一種集成式Mini整流橋新結構及其制作工藝制造技術

本發明專利技術提供了一種集成式Mini整流橋新結構及其制作工藝。集成式Mini整流橋新結構包括塑封體，塑封體內封裝有處于同一平面內的四個引線框架；第一引線框架與第三引線框架固設于同一載體上，作為交流引腳，第二引線框架與第四引線框架固設于同一載體上，作為正、負極引腳；第二引線框架上固定設有兩個二極管芯片，頂面均為P型，分別通過導線連接第一、第三引線框架；第四引線框架上固定設有兩個二極管芯片，頂面均為N型，分別通過導線連接第一、第三引線框架。本發明專利技術還提供了該集成式Mini整流橋新結構的制作工藝。本發明專利技術結構緊湊、體積小，工藝與現有的工藝方法不同。本發明專利技術適用于任意PCB電路板。

Integrated Mini rectifier bridge new structure and manufacturing process thereof

The invention provides a new structure of an integrated Mini rectifier bridge and a manufacturing process thereof. The new structure of integrated Mini bridge rectifier comprises a plastic body, plastic body package in four lead frame in the same plane; the first lead frame and lead frame third is fixedly arranged on the same carrier, as AC pin, second lead frame and lead frame fourth is fixedly arranged on the same carrier, as positive and negative pins; second lead frame is fixedly arranged on the top surface of the two diode chip, were P type, are respectively connected with the first and the third lead frame through the wire; the fourth lead frame is fixedly arranged on the top surface of the two diode chip, were N type, are respectively connected with the first and the third lead frame through the wire. The invention also provides the manufacturing process of the new structure of the integrated Mini rectifier bridge. The invention is compact in structure and small in volume, and the process is different from the existing process method. The invention is applicable to any PCB circuit board.

【技術實現步驟摘要】
一種集成式Mini整流橋新結構及其制作工藝
本專利技術屬于電子器件領域，具體地說是一種集成式Mini整流橋新結構。本專利技術還提供了該集成式Mini整流橋新結構的制作工藝。
技術介紹
隨著電子行業的不斷發展，整流橋器件的應用也不斷擴展。但現有技術中要求電子產品不斷小型化，因此同樣要求構成電子器件的各種模塊也不斷小型化。而現有技術中的整流橋封裝結構大多采用上下兩層的結構，其中每層分別兩顆二極管芯片，導致最終封裝厚度較大，占用線路板空間，不易小型化封裝，散熱欠佳。為了克服上述的缺陷，現有技術對整流橋的封裝結構進行了改進，如圖1所示：包括有第一至第四二極管芯片四個芯片與位于同一平面內的第一至第四引線框架四個引線框架，其中第一二極管芯片、第二二極管芯片分設于第一、第二引線框架上，另外第三、第四二極管芯片共同設于第四引線框架上，第一二極管芯片、第二二極管芯片的焊盤分別通過導線連接第三引線框架，第三二極管芯片通過導線連接第一引線框架，第四二極管芯片通過導線連接第二引線框架。這樣的設置方式令整體的整流橋相對上下兩層結構的整流橋體積更小，厚度也更薄，但此種封裝結構的整流橋還存在以下的缺陷：四個芯片分設在三個引線框架上，布局仍然不夠緊湊。此外，現有技術中整流橋的焊接工藝均為一面焊接，使得四顆二極管芯片構成的整流橋結構在空間上不得不堆疊，造成整體的整流橋體積大。
技術實現思路
本專利技術要解決的技術問題，是提供一種集成式Mini整流橋新結構，所述一種集成式Mini整流橋新結構在結構上更緊湊，所占用的體積更小。為解決上述技術問題，本專利技術所采取的技術方案是：一種集成式Mini整流橋新結構，它包括塑封體，所述封裝體內封裝有處于同一平面內的第一引線框架、第二引線框架、第三引線框架、第四引線框架；所述第一引線框架與第三引線框架固設于同一載體上，作為交流引腳，第二引線框架與第四引線框架固設于同一載體上，作為正、負極引腳；所述第二引線框架上固定設有兩個二極管芯片，頂面均為P型，分別通過導線連接第一引線框架、第三引線框架；所述第四引線框架上固定設有兩個二極管芯片，頂面均為N型，分別通過導線連接第一引線框架、第三引線框架。作為限定：所述第一引線框架與第三引線框架的載體全部封裝于塑封體內，第二引線框架與第四引線框架的載體的上半部分封裝于塑封體內、而載體下半部分外露于塑封體。第二種限定：所述第二引線框架與第四引線框架上的二極管芯片均通過二極管底面設置的粘接料固定設于相應的引線框架上，且二極管芯片分別與所在的引線框架電連接，所述粘接料為導電膠或軟焊料。第三種限定：所述導線均為銅線，在二極管芯片以及第一、第三引線框架上分別設有焊盤，所述銅線的一端連接二極管芯片上的焊盤，另一端連接引線框架上的焊盤。作為對本專利技術中二極管芯片的限定：所述所有二極管芯片均為GPP二極管芯片。作為對本專利技術中塑封體的限定：所述塑封體為環氧樹脂構成的具有空腔的殼體。本專利技術還提供了上述一種集成式Mini整流橋新結構的制作工藝，包括依次進行的以下步驟：1）對整片硅片進行好壞的測試，并將檢測出的壞片進行標記；2）將硅片底面貼于藍膜上，劃成一個個小塊，并將正面標記的壞芯片挑出；3）將步驟2）中好的芯片的頂面貼上藍膜，并將芯片上下顛倒，去掉之前底面上的藍膜；4）利用機器抓取步驟3）中的芯片，并直接將芯片的底面焊接到底座上；5）引線鍵合用金線將引線框架的引腳和芯片的焊盤連接起來；6）用環氧樹脂將二極管芯片及用于承載芯片的引線框架一起塑封起來，保護芯片，之后激光打字；7）將步驟6）中引腳之間的連筋切開，然后進行引腳成型，得到一種集成式Mini整流橋新結構；8）最終對步驟7）中的一種集成式Mini整流橋新結構進行測試，并將好的產品編袋。由于采用了上述的技術方案,本專利技術與現有技術相比，所取得的技術進步在于：（1）本專利技術的所有二極管芯片和引線框架均位于同一平面上，令整體整流橋結構的封裝厚度更小，體積也更小，布局更加緊湊；（2）本專利技術的同一引線框架上的兩顆二極管芯片極性朝向一致，方便生產；（3）本專利技術作為正、負極的第二引線框架和第四引線框架架的載體下半部分外露于塑封體，在安裝時直接與PCB板接觸，增強導熱，且簡化了安裝流程；（4）本專利技術的塑封體采用環氧樹脂制成，散熱性強，對整個整流橋結構的散熱具有促進作用。綜上所述，本專利技術結構緊湊、體積小，使用安裝方便。本專利技術適用于任意PCB電路板。本專利技術下面將結合具體實施例作進一步詳細說明。附圖說明圖1為現有技術中Mini整流橋的結構示意圖；圖2為本專利技術實施例1的俯視圖；圖3為本專利技術實施例1的主視圖；圖4為本專利技術實施例1的左視圖；圖5為本專利技術實施例1的仰視圖。圖中：1-1、第一引線框架，1-2、第二引線框架，1-3、第三引線框架，1-4、第四引線框架，2-1、第一芯二極管片，2-2、第二二極管芯片，2-3、第三二極管芯片，2-4、第四二極管芯片，3粘接料，4、導線，5、焊盤，6、塑封體。具體實施方式實施例1一種集成式Mini整流橋新結構本實施例提供了一種集成式Mini整流橋新結構，如圖2、3、4、5所示，它包括：塑封體6，所述封裝體6為環氧樹脂構成的具有空腔的殼體，在塑封體6的空腔內封裝有第一引線框架1-1、第二引線框架1-2、第三引線框架1-3、第四引線框架1-4，且所有的引線框架均處于同一平面內。為了令本實施例的引線框架具有安裝基礎，所述第一引線框架1-1與第三引線框架1-3作為交流引腳固設于同一載體上，第二引線框架1-2與第四引線框架1-4作為正、負極引腳固設于同一載體上，而第一引線框架1-1與第三引線框架1-3的載體全部封裝于塑封體6的空腔內，第二引線框架1-2與第四引線框架1-4載體的上半部封裝于塑封體6空腔內、而載體下半部分外露于塑封體6設置。本實施例作為核心的二極管芯片采用GPP二極管芯片，分別固設于第二引線框架1-2與第四引線框架1-4上，且第二引線框架1-2與第四引線框架1-4上分別固定設有兩個二極管芯片，其中固設于第二引線框架1-2上的二極管芯片頂面為P型，固設于第四引線框架1-4上的二極管芯片頂面為N型。具體設置為：第二引線框架1-2上通過粘接料3固定設置有第一二極管芯片2-1與第二二極管芯片2-2，第四引線框架1-4上通過粘接料3固定設置有第三二極管芯片2-3與第四二極管芯片2-4，且第一二極管芯片2-1、第二二極管芯片2-2與第二引線框架1-2電連接，第三二極管芯片2-3、第四二極管芯片2-4與第四引線框架1-4電連接，為了實現各個芯片與相應引線框架的電連接關系，本實施例中的粘接料3采用現有技術中的導電膠或軟焊料。而為了令各個芯片與第一引線框架1-1以及第三引線框架1-3連接形成連接關系，本實施例中的第一二極管芯片2-1、第二二極管芯片2-2分別通過導線4與分別第一引線框架1-1第三引線框架1-3相連，而第三二極管芯片2-3與第四二極管芯片2-4則通過導線4分別與第一引線框架1-1、第三引線框架1-3相連，且本實施例中的導線采用導電性能極佳的銅線，同時在二極管芯片以及第一引線框架1-1、第三引線框架1-3上分別設有焊盤5，所述銅線的一端連接二極管芯片上的焊盤5，另一端連接引線框架上的焊盤5。實施例2一種集成式Mini整流橋新結構的制作工藝本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種集成式Mini整流橋新結構，其特征在于：它包括塑封體，所述封裝體內封裝有處于同一平面內的第一引線框架、第二引線框架、第三引線框架、第四引線框架；所述第一引線框架與第三引線框架固設于同一載體上，作為交流引腳，第二引線框架與第四引線框架固設于同一載體上，作為正、負極引腳；所述第二引線框架上固定設有兩個二極管芯片，頂面均為P型，分別通過導線連接第一引線框架、第三引線框架；第四引線框架上固定設有兩個二極管芯片，頂面均為N型，分別通過導線連接第一引線框架、第三引線框架。

【技術特征摘要】
1.一種集成式Mini整流橋新結構，其特征在于：它包括塑封體，所述封裝體內封裝有處于同一平面內的第一引線框架、第二引線框架、第三引線框架、第四引線框架；所述第一引線框架與第三引線框架固設于同一載體上，作為交流引腳，第二引線框架與第四引線框架固設于同一載體上，作為正、負極引腳；所述第二引線框架上固定設有兩個二極管芯片，頂面均為P型，分別通過導線連接第一引線框架、第三引線框架；第四引線框架上固定設有兩個二極管芯片，頂面均為N型，分別通過導線連接第一引線框架、第三引線框架。2.根據權利要求1所述的一種集成式Mini整流橋新結構，其特征在于：所述第一引線框架與第三引線框架的載體全部封裝于塑封體內，第二引線框架與第四引線框架的載體的上半部分封裝于塑封體內、而載體下半部分外露于塑封體。3.根據權利要求1或2所述的一種集成式Mini整流橋新結構，其特征在于：所述第二引線框架與第四引線框架上的二極管芯片均通過二極管底面設置的粘接料固定設于相應的引線框架上，且二極管芯片分別與所在的引線框架電連接，所述粘接料為導電膠或軟焊料。4.根據權利要求1或2所述的一種集成式Mini整流橋新結構，其特征在于：所述導線均為銅線，在二極管芯片以及第一、第三引線框架上分別設有焊盤，所述銅線的一端連接二極管芯片上的焊盤，另一端連接引線框架上的焊盤。5.根據權利要求3所述的一種集成式Mini整流橋新結構，其特征在于：所述導線均為銅線，在二極管芯片以及第一、第三引線框架上...

【專利技術屬性】
技術研發人員：徐開凱，范世杰，李朝暉，李健兒，趙建明，劉繼芝，蔡勇，程緒林，馮春陽，廖智，曾尚文，劉寧，
申請(專利權)人：四川上特科技有限公司，電子科技大學，四川綠然電子科技有限公司，
類型：發明
國別省市：四川,51