并且傳導電流的組件的所述電壓減小到第一閾值以下時,命令與所述組件相關聯的開關導通。根據實施例,對于來自多個組件的某些組件中的每個組件,控制單元能夠在每個上升階段當與所述組件鄰近并導通電流的組件的所述電壓上升到第二閾值以上時命令與所述組件相關聯的開關導通。根據實施例,控制單元能夠在導通與所述組件相關聯的開關之后命令與所述鄰近組件相關聯的開關斷開。根據實施例,對于來自多個組件的某些組件中的每個組件,當在每個上升階段鄰近所述組件的組件的所述電壓上升到第一閾值以上時,控制單元能夠命令與所述組件相關聯的開關斷開。根據實施例,對于每個組件,光電子電路包括用于每個組件的電流源,對于每個組件,控制單元能夠當鄰近所述組件和傳導電流的組件的所述電壓在每個上升階段上升到第二閾值以上并且在每個下降階段下降到第一閾值以下時,命令與所述組件相關聯的電流源激活。根據實施例,控制單元還能夠在與所述組件相關聯的電流源激活之后,命令與所述鄰近組件相關聯的電流源停用。根據實施例,光電子電路還包括能夠提供所述電壓的全波整流電路。根據實施例,至少一個發光二極管是平面發光二極管,其包括位于在平坦表面上的層堆疊,其具有至少一個能夠發光的有源層。根據實施例,發光二極管的組件中的至少一個的發光二極管包括微線、納米線或棱錐體形式的三維半導體元件,每個半導體元件被能夠發光的有源層覆蓋。根據實施例,光電子電路包括第一集成電路,該第一集成電路包括控制單元、以及至少一個第二集成電路,該第二集成電路不同于第一集成電路并且附接到第一集成電路,并且包括發光二極管的組件中的至少一個。根據實施例,第二集成電路包括發光二極管的組件中的所有。根據實施例,光電子電路還包括第三集成電路,其不同于第一集成電路和第二集成電路并且附接到第一集成電路,并且包括發光二極管的組件中的至少一個。實施例還旨在一種控制多個發光二極管組件的方法,所述組件被串聯組裝并且以包含上升階段和下降階段的交替的可變電壓供電,所述方法包括:對于每個組件,將所述組件的一個端子處的電壓和/或取決于所述組件的一個端子處的所述電壓的電壓與至少第一閾值以及可能地第二閾值進行比較;和在每個上升階段期間,當所述組件的所述電壓上升到第二閾值以上時或者當鄰近所述組件并傳導電流的組件的所述電壓上升到第一閾值以上時,中斷來自所述多個組件的某些組件中的每個組件中的電流的流動,并且在每個下降階段期間,當鄰近所述組件并且傳導電流的組件的所述電壓降低到第一閾值以下時,控制來自多個組件的某些組件中的每個組件中的電流的流動。根據實施例,對于每個組件,通過開關將電流源連接到所述組件的所述端子,所述方法還包括對于來自所述多個組件的某些組件中的每個組件,在每個下降階段當鄰近所述組件的并傳導電流的組件的所述電壓減小到所述第一閾值以下時導通與所述組件相關聯的開關。根據實施例,該方法包括,對于來自多個組件中的某些組件中的每個組件,在每個上升階段當鄰近所述組件并傳導電流的組件的所述電壓上升到第二閾值以上時,導通與所述組件相關聯的開關。根據實施例,該方法還包括在導通與所述組件相關聯的開關之后,斷開與所述鄰近組件相關聯的開關。根據實施例,該方法包括對于來自多個組件的某些組件中的每個組件,在每個上升階段當與所述組件鄰近的組件的所述電壓上升到第一閾值以上時,斷開與所述組件相關聯的開關。根據實施例,對于每個組件,電流源連接到所述組件,所述方法包括對于每個組件,當鄰近所述組件并傳導電流的組件的所述電壓在每個上升階段上升到第二閾值以上時,并且在每個本文檔來自技高網
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    具有發光二極管的光電子電路

    【技術保護點】
    一種用于接收包含上升階段和下降階段的交替的可變電壓(V

    【技術特征摘要】
    【國外來華專利技術】2014.06.30 FR 14561801.一種用于接收包含上升階段和下降階段的交替的可變電壓(VALIM)的光電子電路(20),所述光電子電路包括:多個發光二極管的組件(Di),所述組件被串聯組裝;用于每個組件的比較單元(COMPi),其能夠將所述組件的一個端子處的電壓(VCi)和/或取決于所述組件的一個端子處的所述電壓的電壓與至少第一閾值(Vlowi)并且可能地第二閾值(Vhighi)進行比較;電流源(30);用于每個組件(Di)的開關(SWi),其將所述電流源連接到所述組件的所述端子;和控制單元(32),其連接到所述比較單元,并且在每個上升階段期間對于來自所述多個組件的某些組件中的每個組件,能夠當所述組件的所述電壓上升到所述第二閾值以上時或者當與所述組件鄰近并且傳導電流的組件的所述電壓上升到所述第一閾值以上時命令連接到所述組件的開關導通;以及在每個下降階段期間對于來自所述多個組件的某些組件中的每個組件,能夠當與所述組件鄰近并傳導電流的組件的所述電壓降低到低于所述第一閾值時,命令連接到所述組件的開關斷開。2.根據權利要求1所述的光電子電路,其中,對于來自所述多個組件的某些組件中的每個組件,所述控制單元(32)能夠在每個上升階段中當與所述組件鄰近并傳導電流的所述組件的所述電壓上升到所述第二閾值以上時命令與所述組件相關聯的所述開關導通。3.根據權利要求1或2所述的光電子電路,其中,所述控制單元(32)能夠在導通與所述組件相關聯的開關之后命令與所述鄰近組件相關聯的開關斷開。4.根據權利要求1所述的光電子電路,其中,對于來自所述多個組件的某些組件中的每個組件,所述控制單元(32)能夠在每個上升階段中當與所述組件鄰近的組件的所述電壓上升到所述第一閾值以上時命令與所述組件相關聯的開關斷開。5.根據權利要求1至4中任一項所述的光電子電路,還包括能夠提供所述電壓(VALIM)的全波整流電路(12)。6.根據權利要求1至5中任一項所述的光電子電路,其中,所述發光二極管(27)中的至少一個是平面發光二極管,其包括位于在平坦表面上的層堆疊,具有至少一個能夠發光的有源層。7.根據權利要求1至5中任一項所述的光電子電路,其中,發光二極管的組件(Di)中的...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:弗雷德里克·梅西埃,
    申請(專利權)人:艾利迪公司,
    類型:發明
    國別省市:法國,FR

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