一種在同一襯底上實現(xiàn)藍綠光加紅光熒光粉的發(fā)光LED制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種在同一襯底上實現(xiàn)藍綠光加紅光熒光粉的發(fā)光LED，其包括以下步驟：將磊晶襯底粗化，涂上一層大于10μm耐高溫的光刻膠；將事先做好的藍光鏤空光罩板放置在光刻膠上，將曝光部分去除掉；將光刻后的襯底進行磊晶生長，藍光磊晶完成后，再二次涂布一層光刻膠，將事先做好的綠色鏤空光罩板放置在光刻膠上，將曝光部分去除掉；將光刻后的襯底放到綠光外延爐里磊晶生長，最后通過蒸鍍、電極制作、測試工藝將藍綠晶片作為一體進行裂片，得到統(tǒng)一襯底的藍綠光晶片。本發(fā)明專利技術(shù)通過在同一襯底通過磊晶生長出超窄波長(50nm以下)的藍光、綠光晶片，搭配超窄波長的紅色熒光粉便可產(chǎn)出色域可以超出100％標準NTSC的廣色域LED。

Luminescence of blue green red fluorescent powder on the same substrate LED

The present invention provides a light emitting LED on the same substrate to achieve blue and green and red fluorescent powder, which comprises the following steps: epitaxial substrate roughening, photoresist is coated with a layer of more than 10 mu m high temperature; the blue hollow mask plate placed in advance of the photoresist, exposure to the optical part is removed; the substrate lithography of epitaxial growth, blue epitaxy is completed, the two is coated in a layer of photoresist mask, green hollow plate placed in advance of the photoresist, will remove part of the substrate after exposure; lithography on green epitaxial furnace in the epitaxial growth. Finally through deposition, the electrode manufacture, testing process as one of the green and blue chip lobes, uniform substrate with green and blue chip. In the same substrate by epitaxial growth of super narrow wavelength (50nm) blue and green chips, red phosphor collocation ultra narrow wavelength can be output color gamut could exceed the 100% standard NTSC wide color gamut LED.

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種在同一襯底上實現(xiàn)藍綠光加紅光熒光粉的發(fā)光LED
本專利技術(shù)涉及到LED
，特別是一種在同一襯底上實現(xiàn)藍綠光加紅光熒光粉發(fā)光LED。
技術(shù)介紹
在LED行業(yè)最為常見的方式是藍光LED搭配黃色熒光粉產(chǎn)生白光，目前市面上有藍光LED搭配黃色熒光粉產(chǎn)生白光和藍光LED搭配綠色熒光粉以及紅色熒光粉產(chǎn)生白光，特別是藍光LED搭配氟化物熒光粉的高色域方案，目前已被日亞以及通用電氣申請為專利。現(xiàn)有的LED白光技術(shù)為藍光LED搭配黃色熒光粉產(chǎn)生白光，但是此種方式所產(chǎn)生的白光色域覆蓋率低，導(dǎo)致顏色失真，色彩不飽和，不能滿足現(xiàn)代人對色彩的需求。基于該原因，為提升白光的色域，通過藍光LED搭配紅色熒光粉以及綠色熒光粉來實現(xiàn)，但是由于材料以及工藝的原因?qū)е戮G色熒光粉的半波寬不像紅光那樣做的窄(在7.5nm左右)，進而導(dǎo)致色域不能夠做到100％甚至更高。而目前LED的技術(shù)相對成熟，LED晶片的半波寬可以做的很窄，可以做到25nm左右。這樣通過在同一襯底通過磊晶生長出超窄波長(50nm以下)的藍光、綠光LED，在搭配超窄波長(在7.5nm左右)的紅色熒光粉便可制備出色域可以超出100％標準NTSC的廣色域LED。
技術(shù)實現(xiàn)思路
為解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)提供了一種在同一襯底上實現(xiàn)藍綠光加紅光熒光粉的發(fā)光LED，其包括以下步驟：S1：將襯底粗化，在襯底上涂上一層大于10μm耐高溫的光刻膠；將事先做好的藍光鏤空光罩板放置在光刻膠上，通過曝光、顯影、光刻將曝光部分去除掉；S2:將光刻后的襯底放到藍光外延爐里磊晶生長，藍光磊晶完成后，再二次涂布一層光刻膠，將事先做好的綠色鏤空光罩板放置在光刻膠上，通過曝光、顯影、光刻將曝光部分去除掉；S3:將光刻后的襯底放到綠光外延爐里磊晶生長，最后通過蒸鍍、電極制作、測試工藝將藍綠LED作為一體進行裂片，得到統(tǒng)一襯底的藍綠光晶片。較佳地，將藍綠光晶片(2)通過固晶膠將其固定在LED支架(4)碗杯內(nèi)，LED正極通過導(dǎo)線(1)與led支架(4)正極引線架連接，LED負極通過導(dǎo)線(1)與led支架(4)負極引線架連接，藍綠光晶片(2)之間通過導(dǎo)線(1)相連，將混合有紅色熒光粉的封裝膠(3)灌注在LED支架(4)碗杯內(nèi)，經(jīng)50-150攝氏度2-4小時烘烤固化。本專利技術(shù)具有以下有益效果：本專利技術(shù)通過在同一襯底通過磊晶生長出超窄波長(50nm以下)的藍光、綠光LED，搭配超窄波長的紅色熒光粉便可制備出色域可以超出100％標準NTSC的廣色域LED。當(dāng)然，實施本專利技術(shù)的任一產(chǎn)品并不一定需要同時達到以上所述的所有優(yōu)點。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術(shù)實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例描述所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術(shù)的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本專利技術(shù)實施例提供的發(fā)光LED制作流程示意圖；圖2為本專利技術(shù)實施例提供的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式下面將結(jié)合本專利技術(shù)實施例中的附圖，對本專利技術(shù)實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術(shù)一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術(shù)中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本專利技術(shù)保護的范圍。本專利技術(shù)實施例提供了一種在同一襯底上實現(xiàn)藍綠光加紅光熒光粉的發(fā)光LED，其包括以下步驟：如圖1所示：S1：將襯底粗化，在襯底上涂上一層大于10μm耐高溫的光刻膠；將事先做好的藍光鏤空光罩板放置在光刻膠上，通過曝光、顯影、光刻將曝光部分去除掉；S2:將光刻后的襯底放到藍光外延爐里磊晶生長，藍光磊晶完成后，再二次涂布一層光刻膠，將事先做好的綠色鏤空光罩板放置在光刻膠上，通過曝光、顯影、光刻將曝光部分去除掉；S3:將光刻后的襯底放到綠光外延爐里磊晶生長，最后通過蒸鍍、電極制作、測試工藝將藍綠晶片作為一體進行裂片，得到統(tǒng)一襯底的藍綠光晶片。如圖2所示：將藍綠光晶片(2)通過固晶膠將其固定在LED支架(4)碗杯內(nèi)，LED正極通過導(dǎo)線(1)與led支架(4)正極引線架連接，LED負極通過導(dǎo)線(1)與led支架(4)負極引線架連接，藍綠光晶片(2)之間通過導(dǎo)線(1)相連，將混合有紅色熒光粉的封裝膠(3)灌注在LED支架(4)碗杯內(nèi)，經(jīng)50-150攝氏度2-4小時烘烤固化。本專利技術(shù)通過在同一襯底通過磊晶生長出超窄波長(50nm以下)的藍光、綠光晶片，搭配超窄波長的紅色熒光粉便可制備出色域可以超出100％標準NTSC的廣色域LED。以上公開的本專利技術(shù)優(yōu)選實施例只是用于幫助闡述本專利技術(shù)。優(yōu)選實施例并沒有詳盡敘述所有的細節(jié)，也不限制該專利技術(shù)僅為所述的具體實施方式。顯然，根據(jù)本說明書的內(nèi)容，可作很多的修改和變化。本說明書選取并具體描述這些實施例，是為了更好地解釋本專利技術(shù)的原理和實際應(yīng)用，從而使所屬
技術(shù)人員能很好地理解和利用本專利技術(shù)。本專利技術(shù)僅受權(quán)利要求書及其全部范圍和等效物的限制。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種在同一襯底上實現(xiàn)藍綠光加紅光熒光粉的發(fā)光LED，其特征在于，包括以下步驟：S1：將襯底粗化，在襯底上涂上一層大于10μm耐高溫的光刻膠；將事先做好的藍光鏤空光罩板放置在光刻膠上，通過曝光、顯影、光刻將曝光部分去除掉；S2:將光刻后的襯底放到藍光外延爐里磊晶生長，藍光磊晶完成后，再二次涂布一層光刻膠，將事先做好的綠色鏤空光罩板放置在光刻膠上，通過曝光、顯影、光刻將曝光部分去除掉；S3:將光刻后的襯底放到綠光外延爐里磊晶生長，最后通過蒸鍍、電極制作、測試工藝將藍綠LED作為一體進行裂片，得到統(tǒng)一襯底的藍綠光LED。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種在同一襯底上實現(xiàn)藍綠光加紅光熒光粉的發(fā)光LED，其特征在于，包括以下步驟：S1：將襯底粗化，在襯底上涂上一層大于10μm耐高溫的光刻膠；將事先做好的藍光鏤空光罩板放置在光刻膠上，通過曝光、顯影、光刻將曝光部分去除掉；S2:將光刻后的襯底放到藍光外延爐里磊晶生長，藍光磊晶完成后，再二次涂布一層光刻膠，將事先做好的綠色鏤空光罩板放置在光刻膠上，通過曝光、顯影、光刻將曝光部分去除掉；S3:將光刻后的襯底放到綠光外延爐里磊晶生長，最后通過蒸鍍、電極制作、測試...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：丁磊，彭友，陳龍，
申請(專利權(quán))人：安徽連達光電科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：安徽,34