一種用于導模法生長藍寶石晶片的導模板制造技術

一種用于導模法生長藍寶石晶片的導模板，本發明專利技術通過在導模板主體的出料端設有向下凹陷的V形槽（3），在所述V形槽兩端部的導模板主體上分別設有貫通至導模板主體下端面的輔助供料縫（2），加大了供料速度，提升了拉制速度，提高了生產效率，同時解決了隨溫度增高晶片寬度變窄的問題，利于晶體拉制時的操作，增大了控制調整范圍等，適合大范圍的推廣和應用。

【技術實現步驟摘要】
一種用于導模法生長藍寶石晶片的導模板
本專利技術涉及一種導模板，具體涉及一種用于導模法生長藍寶石晶片的導模板。
技術介紹
已知的，藍寶石(Sapphire)是一種氧化鋁(αA1203)的單晶，又稱為剛玉。剛玉晶體具有優良的光學、電學和機械性能，其硬度僅次于鉆石。具有機械強度高、高溫化學性能穩定、導熱性好、高絕緣性、小摩擦系數等特點。藍寶石被廣泛應用于半導體器件、光電子器件、激光器、真空器件、精密機械等。特別是含Ti4+藍寶石，是優異的固體寬帶調諧激光材料，可制作超強的飛秒量級可調諧激光器。高質量寶石晶體的人工合成是人們研究的重要領域。人工制備藍寶石晶體材料目前己有很多種方法，主要有:泡生法（Kyropolous，簡稱Ky法)、導模法(即EdgeDefinedFilm-fedGrowthtechniques，簡稱EFG法)、熱交換法(即HeatExchangeMethod，簡稱HEM沾)，提拉法（Czochralski)，布里奇曼法CBridgman)，坩堝下降法等。以EFG法為例，制造方法大致如下：將氧化鋁原料裝入鎢鉬坩堝內，加熱熔融，在坩堝內部放入特定的導模板，導模板開有適當寬度的孔或槽。由于氧化鋁與導模板之間具有浸潤性，故在毛細作用下，溶液可爬升至導模板頂端，并在導模板頂部形成一層薄膜。采用EFG法生長藍寶石晶片時，其核心之一就是導模板，導模板直接影響產品的質量和產量。導模板目前較常用的是具有單一通道的導模板，單一通道存在相應弊端，隨著藍寶石晶片使用的厚度及長度的要求越來越大，單一的供料通道的弊端愈專利技術顯：例如：a、由于導模板采用單一通道，在導模板的外邊緣靠近發熱體處溫度高不容易供料，導致晶板縮角。b、由于導模板采用單一通道，隨著晶板的拉制越來越長，靠近發熱體的導模板溫度越來越高，造成所拉制晶體寬度不一致。c、由于導模板采用單一通道，外側溫度高后為保證晶體厚度要求需降低拉制速度，造成生產效率降低。鑒于此，現迫切需要設計一種新的導模板來實現晶片或晶板的持續成形，使其在拉制過程中表現形式一致，操作方便可靠等等。
技術實現思路
鑒于
技術介紹
中存在的不足，本專利技術公開了一種用于導模法生長藍寶石晶片的導模板，本專利技術通過在V形槽兩端部的導模板主體上分別設有貫通至導模板主體下端面的輔助供料縫，加大了供料速度，提升了拉制速度，提高了生產效率，同時解決了隨溫度增高晶片寬度變窄的問題，利于晶體拉制時的操作，增大了控制調整范圍等。為了實現上述專利技術的目的，本專利技術采用如下技術方案：一種用于導模法生長藍寶石晶片的導模板，包括第一側板、輔助供料縫、主供料縫和第二側板，所述第一側板與第二側板平行且間隔設置構成長方形導模板主體，第一側板與第二側板之間的縫隙構成主供料縫，在導模板主體的出料端設有向下凹陷的V形槽，在所述V形槽兩端部的導模板主體上分別設有貫通至導模板主體下端面的輔助供料縫，在導模板主體的進料端設有連接槽形成所述的用于導模法生長藍寶石晶片的導模板。所述的用于導模法生長藍寶石晶片的導模板，所述輔助供料縫的形狀設置為V形或波浪形或直線型或X形。所述的用于導模法生長藍寶石晶片的導模板，所述輔助供料縫設置為V形，V形輔助供料縫兩邊的夾角為40°～150°。所述的用于導模法生長藍寶石晶片的導模板，所述V形輔助供料縫的開口端向外設置。所述的用于導模法生長藍寶石晶片的導模板，所述輔助供料縫至導模板主體側邊的距離為1～15mm。所述的用于導模法生長藍寶石晶片的導模板，所述輔助供料縫的兩端頭分別設有圓弧形倒角。所述的用于導模法生長藍寶石晶片的導模板，所述主供料縫的寬度為0.1～3mm。所述的用于導模法生長藍寶石晶片的導模板，所述V形槽兩邊的夾角為70°～150°。由于采用上述技術方案，本專利技術具有如下有益效果：本專利技術所述的一種用于導模法生長藍寶石晶片的導模板，本專利技術通過在導模板主體的出料端設有向下凹陷的V形槽，在所述V形槽兩端部的導模板主體上分別設有貫通至導模板主體下端面的輔助供料縫，加大了供料速度，提升了拉制速度，提高了生產效率，同時解決了隨溫度增高晶片寬度變窄的問題，利于晶體拉制時的操作，增大了控制調整范圍。等，適合大范圍的推廣和應用。【附圖說明】圖1是本專利技術的立體結構示意圖；圖2是圖1的俯視結構示意圖；圖3是圖1的左視結構示意圖；在圖中：1、第一側板；2、輔助供料縫；3、V形槽；4、主供料縫；5、第二側板；6、連接槽。【具體實施方式】參考下面的實施例，可以更詳細地解釋本專利技術；但是，本專利技術并不局限于這些實施例。需要說明的是，本專利技術中采用的位置描述關系（即上、下、左、右、前、后）僅以附圖為例。結合附圖1～3所述的一種用于導模法生長藍寶石晶片的導模板，包括第一側板1、輔助供料縫2、主供料縫4和第二側板5，所述第一側板1和第二側板5的形狀均為長方形結構，第一側板1和第二側板5的長度、寬度和厚度均設置為一致，第一側板1與第二側板5平行、對應且間隔設置構成長方形導模板主體，第一側板1與第二側板5之間的縫隙構成主供料縫4，所述主供料縫4的寬度b設置為0.1～3mm，在實際應用過程中，第一側板1與第二側板5之間設置若干個間隔塊，然后第一側板1與第二側板5通過螺栓固定為一體（此結構附圖中未示出）;進一步,第一側板1與第二側板5的材料選用鎢或鉬或鎢鉬合金當中的任意一種；進一步，在導模板主體的出料端設有向下凹陷的V形槽3（如圖3所示），所述V形槽3兩邊的夾角β為70°～150°，在實際實施過程中,V形槽3的設置即在第一側板1的上端設置左側高右側低的斜面A,在第二側板5的上端設置左側低右側高的斜面B,由所述斜面A與斜面B構成V形槽3；進一步，在所述V形槽3兩端部的導模板主體上分別設有貫通至導模板主體下端面的輔助供料縫2，所述輔助供料縫2的形狀設置為V形或波浪形或直線型或X形，在實施實施過程中優選V形，當所述輔助供料縫2設置為V形時，V形輔助供料縫2兩邊的夾角θ為40°～150°；同時，V形輔助供料縫2的開口端向外設置；輔助供料縫2至導模板主體側邊的距離a設置為1～15mm；進一步，所述輔助供料縫2的兩端頭分別設有圓弧形倒角；進一步，輔助供料縫2的設置數量可以是兩個或多個。進一步，在導模板主體的進料端設有連接槽6，由所述連接槽6連接坩堝內的導模板固定座（此結構附圖未示出）形成所述的用于導模法生長藍寶石晶片的導模板。本專利技術的具體優點如下：1、本專利技術增加了輔助供料縫2，加大了供料速度，提升拉制速度，提高生產效率；2、本專利技術增加了輔助供料縫2，改變導模板局部溫度，利于晶片結晶，解決晶片縮角問題，保證晶片的完整；3、本專利技術增加了輔助供料縫2，解決了隨溫度增高晶片寬度變窄的問題，利于晶體拉制時的操作，增大了控制調整范圍。本專利技術的應用實例如下表所示：θabβ晶片縮角情況60°30.370°厚度方向存在2～3mm的V形縮角，，拉制調整區間窄80°70.4100°厚度方向存在1m左右的V形縮角，拉制調整區間相對較窄90°100.5120°溫高溫底均無縮角現象存在，拉制調整區間寬110°120.6150°厚度方向存在1m左右的V形縮角,拉制調整區間相對較窄本專利技術未詳述部分為現有技術。為了公開本專利技術的專利技術目的而在本文中選用的實施例，當前認為是適宜的，但是，應了解的本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于導模法生長藍寶石晶片的導模板，包括第一側板（1）、輔助供料縫（2）、主供料縫（4）和第二側板（5），其特征是：所述第一側板（1）與第二側板（5）平行且間隔設置構成長方形導模板主體，第一側板（1）與第二側板（5）之間的縫隙構成主供料縫（4），在導模板主體的出料端設有向下凹陷的V形槽（3），在所述兩端部的導模板主體上分別設有貫通至導模板主體下端面的輔助供料縫（2），在導模板主體的進料端設有連接槽（6）形成所述的用于導模法生長藍寶石晶片的導模板。

【技術特征摘要】
1.一種用于導模法生長藍寶石晶片的導模板，包括第一側板（1）、輔助供料縫（2）、主供料縫（4）和第二側板（5），其特征是：所述第一側板（1）與第二側板（5）平行且間隔設置構成長方形導模板主體，第一側板（1）與第二側板（5）之間的縫隙構成主供料縫（4），在導模板主體的出料端設有向下凹陷的V形槽（3），在所述兩端部的導模板主體上分別設有貫通至導模板主體下端面的輔助供料縫（2），在導模板主體的進料端設有連接槽（6）形成所述的用于導模法生長藍寶石晶片的導模板。2.如權利要求1所述的用于導模法生長藍寶石晶片的導模板，其特征是：所述輔助供料縫（2）的形狀設置為V形或波浪形或直線型或X形。3.如權利要求2所述的用于導模法生長藍寶石晶片的導模板，其特征是：...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉朝軒，劉奇豐，
申請(專利權)人：洛陽金諾光電子材料有限公司，
類型：發明
國別省市：河南,41