線束和同軸電線制造技術

一種同軸電線(1)，包括內部導體(10)、設置在內部導體(10)的外周上的內部絕緣體(20)、設置在內部絕緣體(20)的外周上用于防止塑化劑的轉移的薄膜層(30)、設置在薄膜層(30)上的外部導體(40)和覆蓋外部導體(40)的外周的護套(50)。內部絕緣體(20)與薄膜層(30)互相熔合。

Harness and coaxial wire

A coaxial cable (1), including the internal conductor (10), is arranged in the inner conductor (10) on the periphery of the inner insulator (20), is arranged inside the insulator (20) on the periphery to prevent the transfer of plasticizer film layer (30), set in the film layer (30) external the conductor (40) and covering the outer conductor (40) sheath peripheral (50). The internal insulator (20) is fused with the film layer (30).

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及線束和同軸電線。
技術介紹
傳統地，已經提出了一種同軸電線，該同軸電線具有：內部導體；內部絕緣體，該內部絕緣體設置在內部導體的外周上；外部導體，該外部導體設置在內部絕緣體的外周上；和護套，該護套覆蓋外部導體的外周。在這種類型的同軸電線中，通過利用外部導體遮蔽外部噪音，防止了噪音疊加在經過內部導體傳輸的數據上(例如，參見專利文獻1至4)。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：JP-A-2010-186722專利文獻2：JP-A-2009-146704專利文獻3：JP-A-2012-119231專利文獻4：JP-A-2012-138285
技術實現思路
本專利技術要解決的問題順便提及，當使用同軸電線和其它電線形成線束時，具有包含塑化劑的絕緣體的電線(例如，PVC電線)作為該其它電線，在將同軸電線布置在這樣的其它電線附近的情況下，在一些情況下，包含在PVC電線中的塑化劑可能在高溫環境下揮發，并且轉移到同軸電線。在該情況下，存在這樣的可能性：內部絕緣體的介電常數由于轉移到同軸電線的塑化劑而提高，并且同軸電線的屏蔽性能惡化。另一方面，即使在單獨使用同軸電線的情況下，在一些情況下，同軸電線的護套包含塑化劑。該塑化劑在高溫環境下以與上述相同的方式轉移到同軸電線，并且可能引起同軸電線的屏蔽性能的惡化。解決問題的方案已經鑒于上述情況做出了本專利技術，并且本專利技術的目的是提供能夠抑制屏蔽性能的惡化的線束和同軸電線。為了實現上述目的，根據本專利技術的線束和同軸電線的特征在于下面的條目(1)至(5)中所描述的特征。(1)一種線束，包括：電線，該電線具有導體部和絕緣體，所述絕緣體覆蓋所述導體部的外周并且包含塑化劑；以及同軸電線，該同軸電線具有內部導體、內部絕緣體、外部導體和護套，所述內部絕緣體設置在所述內部導體的外周上，所述外部導體設置在所述內部絕緣體的外周上，并且所述護套覆蓋所述外部導體的外周，其中，所述同軸電線與所述電線相鄰地布置，并且其中，所述同軸電線包括薄膜層，所述薄膜層設置在所述內部絕緣體與所述護套之間，并且防止所述塑化劑的轉移。(2)如在以上條目(1)中描述的線束，其中，所述薄膜層設置在所述內部絕緣體與所述外部導體之間，并且熔合于所述內部絕緣體。(3)如在以上條目(2)中描述的線束，其中，所述內部絕緣體與所述薄膜層之間的接觸力是1N以上。(4)一種同軸電線，包括：內部導體；內部絕緣體，該內部絕緣體設置在所述內部導體的外周上；薄膜層，該薄膜層設置在所述內部絕緣體的外周上，用于防止塑化劑的轉移；外部導體，該外部導體設置在所述薄膜層的外周上；和絕緣護套，該絕緣護套覆蓋所述外部導體的外周，其中，所述內部絕緣體與所述薄膜層互相熔合。(5)如在以上條目(4)中描述的同軸電線，其中，所述內部絕緣體與所述薄膜層之間的接觸力是1N以上。根據具有在以上條目(1)中描述的結構的線束，用于防止塑化劑轉移的薄膜層設置在同軸電線的內部絕緣體與護套之間。由于該原因，即使在高溫環境下，也能夠防止塑化劑轉移到同軸電線的內部絕緣體。結果，根據具有該結構的線束，能夠抑制由于塑化劑而引起的屏蔽性能的惡化。根據具有在以上條目(2)中描述的結構的線束，同軸電線的內部絕緣體與薄膜層互相熔合。因此，當使用同軸電線時，即使由于端部加工而在薄膜層中偶然產生損壞等(間隙等)，也防止薄膜層從內部絕緣體被剝離(下面將描述詳情)。結果，除了如上所述地抑制屏蔽性能的惡化之外，還能夠防止由于已經被剝離的薄膜層可能覆蓋同軸電線的端部(特別地，要連接于端子等的內部導體)的現象而引起的不良連接。將簡要描述當使用同軸電線時的端部加工。如圖4(a)所示，當使用同軸電線時，作為第一步驟，將包括護套50到內部絕緣體20的四個層從內部導體10去除。結果，露出內部導體10。然后，如圖4(b)所示，在與內部絕緣體20的端面T距離預定長度L的位置處利用旋轉刀具等方法切除包括護套50和外部導體40的兩個層，并且從薄膜層30剝離該兩個層。以這種方式，使內部導體10與外部導體40在同軸電線1的軸向上互相距離長度L，從而能夠防止兩個導體之間的接觸。然而，當切除包括護套50和外部導體40的兩個層時，在一些情況下，可能由于旋轉刀具等而在薄膜層30中產生損壞(間隙G)。在這種情形下，存在這樣的可能性：除非將薄膜層30充分固定于內部絕緣體20，否則在間隙G的末端側處的薄膜部30a可能從內部絕緣體20剝離。于是，在薄膜部30a覆蓋露出的內部導體10的情況下，存在這樣的可能性：當內部導體10與端子等互相連接(壓接)時，可能產生不良連接。根據具有在以上條目(3)中描述的結構的線束，內部絕緣體與薄膜層之間的接觸力是1N以上(將在下面描述定義)。根據專利技術人進行的試驗，在接觸力是1N以上的情況下，在薄膜部在電線的縱向上的距離(上述長度L)是大約0.5mm的條件下，在充足數量的樣品(樣品的數量為50)的全部中均不發生薄膜層的剝除。因此，在接觸力是1N以上的情況下，能夠更可靠的防止不良連接。將本專利技術中的接觸力定義為使用將在下面描述的試驗方法測量的值。具體地，在露出于外部的內部絕緣體與薄膜層互相熔合的面積(熔合面積)為50mm2的條件下，在用于在內部絕緣體的軸向上牽拉薄膜層的力(用于剝離薄膜層的力)逐漸增大的情況下，將薄膜層從內部絕緣體剝離的時間點的力的大小定義為本專利技術中的接觸力。下面將描述更加詳細的試驗方法。根據具有在以上條目(4)中描述的結構的同軸電線，以與在上述條目(2)中相同的方式，內部絕緣體與薄膜層互相熔合。因此，即使由于端部加工等而在薄膜層中產生損壞(間隙等)，也防止薄膜層從內部絕緣體被剝離。因此，除了如上所述地抑制屏蔽性能的惡化之外，還能夠防止由于已經被剝離的薄膜層覆蓋同軸電線的端部(特別地，待連接于端子等的內部導體)的現象引起的不良連接。根據具有在以上條目(5)中描述的結構的同軸電線，內部絕緣體與薄膜層之間的接觸力是1N以上(將在下面描述定義)。根據專利技術人進行的試驗，在接觸力是1N以上的情況下，在薄膜部在電線的縱向上的距離(上述長度L)為大約0.5mm的條件下，在充足數量的樣品(樣品的數量為50)的全部中均不發生薄膜層的去除。因此，在接觸力是1N以上的情況下，能夠更可靠的防止不良連接。專利技術的優點根據本專利技術，能夠提供能夠抑制屏蔽性能惡化的線束和同軸電線。附圖說明圖1是示出根據本專利技術的實施例的線束的一個實例的立體圖。圖2是除了同軸電線之外的其它電線的一個實例的截面圖。圖3是示出圖1所示的同軸電線的結構圖，其中，圖3(a)是截面圖，并且圖3(b)是側視圖。圖4是示出當使用同軸電線時的加工過程的視圖，其中，圖4(a)示出第一過程，并且圖4(b)示出第二過程。圖5是示出接觸力的測量方法的視圖，其中，圖5(a)是第一視圖，圖5(b)是第二視圖，并且圖5(c)是第三視圖。參考標記列表1同軸電線2電線3導體4絕緣體10內部導體20內部絕緣體30薄膜層40外部導體50護套C連接器G間隙T端面W電線WH線束具體實施方式下面將描述本專利技術的優選實施例。然而，本專利技術不限于如下所述的實施例。圖1是示出根據本專利技術的實施例的線束的一個實例的立體圖。如圖1所示，通過捆束多個電線W(將在下面描述的同軸電線1和電線2)而形成線束WH。在該實施例中，多個本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種線束，包括：電線，該電線具有導體部和絕緣體，所述絕緣體覆蓋所述導體部的外周并且包含塑化劑；以及同軸電線，該同軸電線具有內部導體、內部絕緣體、外部導體和護套，所述內部絕緣體設置在所述內部導體的外周上，所述外部導體設置在所述內部絕緣體的外周上，并且所述護套覆蓋所述外部導體的外周，其中，所述同軸電線與所述電線相鄰地布置，并且其中，所述同軸電線包括薄膜層，所述薄膜層設置在所述內部絕緣體與所述護套之間，并且防止所述塑化劑的轉移。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2014.10.10 JP 2014-208783;2014.10.10 JP 2014-208781.一種線束，包括：電線，該電線具有導體部和絕緣體，所述絕緣體覆蓋所述導體部的外周并且包含塑化劑；以及同軸電線，該同軸電線具有內部導體、內部絕緣體、外部導體和護套，所述內部絕緣體設置在所述內部導體的外周上，所述外部導體設置在所述內部絕緣體的外周上，并且所述護套覆蓋所述外部導體的外周，其中，所述同軸電線與所述電線相鄰地布置，并且其中，所述同軸電線包括薄膜層，所述薄膜層設置在所述內部絕緣體與所述護套之...

【專利技術屬性】
技術研發人員：井上修一，熊田健人，
申請(專利權)人：矢崎總業株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP