六輸入端組合邏輯電路的晶體管級(jí)實(shí)現(xiàn)方案的電路制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種六輸入端組合邏輯電路的晶體管級(jí)實(shí)現(xiàn)方案的電路，其包括第一三極管、第二三極管、第三三極管、第四三極管、第五三極管、第六三極管、第七三極管等，第一三極管漏極與第二三極管漏極相連，第二三極管漏極與第三三極管漏極相連，第三三極管漏極與第四三極管漏極相連，第四三極管漏極與第五三極管漏極相連，第五三極管漏極與第六三極管漏極相連，第一三極管源極與第二三極管源極相連，第二三極管源極與第三三極管源極相連，第三三極管源極與第四三極管源極相連，第四三極管源極與第五三極管源極相連等。本發(fā)明專利技術(shù)能夠通過削減晶體管數(shù)目來實(shí)現(xiàn)，達(dá)到了降低晶體管數(shù)目的目的，最終實(shí)現(xiàn)了達(dá)到同樣的邏輯功能所占用的硅片面積的大幅削減的目的。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
六輸入端組合邏輯電路的晶體管級(jí)實(shí)現(xiàn)方案的電路
本專利技術(shù)涉及一種組合邏輯的電路，特別是涉及一種六輸入端組合邏輯電路的晶體管級(jí)實(shí)現(xiàn)方案的電路。
技術(shù)介紹
現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)該五輸入端組合邏輯的電路存在以下缺點(diǎn)和不足之處：一，電路復(fù)雜、所需邏輯門數(shù)目較多現(xiàn)有技術(shù)要實(shí)現(xiàn)邏輯Y＝～(A·B·C·D·E·F)，經(jīng)硬件描述語言Verilog代碼編輯，然后綜合后會(huì)是如圖2所示：分三級(jí)來實(shí)現(xiàn)，其調(diào)用了1個(gè)反相器、3個(gè)2輸入端與非門和1個(gè)3輸入端或非門。二，信號(hào)傳輸延遲大信號(hào)經(jīng)此三級(jí)門的傳輸，由于門本身固有的延遲，從輸入到輸出的總的傳輸延遲加大。輸入到輸出的傳輸延遲太大，對(duì)于頻率高，對(duì)信號(hào)延遲大小很關(guān)心的電路將會(huì)是致命的。三，所需電路成本高由于現(xiàn)有電路使用了1個(gè)反相器(1PMOS+1NMOS共2個(gè)晶體管)、3個(gè)2輸入端與非門(2PMOS+2NMOS共4個(gè)晶體管)和1個(gè)3輸入端或非門(3PMOS+3NMOS共6個(gè)晶體管)，這總體是需要20個(gè)晶體管的，由于晶體管數(shù)目較多，導(dǎo)致其所占用的硅片面積較大。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題是提供一種六輸入端組合邏輯電路的晶體管級(jí)實(shí)現(xiàn)方案的電路，其能夠通過削減晶體管數(shù)目來實(shí)現(xiàn)，本方案只需要12個(gè)晶體管，這達(dá)到了降低晶體管數(shù)目的目的，最終實(shí)現(xiàn)了達(dá)到同樣的邏輯功能所占用的硅片面積的大幅削減的目的。本專利技術(shù)是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題的：一種六輸入端組合邏輯的電路，其包括第一三極管、第二三極管、第三三極管、第四三極管、第五三極管、第六三極管、第七三極管、第八三極管、第九三極管、第十三極管、第十一三極管、第十二三極管，第一三極管漏極與第二三極管漏極相連，第二三極管漏極與第三三極管漏極相連，第三三極管漏極與第四三極管漏極相連，第四三極管漏極與第五三極管漏極相連，第五三極管漏極與第六三極管漏極相連，第一三極管源極與第二三極管源極相連，第二三極管源極與第三三極管源極相連，第三三極管源極與第四三極管源極相連，第四三極管源極與第五三極管源極相連，第五三極管源極與第六三極管源極相連，第一三極管柵極與第七三極管柵極相連，第七三極管漏極與第一三極管源極相連，第七三極管源極與第八三極管漏極相連，第八三極管柵極與第二三極管柵極相連，第八三極管源極與第九三極管漏極相連，第九三極管柵極與第三三極管柵極相連，第九三極管源極與第十三極管漏極相連，第十三極管柵極與第四三極管柵極相連，第十三極管源極與第十一三極管漏極相連，第十一三極管柵極與第五三極管柵極相連，第十一三極管源極與第十二三極管漏極相連，第十二三極管柵極與第五三極管柵極相連，第十二三極管源極與一個(gè)接地端相連。優(yōu)選地，所述第一三極管、第二三極管、第三三極管、第四三極管、第五三極管、第六三極管都為PMOS管，第七三極管、第八三極管、第九三極管、第十三極管、第十一三極管、第十二三極管都為NMOS管。本專利技術(shù)的積極進(jìn)步效果在于：本專利技術(shù)能夠通過削減晶體管數(shù)目來實(shí)現(xiàn)，晶體管數(shù)目從20個(gè)被消減到12個(gè)，這達(dá)到了降低晶體管數(shù)目的目的，最終實(shí)現(xiàn)了達(dá)到同樣的邏輯功能所占用的硅片面積的大幅削減的目的。附圖說明圖1為本專利技術(shù)的電路圖。圖2為現(xiàn)有技術(shù)的原理圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖給出本專利技術(shù)較佳實(shí)施例，以詳細(xì)說明本專利技術(shù)的技術(shù)方案。如圖1所示，本專利技術(shù)六輸入端組合邏輯的電路包括第一三極管Q1、第二三極管Q2、第三三極管Q3、第四三極管Q4、第五三極管Q5、第六三極管Q6、第七三極管Q7、第八三極管Q8、第九三極管Q9、第十三極管Q10、第十一三極管Q11、第十二三極管Q12，第一三極管Q1漏極與第二三極管Q2漏極相連，第二三極管Q2漏極與第三三極管Q3漏極相連，第三三極管Q3漏極與第四三極管Q4漏極相連，第四三極管Q4漏極與第五三極管Q5漏極相連，第五三極管Q5漏極與第六三極管Q6漏極相連，第一三極管Q1源極與第二三極管Q2源極相連，第二三極管Q2源極與第三三極管Q3源極相連，第三三極管Q3源極與第四三極管Q4源極相連，第四三極管Q4源極與第五三極管Q5源極相連，第五三極管Q5源極與第六三極管Q6源極相連，第一三極管Q1柵極與第七三極管Q7柵極相連，第七三極管Q7漏極與第一三極管Q1源極相連，第七三極管Q7源極與第八三極管Q8漏極相連，第八三極管Q8柵極與第二三極管Q2柵極相連，第八三極管Q8源極與第九三極管Q9漏極相連，第九三極管Q9柵極與第三三極管Q3柵極相連，第九三極管Q9源極與第十三極管Q10漏極相連，第十三極管Q10柵極與第四三極管Q4柵極相連，第十三極管Q10源極與第十一三極管Q11漏極相連，第十一三極管Q11柵極與第五三極管Q5柵極相連，第十一三極管Q11源極與第十二三極管Q12漏極相連，第十二三極管Q12柵極與第五三極管Q5柵極相連，第十二三極管Q12源極與一個(gè)接地端相連。所述第一三極管Q1、第二三極管Q2、第三三極管Q3、第四三極管Q4、第五三極管Q5、第六三極管Q6都為PMOS管，第七三極管Q7、第八三極管Q8、第九三極管Q9、第十三極管Q10、第十一三極管Q11、第十二三極管Q12都為NMOS管。本專利技術(shù)可做成標(biāo)準(zhǔn)單元(standardcell)，以方便以后使用時(shí)調(diào)用。以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本專利技術(shù)的解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本專利技術(shù)的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本專利技術(shù)，凡在本專利技術(shù)的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本專利技術(shù)的保護(hù)范圍之內(nèi)。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種六輸入端組合邏輯的電路，其特征在于，其包括第一三極管、第二三極管、第三三極管、第四三極管、第五三極管、第六三極管、第七三極管、第八三極管、第九三極管、第十三極管、第十一三極管、第十二三極管，第一三極管漏極與第二三極管漏極相連，第二三極管漏極與第三三極管漏極相連，第三三極管漏極與第四三極管漏極相連，第四三極管漏極與第五三極管漏極相連，第五三極管漏極與第六三極管漏極相連，第一三極管源極與第二三極管源極相連，第二三極管源極與第三三極管源極相連，第三三極管源極與第四三極管源極相連，第四三極管源極與第五三極管源極相連，第五三極管源極與第六三極管源極相連，第一三極管柵極與第七三極管柵極相連，第七三極管漏極與第一三極管源極相連，第七三極管源極與第八三極管漏極相連，第八三極管柵極與第二三極管柵極相連，第八三極管源極與第九三極管漏極相連，第九三極管柵極與第三三極管柵極相連，第九三極管源極與第十三極管漏極相連，第十三極管柵極與第四三極管柵極相連，第十三極管源極與第十一三極管漏極相連，第十一三極管柵極與第五三極管柵極相連，第十一三極管源極與第十二三極管漏極相連，第十二三極管柵極與第五三極管柵極相連，第十二三極管源極與一個(gè)接地端相連。...

【技術(shù)特征摘要】
1.一種六輸入端組合邏輯的電路，其特征在于，其包括第一三極管、第二三極管、第三三極管、第四三極管、第五三極管、第六三極管、第七三極管、第八三極管、第九三極管、第十三極管、第十一三極管、第十二三極管，第一三極管漏極與第二三極管漏極相連，第二三極管漏極與第三三極管漏極相連，第三三極管漏極與第四三極管漏極相連，第四三極管漏極與第五三極管漏極相連，第五三極管漏極與第六三極管漏極相連，第一三極管源極與第二三極管源極相連，第二三極管源極與第三三極管源極相連，第三三極管源極與第四三極管源極相連，第四三極管源極與第五三極管源極相連，第五三極管源極與第六三極管源極相連，第一三極管柵極與第七三極管柵極相連，第七三極管漏極與第一三極管源極相連，第七三...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：唐立偉，任軍，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：合肥恒爍半導(dǎo)體有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：安徽,34