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    有機(jī)半導(dǎo)體器件的封裝方法技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):15439801 閱讀:57 留言:0更新日期:2017-05-26 05:26
    本發(fā)明專利技術(shù)公開(kāi)了一種有機(jī)半導(dǎo)體器件的封裝方法,其包括步驟:在柔性襯底上制作形成有機(jī)半導(dǎo)體器件;在柔性襯底上制作形成分別位于有機(jī)半導(dǎo)體器件兩側(cè)且與有機(jī)半導(dǎo)體器件保持預(yù)定間隔的光阻塊;在光阻塊、有機(jī)半導(dǎo)體器件及柔性襯底上沉積無(wú)機(jī)層;將光阻塊及其上的無(wú)機(jī)層去除;在有機(jī)半導(dǎo)體器件和柔性襯底上的無(wú)機(jī)層上沉積有機(jī)層。在本發(fā)明專利技術(shù)的有機(jī)半導(dǎo)體器件的封裝方法中,形成了無(wú)機(jī)/有機(jī)結(jié)構(gòu)的柔性O(shè)LED薄膜封裝結(jié)構(gòu),這種封裝結(jié)構(gòu)不但將傳統(tǒng)薄膜封裝工藝中無(wú)機(jī)層沉積需要使用的沉積光罩省去,還有效地提高了OLED器件的水分和氧氣的阻隔性,從而延長(zhǎng)OLED器件的壽命。

    Packaging method of organic semiconductor device

    The invention discloses a packaging method of organic semiconductor device, which comprises the steps of: forming organic semiconductor devices on flexible substrate; forming respectively located on both sides of the organic semiconductor devices and organic semiconductor devices to keep the light block a predetermined interval on a flexible substrate; depositing an inorganic layer on the photoresist block, and organic semiconductor device flexible substrate; the light block and the inorganic layer removal; inorganic layer in organic semiconductor devices and flexible substrate deposited on the organic layer. In the packaging method of organic semiconductor device of the invention, a flexible OLED thin film encapsulation structure of inorganic / organic structure, the package will not only traditional film packaging process requires the use of the inorganic layer deposition deposition mask is omitted, but also effectively improves the barrier properties of OLED devices to moisture and oxygen, thus extending the OLED device the life.

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
    有機(jī)半導(dǎo)體器件的封裝方法
    本專利技術(shù)屬于器件封裝
    ,具體地講,涉及一種有機(jī)半導(dǎo)體器件的封裝方法。
    技術(shù)介紹
    近年來(lái),有機(jī)發(fā)光二極管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)成為國(guó)內(nèi)外非常熱門的新興平面顯示器產(chǎn)品,這是因?yàn)镺LED顯示器具有自發(fā)光、廣視角(達(dá)175°以上)、短反應(yīng)時(shí)間(1μs)、高發(fā)光效率、廣色域、低工作電壓(3~10V)、薄厚度(可小于1mm)、可制作大尺寸與可撓曲的面板及制程簡(jiǎn)單等特性,而且它還具有低成本的潛力。針對(duì)柔性O(shè)LED顯示器,目前制約其發(fā)展的一大瓶頸就在柔性O(shè)LED顯示器的封裝上。眾所周知,制作OELD的材料對(duì)水分和氧氣十分敏感,如果不能有效的阻隔外界的水分和氧氣對(duì)制作OELD的材料的傷害,就無(wú)法實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)壽命的OLED器件。
    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
    為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本專利技術(shù)的目的在于提供一種能夠有效阻隔外界的水分和氧氣的有機(jī)半導(dǎo)體器件的封裝方法。根據(jù)本專利技術(shù)的一方面,提供了一種有機(jī)半導(dǎo)體器件的封裝方法,其包括步驟:在柔性襯底上制作形成有機(jī)半導(dǎo)體器件;在柔性襯底上制作形成分別位于有機(jī)半導(dǎo)體器件兩側(cè)且與有機(jī)半導(dǎo)體器件保持預(yù)定間隔的光阻塊;在光阻塊、有機(jī)半導(dǎo)體器件及柔性襯底上沉積無(wú)機(jī)層;將光阻塊及其上的無(wú)機(jī)層去除;在有機(jī)半導(dǎo)體器件和柔性襯底上的無(wú)機(jī)層上沉積有機(jī)層。可選地,所述封裝方法還包括步驟:在有機(jī)層上交替制作無(wú)機(jī)層和有機(jī)層;在最后一層有機(jī)層上沉積無(wú)機(jī)層。可選地,制作所述光阻塊的方法包括步驟:在柔性襯底和有機(jī)半導(dǎo)體器件上涂布一層光阻層;利用預(yù)定的光照掩膜版對(duì)光阻層進(jìn)行曝光;其中所述光罩掩膜版包括遮光部及分別位于所述遮光部?jī)蓚?cè)的透光部,所述遮光部與所述有機(jī)半導(dǎo)體器件相對(duì),所述遮光部的兩側(cè)分別超出所述有機(jī)半導(dǎo)體器件的兩側(cè);對(duì)經(jīng)曝光后的光阻層進(jìn)行顯影,以將與所述遮光部相對(duì)的光阻層去除,從而形成所述光阻塊。可選地,利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法、脈沖激光沉積法或者濺射沉積法沉積所述無(wú)機(jī)層。可選地,所述無(wú)機(jī)層包含Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、SiOx、ZrO2中的至少一種。可選地,利用噴墨印刷成型法、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法或者夾縫式擠壓型涂布法制作所述有機(jī)層。可選地,所述有機(jī)層包含丙烯酸脂、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂和聚苯乙烯中的至少一種。可選地,將光阻塊及其上的無(wú)機(jī)層去除的具體方法為:利用有機(jī)溶劑浸泡預(yù)定時(shí)間,以使光阻塊從柔性襯底上脫離。本專利技術(shù)的有益效果:在本專利技術(shù)的有機(jī)半導(dǎo)體器件的封裝方法中,形成了無(wú)機(jī)/有機(jī)結(jié)構(gòu)的柔性O(shè)LED薄膜封裝結(jié)構(gòu),這種封裝結(jié)構(gòu)不但將傳統(tǒng)薄膜封裝工藝中無(wú)機(jī)層沉積需要使用的沉積光罩省去,還有效地提高了OLED器件的水分和氧氣的阻隔性,從而延長(zhǎng)OLED器件的壽命。附圖說(shuō)明通過(guò)結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述,本專利技術(shù)的實(shí)施例的上述和其它方面、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚,附圖中:圖1A至圖1G是根據(jù)本專利技術(shù)的實(shí)施例的有機(jī)半導(dǎo)體器件的封裝方法的封裝流程圖;圖2A至圖2C是根據(jù)本專利技術(shù)的另一實(shí)施例的有機(jī)半導(dǎo)體器件的封裝方法的封裝流程圖。具體實(shí)施方式以下,將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本專利技術(shù)的實(shí)施例。然而,可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)施本專利技術(shù),并且本專利技術(shù)不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的具體實(shí)施例。相反,提供這些實(shí)施例是為了解釋本專利技術(shù)的原理及其實(shí)際應(yīng)用,從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本專利技術(shù)的各種實(shí)施例和適合于特定預(yù)期應(yīng)用的各種修改。在附圖中,為了清楚器件,夸大了層和區(qū)域的厚度。相同的標(biāo)號(hào)在整個(gè)說(shuō)明書(shū)和附圖中表示相同的元器件。圖1A至圖1G是根據(jù)本專利技術(shù)的實(shí)施例的有機(jī)半導(dǎo)體器件的封裝方法的封裝流程圖。參照?qǐng)D1A,在柔性襯底110上制作形成有機(jī)半導(dǎo)體器件120。這里,柔性襯底110可以采用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等柔性材料制成。有機(jī)半導(dǎo)體器件120可例如是OLED器件,但本專利技術(shù)并不限制于此。參照?qǐng)D1B,在柔性襯底110和有機(jī)半導(dǎo)體器件120上涂布一層光阻層130。具體地,利用勻膠機(jī)旋涂?jī)x(spin-coater)在柔性襯底110和有機(jī)半導(dǎo)體器件120上涂覆一層含氟的聚合物光阻,在溫度為80℃下干燥10min,以形成光阻層130。參照?qǐng)D1C,利用預(yù)定的光照掩膜版200對(duì)光阻層130進(jìn)行曝光。這里,光照掩膜版200包括遮光部210及分別位于遮光部210兩側(cè)的透光部220,其中該遮光部210與有機(jī)半導(dǎo)體器件120相對(duì),并且遮光部210的兩側(cè)分別超出有機(jī)半導(dǎo)體器件120的兩側(cè)。也就是說(shuō),有機(jī)半導(dǎo)體器件120在遮光部210中的投影完全位于遮光部210以內(nèi)。參照?qǐng)D1D,對(duì)經(jīng)曝光后的光阻層130進(jìn)行顯影,以將與遮光部210相對(duì)的光阻層130去除,從而形成光阻塊130a。通過(guò)以上圖1B至圖1D的方法步驟,完成了在柔性襯底110上制作形成分別位于有機(jī)半導(dǎo)體器件120兩側(cè)且與有機(jī)半導(dǎo)體器件120保持預(yù)定間隔的光阻塊130a。參照?qǐng)D1E,在光阻塊130a、有機(jī)半導(dǎo)體器件120及柔性襯底110上沉積無(wú)機(jī)層140。具體地,利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)、脈沖激光沉積法(PLD)或者濺射沉積法(Sputter)沉積一層覆蓋在光阻塊130a、有機(jī)半導(dǎo)體器件120及柔性襯底110上的無(wú)機(jī)層140。在本實(shí)施例中,無(wú)機(jī)層140可以采用Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、SiOx、ZrO2中的至少一種制成,但本專利技術(shù)并不限制于此,例如無(wú)機(jī)層140還可以利用其它具有高防水分和氧氣效果的無(wú)機(jī)材料制成。參照?qǐng)D1F,將光阻塊130a及其上的無(wú)機(jī)層140去除。具體地,在有機(jī)溶劑中侵泡1~30min,這時(shí)光阻塊130a會(huì)從柔性襯底110上脫離,而其他部件(諸如有機(jī)半導(dǎo)體器件120及其上的無(wú)機(jī)層140、柔性襯底110上的無(wú)機(jī)層140等)會(huì)保留,從而將光阻塊130a及其上的無(wú)機(jī)層140去除。參照?qǐng)D1G,在有機(jī)半導(dǎo)體器件120上的無(wú)機(jī)層140上沉積有機(jī)層150。具體地,利用噴墨印刷成型法(IJP)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)或者夾縫式擠壓型涂布法(SlotCoating)制作有機(jī)層150。在本實(shí)施例中,有機(jī)層150可以采用丙烯酸脂、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂和聚苯乙烯中的至少一種制作,但本專利技術(shù)并不限制于此,例如有機(jī)層150還可以采用具有緩沖器件在彎曲、折疊時(shí)的應(yīng)力以及避免顆粒污染物覆蓋的有機(jī)材料制成。綜上所述,根據(jù)本專利技術(shù)的實(shí)施例的有機(jī)半導(dǎo)體器件的封裝方法,其形成無(wú)機(jī)/有機(jī)結(jié)構(gòu)的柔性O(shè)LED薄膜封裝結(jié)構(gòu),這種封裝結(jié)構(gòu)不但將傳統(tǒng)薄膜封裝工藝中無(wú)機(jī)層沉積需要使用的沉積光罩省去,還有效地提高了OLED器件的水分和氧氣的阻隔性,從而延長(zhǎng)OLED器件的壽命。圖2A至圖2C是根據(jù)本專利技術(shù)的另一實(shí)施例的有機(jī)半導(dǎo)體器件的封裝方法的封裝流程圖。在進(jìn)行完圖1A至圖1G所示的有機(jī)半導(dǎo)體器件的封裝方法之后,還包括圖2A至圖2C的封裝方法。參照?qǐng)D2A,在有機(jī)層150上沉積無(wú)機(jī)層140a。具體地,利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)、脈沖激光沉積法(PLD)或者濺射沉積法(Sputter)沉積一層覆蓋在有機(jī)層150上的無(wú)機(jī)層140a。在本實(shí)施例中,無(wú)機(jī)層140a可以采用Al2O3、TiO2、SiNx、SiCNx、SiOx、ZrO2中的至少一種制成,但本專利技術(shù)并不限制于此,例如無(wú)機(jī)層140a還可以本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
    有機(jī)半導(dǎo)體器件的封裝方法

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
    一種有機(jī)半導(dǎo)體器件的封裝方法,其特征在于,包括步驟:在柔性襯底上制作形成有機(jī)半導(dǎo)體器件;在柔性襯底上制作形成分別位于有機(jī)半導(dǎo)體器件兩側(cè)且與有機(jī)半導(dǎo)體器件保持預(yù)定間隔的光阻塊;在光阻塊、有機(jī)半導(dǎo)體器件及柔性襯底上沉積無(wú)機(jī)層;將光阻塊及其上的無(wú)機(jī)層去除;在有機(jī)半導(dǎo)體器件和柔性襯底上的無(wú)機(jī)層上沉積有機(jī)層。

    【技術(shù)特征摘要】
    1.一種有機(jī)半導(dǎo)體器件的封裝方法,其特征在于,包括步驟:在柔性襯底上制作形成有機(jī)半導(dǎo)體器件;在柔性襯底上制作形成分別位于有機(jī)半導(dǎo)體器件兩側(cè)且與有機(jī)半導(dǎo)體器件保持預(yù)定間隔的光阻塊;在光阻塊、有機(jī)半導(dǎo)體器件及柔性襯底上沉積無(wú)機(jī)層;將光阻塊及其上的無(wú)機(jī)層去除;在有機(jī)半導(dǎo)體器件和柔性襯底上的無(wú)機(jī)層上沉積有機(jī)層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征在于,還包括步驟:在有機(jī)層上交替制作無(wú)機(jī)層和有機(jī)層;在最后一層有機(jī)層上沉積無(wú)機(jī)層。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的封裝方法,其特征在于,制作所述光阻塊的方法包括步驟:在柔性襯底和有機(jī)半導(dǎo)體器件上涂布一層光阻層;利用預(yù)定的光照掩膜版對(duì)光阻層進(jìn)行曝光;其中所述光罩掩膜版包括遮光部及分別位于所述遮光部?jī)蓚?cè)的透光部,所述遮光部與所述有機(jī)半導(dǎo)體器件相對(duì),所述遮光部的兩側(cè)分別超出所述有機(jī)半導(dǎo)體器件的兩側(cè);對(duì)經(jīng)曝光后...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:金江江
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:武漢華星光電技術(shù)有限公司
    類型:發(fā)明
    國(guó)別省市:湖北,42

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